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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPD70R360P7SAUMA1	1.1800	RFQ	123	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD70		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			700 V	12.5a (TC)	10V	360mohm @ 3a, 10v	3.5V @ 150 µA	16.4 NC @ 10 V	± 16V	517 pf @ 400 V	-	59.4W (TC)
Auirfsa8409-7trl	6.9100	RFQ	85	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirfsa8409		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			40 V	523A (TC)	10V	0.69mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 250 µA	460 NC @ 10 V	± 20V	13975 pf @ 25 V	-	375W (TC)
BCR198SH6327XTSA1	0.0975	RFQ	8609	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR198			250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																													50V	100mA						-	2 PNP - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	190MHz	47 kohms	47 kohms
T860N32TOFS01XPSA1	-	RFQ	9657	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto				T860N						-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
Acesorio25697nosa1	-	RFQ	2574	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				Acesorio2						-			Alcanzar sin afectado	448-accesory25697nosa1	EAR99	8542.39.0001	1
BSZ088N03LSGATMA1	0.9500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ088		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			30 V	12a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 35W (TC)
Auirfs3004-7trl	4.0122	RFQ	4019	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirfs3004		Mosfet (Óxido de metal)			D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			40 V	240a (TC)	10V	1.25mohm @ 195a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9130 pf @ 25 V	-	380W (TC)
IPI030N10N3GHKSA1	-	RFQ	8797	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI030N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			100 V	100A (TC)	6V, 10V	3mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 275 µA	206 NC @ 10 V	± 20V	14800 pf @ 50 V	-	300W (TC)
ISK024NE2LM5AUSA1	0.4121	RFQ	1483	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-VSON-6-1	descascar	ROHS3 Cumplante			448-ANK024NE2LM5AUSA1TR			3.000			N-canal			40 V	20A (TA), 103A (TC)	4.5V, 10V	-	-		-		-	2.1W (TA), 39W (TC)
IPS65R950C6	-	RFQ	8900	Infineon Technologies	Coolmos C6 ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal			650 V	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 200 µA	15.3 NC @ 10 V	± 20V	328 pf @ 100 V	-	37W (TC)
IRG4BC20UPBF	-	RFQ	6303	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		60 W		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					480V, 6.5a, 50ohm, 15V																							-	600 V	13 A	52 A	2.1V @ 15V, 6.5a	100 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado)	27 NC	21ns/86ns
IAUC60N04S6L030HATMA1	2.5900	RFQ	8592	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IAUC60		Mosfet (Óxido de metal)	75W (TC)		PG-TDSON-8-56	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canales N (Medio Puente)					40V	60A (TJ)		3mohm @ 30a, 10v	2V @ 25 µA	35nc @ 10V		2128pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRFB23N20D	-	RFQ	8177	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFB23N20D	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			200 V	24a (TC)	10V	100mohm @ 14a, 10v	5.5V @ 250 µA	86 NC @ 10 V	± 30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 170W (TC)
IRF1405SPBF	-	RFQ	4525	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			55 V	131a (TC)	10V	5.3mohm @ 101a, 10V	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	5480 pf @ 25 V	-	200W (TC)
1SP0335V2M165NPSA1	-	RFQ	8991	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
SPU07N60S5IN	-	RFQ	2843	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
Bdp949e6327htsa1	-	RFQ	8075	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BDP949			5 W		PG-SOT223-4-10	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																													60 V	3 A						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 200MA, 2a	100 @ 500 mA, 1V	100MHz
IRF7353D1TR	-	RFQ	3267	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal			30 V	6.5a (TA)	4.5V, 10V	32mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA)
IPU50R950Ceakma1	-	RFQ	6521	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU50R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal			500 V	4.3a (TC)	13V	950mohm @ 1.2a, 13V	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 100 V	-	53W (TC)
DD260N16KHPSA1	206.3800	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD260N16		Estándar			Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																			Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	260a	1.32 V @ 800 A	30 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IRF7509TRPBF	0.8800	RFQ	137	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7509		Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	Vecino del canal					30V	2.7a, 2a		110mohm @ 1.7a, 10v	1V @ 250 µA	12NC @ 10V		210pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRFM460	-	RFQ	9238	Infineon Technologies	Hexfet®	Bolsa	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)			Mosfet (Óxido de metal)			Un 254AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Q1134250	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal			500 V	19a (TC)	10V	270mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 25 V	-	250W (TC)
1ms08017e32w31490nosa1	-	RFQ	7435	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				1ms08017						-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
IRF7457	-	RFQ	7643	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7457	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal			20 V	15a (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
Auirf7737l2tr	5.7700	RFQ	8	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L6	Auirf7737		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet l6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal			40 V	31a (TA), 156a (TC)	10V	1.9mohm @ 94a, 10v	4V @ 150 µA	134 NC @ 10 V	± 20V	5469 pf @ 25 V	-	3.3W (TA), 83W (TC)
SPD30N03S2L-20	-	RFQ	2994	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD30N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	2V @ 23 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	60W (TC)
TT251N12KOFHPSA1	-	RFQ	1503	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT251N				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA												1.2 kV	2 V	9100A @ 50Hz	200 MA	250 A							2 SCRS
Bcx6810h6327xtsa1	0.2970	RFQ	3257	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX6810			3 W		PG-SOT89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																													20 V	1 A						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 100 mm, 1a	85 @ 500mA, 1V	100MHz
TT215N20KOFHPSA1	-	RFQ	3562	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT215N20				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA												2 kV	2 V	7000A @ 50Hz	200 MA	215 A							2 SCRS
IMBG120R220M1HXTMA1	9.5900	RFQ	2450	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA	IMBG120		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)			PG-TO263-7-12	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			1200 V	13a (TC)		294mohm @ 4a, 18V	5.7V @ 1.6MA	9.4 NC @ 18 V	+18V, -15V	312 pf @ 800 V	Estándar	83W (TC)