SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD04SG60CXTMA2 3.0300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD04SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 4 a 0 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 80pf @ 1v, 1 MHz
BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1 0.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 18a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRFR2407TRPBF Infineon Technologies IRFR2407TRPBF 1.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2407 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 26mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGB15B60KDPBF Infineon Technologies IRGB15B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRGB15 Estándar 208 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 22ohm, 15V 92 ns Escrutinio 600 V 31 A 62 A 2.2V @ 15V, 15a 220 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado) 56 NC 34ns/184ns
BSO207PHXUMA1 Infineon Technologies BSO207PHXUMA1 -
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO207 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 5A 45mohm @ 5.7a, 4.5V 1.2V @ 44 µA 16NC @ 4.5V 1650pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5N011ATMA1 1.4380
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-53 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 310A (TJ) 7V, 10V 1.12mohm @ 60a, 10v 3.4V @ 130 µA 137 NC @ 10 V ± 20V 9822 pf @ 30 V - 188W (TC)
IRFL024NPBF Infineon Technologies Irfl024npbf -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.760 N-canal 55 V 2.8a (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 1W (TA)
BC848BE6433 Infineon Technologies BC848BE6433 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 9,427 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPD090N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD090N03LGBTMA1 0.2532
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD090 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000236950 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 42W (TC)
FF6MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies Ff6mr12km1hhpsA1 403.1120
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF6MR12 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 10 -
T640N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T640N12TOFXPSA1 153.5625
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK T640N12 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 300 mA 1.8 kV 1250 A 2.2 V 9400A @ 50Hz 250 Ma 644 A 1 SCR
IRF9388TRPBF Infineon Technologies IRF9388TRPBF 0.8800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF9388 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 12a (TA) 10V, 20V 8.5mohm @ 12a, 20V 2.4V @ 25 µA 52 NC @ 10 V ± 25V 1680 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BCX54-10 Infineon Technologies BCX54-10 0.0500
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W PG-SOT89-4-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 50 mA, 500 mA 25 @ 500mA, 2V 100MHz
IRL3303D1 Infineon Technologies IRL3303D1 -
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3303D1 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 68W (TC)
2SP0115T2A0FF450R17NPSA1 Infineon Technologies 2SP0115T2A0FF450R17NPSA1 -
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1
IRFU9120NPBF Infineon Technologies IRFU9120NPBF -
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 480mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRF7105PBF Infineon Technologies IRF7105PBF -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001561994 EAR99 8541.29.0095 95 Vecino del canal 25V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 330pf @ 15V -
IRF3707S Infineon Technologies IRF3707S -
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3707S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
IPB14N03LAT Infineon Technologies IPB14N03LAT -
RFQ
 ECAD 8297 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB14N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000016324 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 8.3 NC @ 5 V ± 20V 1043 pf @ 15 V - 46W (TC)
IDD09SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD09SG60CXTMA1 -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD09SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.1 v @ 9 a 0 ns 80 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A 280pf @ 1V, 1 MHz
IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R360P7XKSA1 2.1100
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 41W (TC)
IRF2807ZL Infineon Technologies Irf2807zl -
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf2807zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 170W (TC)
IGD515EINPSA1 Infineon Technologies IGD515EINPSA1 -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1
IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R014M1HXKSA1 47.8700
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 127a (TC) 15V, 18V 18.4mohm @ 54.3a, 18V 5.2V @ 23.4MA 110 NC @ 18 V +20V, -5V 4580 NF @ 25 V - 455W (TC)
IRLR8103VTRL Infineon Technologies IRLR8103VTRL -
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 91a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 115W (TC)
IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies IRFS4615TRLPBF 2.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS4615 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IRFSL7730PBF Infineon Technologies IRFSL7730PBF -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL7730 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 195a (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 407 NC @ 10 V ± 20V 13660 pf @ 25 V - 375W (TC)
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL316CL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3981 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL316 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 1.4a, 1.5a 160mohm @ 1.4a, 10v 2V @ 3.7 µA 0.6nc @ 5V 94pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IDC10D120T6MX1SA1 Infineon Technologies IDC10D120T6MX1SA1 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Morir IDC10D120 Estándar Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000301858 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.05 v @ 15 a 3.5 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
IRF2204LPBF Infineon Technologies IRF2204LPBF -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 170A (TC) 10V 3.6mohm @ 130a, 10V 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 5890 pf @ 25 V - 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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