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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de transistor	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
Irfr9024ntrl	-	RFQ	2452	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9024		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal P				55 V	11a (TC)	10V	175mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IRGS15B60KDPBF	-	RFQ	2153	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRGS15	Estándar		208 W		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001535966	EAR99	8541.29.0095	50			400V, 15a, 22ohm, 15V																	92 ns		Escrutinio	600 V	31 A	62 A	2.2V @ 15V, 15a	220 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado)	56 NC	34ns/184ns
IPB45N04S4L08ATMA1	-	RFQ	5405	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB45N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal				40 V	45a (TC)	4.5V, 10V	7.6mohm @ 45a, 10V	2.2V @ 17µA	30 NC @ 10 V	+20V, -16V	2340 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRFZ44ZSTRRPBF	1.8300	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfz44		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800	N-canal				55 V	51a (TC)	10V	13.9mohm @ 31a, 10v	4V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1420 pf @ 25 V	-	80W (TC)
IRLC120NB	-	RFQ	2086	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto	-	Montaje en superficie	Morir			Mosfet (Óxido de metal)			Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRLC120NB	Obsoleto		1	-				100 V	10A	10V	180mohm @ 10a, 10v	-		-		-	-
IQE220N15NM5ATMA1	1.4849	RFQ	6557	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	N-canal				150 V	7a (TA), 44A (TC)	8V, 10V	22mohm @ 16a, 10v	4.6V @ 46 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 75 V	-	2.5W (TA), 100W (TC)
Irf3710pbf	1.8300	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF3710		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRFSL4610PBF	-	RFQ	3326	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				100 V	73a (TC)	10V	14mohm @ 44a, 10V	4V @ 100 µA	140 NC @ 10 V	± 20V	3550 pf @ 50 V	-	190W (TC)
BFP450H6327XTSA1	0.7200	RFQ	5	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP450			450MW		PG-SOT343-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				15.5dB																			5V	100mA						NPN	60 @ 50mA, 4V	24GHz	1.25db @ 1.8Ghz
IRF8734PBF	-	RFQ	9500	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.800	N-canal				30 V	21a (TA)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 21a, 10v	2.35V @ 50 µA	30 NC @ 4.5 V	± 20V	3175 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
TT215N20KOFHPSA1	-	RFQ	3562	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT215N20				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3		300 mA													2 kV	2 V	7000A @ 50Hz	200 MA	215 A		2 SCRS
IRF1010NSTRR	-	RFQ	8315	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800	N-canal				55 V	85A (TC)	10V	11mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3210 pf @ 25 V	-	180W (TC)
IRFBA1405P	-	RFQ	1520	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 273AA			Mosfet (Óxido de metal)			Super-220 ™ (To-273AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				55 V	174a (TC)	10V	5mohm @ 101a, 10v	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	5480 pf @ 25 V	-	330W (TC)
1SP0335V2M165NPSA1	-	RFQ	8991	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
SPA06N80C3XKSA1	2.4600	RFQ	13	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa06n80		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				800 V	6a (TC)	10V	900mohm @ 3.8a, 10V	3.9V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	785 pf @ 100 V	-	39W (TC)
IPW60R105CFD7XKSA1	6.8100	RFQ	4	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R105		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30	N-canal				600 V	21a (TC)	10V	105mohm @ 9.3a, 10v	4.5V @ 470 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1752 pf @ 400 V	-	106W (TC)
IRFR5305TRL	-	RFQ	2128	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001557064	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal P				55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Irfz44vstrl	-	RFQ	8969	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800	N-canal				60 V	55A (TC)	10V	16.5mohm @ 31a, 10v	4V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1812 pf @ 25 V	-	115W (TC)
IPD80N04S3-06	-	RFQ	5255	Infineon Technologies	Optimos®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1	N-canal				40 V	90A (TC)	10V	5.2mohm @ 80a, 10v	4V @ 52 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	3250 pf @ 25 V	-	100W (TC)
BSB013NE2LXIXUMA1	1.9500	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson	BSB013		Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	N-canal				25 V	36A (TA), 163A (TC)	4.5V, 10V	1.3mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	4400 pf @ 12 V	-	2.8W (TA), 57W (TC)
IRLBA1304PPBF	-	RFQ	2320	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 273AA			Mosfet (Óxido de metal)			Super-220 ™ (To-273AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLBA1304PPBF	EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				40 V	185A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 110a, 10v	1V @ 250 µA	140 NC @ 4.5 V	± 16V	7660 pf @ 25 V	-	300W (TC)
SPP80N06S2L-09	-	RFQ	9743	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp80n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500	N-canal				55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 52a, 10v	2V @ 125 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	3480 pf @ 25 V	-	190W (TC)
Bsc014ne2lsiatma1	1.7100	RFQ	17	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC014		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	N-canal				25 V	33A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 12 V	-	2.5W (TA), 74W (TC)
Auirlu024z	-	RFQ	1320	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			I-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521312	EAR99	8541.29.0095	3.000	N-canal				55 V	16a (TC)	4.5V, 10V	58mohm @ 9.6a, 10v	3V @ 250 µA	9.9 NC @ 5 V	± 16V	380 pf @ 25 V	-	35W (TC)
IRGIB15B60KD1P	-	RFQ	5826	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		52 W		Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			400V, 15a, 22ohm, 15V																	67 ns		Escrutinio	600 V	19 A	38 A	2.2V @ 15V, 15a	127 µJ (Encendido), 334 µJ (apagado)	56 NC	30ns/173ns
IPP80N06S3-07	-	RFQ	8676	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500	N-canal				55 V	80a (TC)	10V	6.8mohm @ 51a, 10v	4V @ 80 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	7768 pf @ 25 V	-	135W (TC)
Irfiz44npbf	1.9200	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Irfiz44		Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal				55 V	31a (TC)	10V	24mohm @ 17a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IPD160N04LGBTMA1	-	RFQ	4229	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD160N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal				40 V	30A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 30a, 10v	2V @ 10 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 20 V	-	31W (TC)
IRFR9120NTRLPBF	0.9700	RFQ	14	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9120		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal P				100 V	6.6a (TC)	10V	480mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SPB42N03S2L-13	0.5600	RFQ	164	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB42N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal				30 V	42a (TC)	4.5V, 10V	12.6mohm @ 21a, 10v	2V @ 37 µA	30.5 NC @ 10 V	± 20V	1130 pf @ 25 V	-	83W (TC)