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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPP80N06S2L-07 | - |  | 8485 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 2V @ 150 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 4210 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPC60R3K3C6X1SA1 | - | | 7130 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC60 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000868556 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF5020we6327 | 0.1300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 8 V | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | - | Mosfet | PG-SOT343-4-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100na | 10 Ma | - | 32db | 1.2db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7807ZTRPBF | 0.8300 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7807 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 11a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 770 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfp044n | - | | 6760 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp044n | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 55 V | 53A (TC) | 10V | 20mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFB3806PBF | 1.1600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB3806 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572380 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 43a (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 50 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS1602WH6327XTSA1 | - | | 6265 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-80 | BAS1602 | Estándar | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7738L2TRPBF | - | | 8290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico L6 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet l6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | IRF7738L2TRPBFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 35A (TA), 184A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 109a, 10v | 4V @ 250 µA | 194 NC @ 10 V | ± 20V | 7471 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S3-07 | - | | 8676 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 6.8mohm @ 51a, 10v | 4V @ 80 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 7768 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | 2.1900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF1310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 10V | 36mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buz73a H3046 | - | | 8979 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 5.5a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDW50E60FKSA1 | 3.0800 | | 2845 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW50E60 | Estándar | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 50 A | 115 ns | 40 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 80A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT330N16AOFHPSA1 | 238.6800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT330N16 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.6 kV | 520 A | 2 V | 12500A @ 50Hz | 200 MA | 330 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 162L3 E6327 | - | | 4870 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BCR 162 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62-0063pbf | - | | 9838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7476 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 12 V | 15a (TA) | 2.8V, 4.5V | 8mohm @ 15a, 4.5V | 1.9V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2550 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf3805l | - | | 1622 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 160A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 290 NC @ 10 V | ± 20V | 7960 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R280PFD7SAUMA1 | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ PFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-344 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.6a, 10V | 4.5V @ 180 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 656 pf @ 400 V | - | 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLIZ44NPBF | - | | 7213 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4V, 10V | 22mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPF04N03LA G | - | | 8559 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPF04N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-23 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 50A, 10V | 2V @ 30 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 5199 pf @ 15 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFHM8330TRPBF | - | | 8229 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | 1.3500 | | 192 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR5505 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 55 V | 18a (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TD92N1625KOFHPSA1 | - | | 2119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TD92N | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.6 kV | 160 A | 1.4 V | 2050a @ 50Hz | 120 Ma | 104 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirfs3607trl | - | | 9466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs3607 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520722 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10v | 4V @ 100 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR4104TRL | - | | 4680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF1902GPBF | - | | 3604 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001571184 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 20 V | 4.2a (TA) | 85mohm @ 4a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 7.5 NC @ 4.5 V | 310 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bf799wh6327xtsa1 | - | | 6954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BF799 | 280MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 20V | 35mA | NPN | 40 @ 20MA, 10V | 800MHz | 3DB @ 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF9383MTR1PBF | - | | 4268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 30 V | 22a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 22a, 10v | 2.4V @ 150 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 7305 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO301SP | - | | 3015 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPDQ60R075CFD7XTMA1 | 9.1600 | | 7992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | IPDQ60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22-1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | - | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857SH6827XTSA1 | 0.0956 | | 7717 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz |
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