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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFSL7730PBF	-	RFQ	6333	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7730	Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			75 V	195a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 100a, 10v	3.7V @ 250 µA	407 NC @ 10 V	± 20V	13660 pf @ 25 V	-	375W (TC)
BSC205N10LS G	-	RFQ	8454	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			100 V	7.4a (TA), 45a (TC)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 45a, 10v	2.4V @ 43 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 50 V	-	76W (TC)
IRF6641TR1PBF	-	RFQ	4884	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MZ		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mz	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			200 V	4.6a (TA), 26a (TC)	10V	59.9mohm @ 5.5a, 10v	4.9V @ 150 µA	48 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7704GTRPBF	-	RFQ	4783	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P			40 V	4.6a (TA)	4.5V, 10V	46mohm @ 4.6a, 10V	3V @ 250 µA	38 NC @ 4.5 V	± 20V	3150 pf @ 25 V	-	1.5W (TA)
IRF7101PBF	-	RFQ	8716	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF71	Mosfet (Óxido de metal)	2W		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001559728	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)					20V	3.5a		100mohm @ 1.8a, 10V	3V @ 250 µA	15NC @ 10V		320pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
BFR92PE6327HTSA1	0.4300	RFQ	66	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR92		280MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					10.5db ~ 16db																									15V	45mA		NPN		70 @ 15 Ma, 8V	5GHz	1.4db ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRL3715ZCS	-	RFQ	6396	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715ZCS	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IPA60R385CPXKSA1	2.8100	RFQ	3357	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R385	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			600 V	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	31W (TC)
IRL3303D1	-	RFQ	7861	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3303D1	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	68W (TC)
BDP950E6327HTSA1	-	RFQ	4940	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BDP950		5 W		PG-SOT223-4-10	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																														60 V	3 A	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 200MA, 2a	85 @ 500mA, 1V	100MHz
PTFA081501E1V4T500XWSA1	-	RFQ	7136	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000393360	EAR99	8541.29.0075	500
IPP90N06S4L04AKSA1	-	RFQ	9086	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP90N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			60 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 90a, 10v	2.2V @ 90 µA	170 NC @ 10 V	± 16V	13000 pf @ 25 V	-	150W (TC)
D3501N42TVFXPSA1	2.0000	RFQ	2731	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Do-200ae	D3501N42	Estándar			BG-D12035K-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				4200 V			100 mA @ 4200 V	160 ° C (Máximo)	4870a	-
BSS123L7874XT	-	RFQ	2008	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal			100 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	1.8V @ 50 µA	2.67 NC @ 10 V	± 20V	69 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
TZ240N36KOFS2HPSA1	-	RFQ	8416	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-	-	-	TZ240N			-		-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000492390	EAR99	8541.30.0080	3																			-										-
IRF2204LPBF	-	RFQ	4371	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			40 V	170A (TC)	10V	3.6mohm @ 130a, 10V	4V @ 250 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	5890 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF7904PBF	-	RFQ	6856	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7904	Mosfet (Óxido de metal)	1.4W, 2W		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001555718	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)					30V	7.6a, 11a		16.2mohm @ 7.6a, 10v	2.25V @ 25 µA	11NC @ 4.5V		910pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
TZ400N24KOFHPSA1	-	RFQ	9538	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TZ400N			Soltero		descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA												2.4 kV	1050 A	2.2 V	13000A @ 50Hz	250 Ma	670 A								1 SCR
IDD09SG60CXTMA1	-	RFQ	3172	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IDD09SG60	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																				600 V	2.1 v @ 9 a	0 ns	80 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	280pf @ 1V, 1 MHz
IPD90N04S304ATMA1	1.1893	RFQ	1400	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			40 V	90A (TC)	10V	3.6mohm @ 80a, 10v	4V @ 90 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 25 V	-	136W (TC)
TT570N16KOFHOSA1	-	RFQ	8913	Infineon Technologies	-	Una granela	La Última Vez Que Compre	125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	TT570N16			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar					EAR99	8541.30.0080	1				300 mA												1.6 kV	900 A	2.2 V	17000A @ 50Hz	250 Ma	600 A								2 SCRS
IDP30E120xksa1	3.2800	RFQ	330	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	IDP30E120	Estándar			PG-TO20-2-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																				1200 V	2.15 V @ 30 A	243 ns	100 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
IRFU9120NPBF	-	RFQ	2962	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal P			100 V	6.6a (TC)	10V	480mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IPD90N06S405ATMA1	-	RFQ	7398	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			60 V	90A (TC)	10V	5.1mohm @ 90a, 10v	4V @ 60 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	6500 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IRF6619TR1	1.8400	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			20 V	30A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 30a, 10V	2.45V @ 250 µA	57 NC @ 4.5 V	± 20V	5040 pf @ 10 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IPC60R600E6X1SA1	-	RFQ	4642	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo				IPC60					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000880474		0000.00.0000	1							-
Irf2807zl	-	RFQ	6644	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf2807zl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			75 V	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3270 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IPD050N03LGBTMA1	0.4157	RFQ	8831	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD050	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000254716	EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 15 V	-	68W (TC)
IRFH8318TR2PBF	-	RFQ	2816	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)			PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal			30 V	27a (TA), 120A (TC)		3.1mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 50 µA	41 NC @ 10 V		3180 pf @ 10 V	-
Auirfs8405trl	-	RFQ	8047	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirfs8405	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			40 V	120a (TC)	10V	2.3mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 100 µA	161 NC @ 10 V	± 20V	5193 pf @ 25 V	-	163W (TC)