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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF6717MTRPBF	2.9000	RFQ	24	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF6717		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal				25 V	38a (TA), 200a (TC)	4.5V, 10V	1.25mohm @ 38a, 10v	2.35V @ 150 µA	69 NC @ 4.5 V	± 20V	6750 pf @ 13 V	-	2.8W (TA), 96W (TC)
IRFH7110TR2PBF	-	RFQ	2451	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-tqfn almohadilla exposición			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal				100 V	11a (TA), 58a (TC)		13.5mohm @ 35a, 10v	4V @ 100 µA	87 NC @ 10 V		3240 pf @ 25 V	-
IRF7459	-	RFQ	7857	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7459	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal				20 V	12a (TA)	2.8V, 10V	9mohm @ 12a, 10v	2V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 12V	2480 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
Irf1310nl	-	RFQ	6659	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf1310nl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				100 V	42a (TC)	10V	36mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 160W (TC)
BFP 182 E7764	0.3800	RFQ	723	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BFP 182			250MW		PG-SOT-143-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						22dB																										12V	35mA							NPN		70 @ 10mA, 8V	8GHz	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Auirf2804strl	5.8000	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirf2804		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal				40 V	195a (TC)	10V	2mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IRF6629TRPBF	-	RFQ	2550	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal				25 V	29a (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	2.1mohm @ 29a, 10v	2.35V @ 100 µA	51 NC @ 4.5 V	± 20V	4260 pf @ 13 V	-	2.8W (TA), 100W (TC)
T940N12TOFXPSA1	-	RFQ	9688	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Do-200ab, B-PUK	T940N				Soltero		descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA													1.8 kV	1759 A	2.2 V	17500A @ 50Hz	250 Ma	959 A								1 SCR
IDD04SG60CXTMA2	3.0300	RFQ	7	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IDD04SG60		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					600 V	2.3 v @ 4 a	0 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	80pf @ 1v, 1 MHz
BSC050N03LSGATMA1	0.9400	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC050		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal				30 V	18a (TA), 80a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 50W (TC)
IRFR2407TRPBF	1.6600	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR2407		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal				75 V	42a (TC)	10V	26mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRGB15B60KDPBF	-	RFQ	5705	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRGB15	Estándar		208 W		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000					400V, 15a, 22ohm, 15V																				92 ns						Escrutinio	600 V	31 A	62 A	2.2V @ 15V, 15a	220 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado)	56 NC	34ns/184ns
BSO207PHXUMA1	-	RFQ	7104	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO207		Mosfet (Óxido de metal)	1.6w		PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)						20V	5A		45mohm @ 5.7a, 4.5V	1.2V @ 44 µA	16NC @ 4.5V		1650pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IAUC120N06S5N011ATMA1	1.4380	RFQ	3600	Infineon Technologies	Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-53	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal				60 V	310A (TJ)	7V, 10V	1.12mohm @ 60a, 10v	3.4V @ 130 µA	137 NC @ 10 V	± 20V	9822 pf @ 30 V	-	188W (TC)
Irfl024npbf	-	RFQ	8085	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.760			N-canal				55 V	2.8a (TA)	10V	75mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250 µA	18.3 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	1W (TA)
BC848BE6433	0.0300	RFQ	78	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	9,427																																30 V	100 mA						15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IPD090N03LGBTMA1	0.2532	RFQ	9759	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD090		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000236950	EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				30 V	40A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 15 V	-	42W (TC)
Ff6mr12km1hhpsA1	403.1120	RFQ	3764	Infineon Technologies	-	Banda	Activo				FF6MR12		-				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado				10															-
T640N12TOFXPSA1	153.5625	RFQ	8889	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	T640N12				Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12				300 mA													1.8 kV	1250 A	2.2 V	9400A @ 50Hz	250 Ma	644 A								1 SCR
IRF9388TRPBF	0.8800	RFQ	44	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF9388		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P				30 V	12a (TA)	10V, 20V	8.5mohm @ 12a, 20V	2.4V @ 25 µA	52 NC @ 10 V	± 25V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BCX54-10	0.0500	RFQ	4676	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA				2 W		PG-SOT89-4-2	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																																45 V	1 A						100NA (ICBO)		500mv @ 50 mA, 500 mA	25 @ 500mA, 2V	100MHz
IRL3303D1	-	RFQ	7861	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3303D1	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	68W (TC)
2SP0115T2A0FF450R17NPSA1	-	RFQ	4007	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
IRFU9120NPBF	-	RFQ	2962	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal P				100 V	6.6a (TC)	10V	480mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IRF7105PBF	-	RFQ	3708	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF71		Mosfet (Óxido de metal)	2W		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001561994	EAR99	8541.29.0095	95	Vecino del canal						25V	3.5a, 2.3a		100mohm @ 1a, 10v	3V @ 250 µA	27nc @ 10V		330pf @ 15V	-
IRF3707S	-	RFQ	5225	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3707S	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				30 V	62a (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 20V	1990 pf @ 15 V	-	87W (TC)
IPB14N03LAT	-	RFQ	8297	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB14N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000016324	EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	13.6mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	8.3 NC @ 5 V	± 20V	1043 pf @ 15 V	-	46W (TC)
IDD09SG60CXTMA1	-	RFQ	3172	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IDD09SG60		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					600 V	2.1 v @ 9 a	0 ns	80 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	280pf @ 1V, 1 MHz
IPP60R360P7XKSA1	2.1100	RFQ	6270	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R360		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				650 V	9A (TC)	10V	360mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 140 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	555 pf @ 400 V	-	41W (TC)
Irf2807zl	-	RFQ	6644	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf2807zl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				75 V	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3270 pf @ 25 V	-	170W (TC)