SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies FF200R12KE4PHOSA1 161.0875
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF200R12 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 200a 5 Ma No 14 NF @ 25 V
IQE220N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE220N15NM5ATMA1 1.4849
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 7a (TA), 44A (TC) 8V, 10V 22mohm @ 16a, 10v 4.6V @ 46 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
SPP24N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp24n60cfdhksa1 -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp24n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 21.7a (TC) 10V 185mohm @ 15.4a, 10v 5V @ 1.2MA 143 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 240W (TC)
IRFSL4610PBF Infineon Technologies IRFSL4610PBF -
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
T1960N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1960N22TOFVTXPSA1 595.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200ad T1960N22 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2.2 kV 4100 A 2.5 V 40000A @ 50Hz 300 mA 1960 A 1 SCR
BC858BWE6327HTSA1 Infineon Technologies BC858BWE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC858 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
SPI11N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPI11N65C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi11n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF3710PBF Infineon Technologies Irf3710pbf 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF3710 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF1010NSTRR Infineon Technologies IRF1010NSTRR -
RFQ
 ECAD 8315 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 85A (TC) 10V 11mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 3210 pf @ 25 V - 180W (TC)
IPB120N06N G Infineon Technologies IPB120N06N G -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 11.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 94 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 30 V - 158W (TC)
IKD15N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RAATMA1 1.5775
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IKD15N Estándar 250 W PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 15a, 15ohm, 15V 110 ns Zanja 600 V 30 A 45 A 2.1V @ 15V, 15a - 90 NC 16ns/183ns
IRF520NS Infineon Technologies Irf520ns -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 9.7a (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRGS4607DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4607DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 58 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001548314 EAR99 8541.29.0095 800 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) 9 NC 27ns/120ns
IRFL4105TR Infineon Technologies Irfl4105tr -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 3.7a (TA) 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRLR3714TRLPBF Infineon Technologies IRLR3714TRLPBF -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 4.5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
SPI80N06S2-07 Infineon Technologies SPI80N06S2-07 -
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.6mohm @ 68a, 10v 4V @ 180 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRF7314TRPBF Infineon Technologies IRF7314TRPBF 1.0800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF731 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 5.3a 58mohm @ 2.9a, 4.5V 700mv @ 250 µA 29NC @ 4.5V 780pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1 -
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSZ0909 Mosfet (Óxido de metal) 17W PG-WISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 20A (TC) 18mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 2.6nc @ 4.5V 360pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
PTFA260851E V1 Infineon Technologies PTFA260851E V1 -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA260851 2.68 GHz Ldmos H-30248-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 900 mA 85W 14dB - 28 V
BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1 -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 500 mA (TA) 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA ± 20V 400 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IDP12E120XKSA1390 Infineon Technologies IDP12E120xksa1390 -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Infineon Technologies IDP Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar PG-TO20-2 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.15 v @ 12 a 150 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 28A -
BAW56B5000 Infineon Technologies Baw56b5000 0.0200
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo Baw56 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA60R360P7SXKSA1 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 22W (TC)
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS17EP06LMXTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ISS17EP06 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 1.7ohm @ 300mA, 10V 2V @ 34 µA 1.79 NC @ 10 V ± 20V 55 pf @ 30 V - 360MW (TA)
IRFP044N Infineon Technologies Irfp044n -
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfp044n EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 20mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 25 V - 120W (TC)
TT240N36KOFHPSA1 Infineon Technologies TT240N36KOFHPSA1 524.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT240N36 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 3.6 kV 700 A 1.5 V 6100A @ 50Hz 250 Ma 446 A 2 SCRS
IPU80R2K8CEAKMA1 Infineon Technologies IPU80R2K8Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 1.9a (TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 120 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
BSO4822T Infineon Technologies BSO4822T -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.7a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12.7a, 10V 2V @ 55 µA 26.2 NC @ 5 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
T300N10TOFXPSA1 Infineon Technologies T300N10TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200AA T300N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 200 MA 1.8 kV 400 A 2 V 3800A @ 50Hz 150 Ma 303 A 1 SCR
D931SH65TXPSA1 Infineon Technologies D931SH65TXPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Do-200ad D931SH65 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 6500 V 5.6 V @ 2500 A 100 mA @ 6500 V 0 ° C ~ 140 ° C 1220a -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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