SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRLL3303TR Infineon Technologies Irll3303tr -
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 4.6a, 10V 1V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 16V 840 pf @ 25 V - 1W (TA)
IPA60R385CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R385CPXKSA1 2.8100
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R385 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 100 V - 31W (TC)
IRFH7921TR2PBF Infineon Technologies IRFH7921TR2PBF -
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Pqfn (5x6) muere individual descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 15A (TA), 34A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2.35V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
IRF7853TRPBF Infineon Technologies IRF7853TRPBF 1.4500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7853 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 8.3a (TA) 10V 18mohm @ 8.3a, 10v 4.9V @ 100 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRF6623TR1 Infineon Technologies IRF6623TR1 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001530184 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 20 V 16A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10v 2.2V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1360 pf @ 10 V - 1.4W (TA), 42W (TC)
IPLK80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R1K4P7ATMA1 1.4200
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn IPlk80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - 800 V - - - - ± 20V - -
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies IRFR1010ZTRPBF 1.6200
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR1010 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF7832Z Infineon Technologies IRF7832Z -
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554428 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 45 NC @ 4.5 V ± 20V 3860 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRLIB9343PBF Infineon Technologies IRLIB9343PBF -
RFQ
 ECAD 3249 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 55 V 14a (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 50 V - 33W (TC)
SPP24N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp24n60cfdhksa1 -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp24n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 21.7a (TC) 10V 185mohm @ 15.4a, 10v 5V @ 1.2MA 143 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 240W (TC)
BAW56B5000 Infineon Technologies Baw56b5000 0.0200
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo Baw56 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA60R360P7SXKSA1 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 22W (TC)
FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies FF200R12KE4PHOSA1 161.0875
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF200R12 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 200a 5 Ma No 14 NF @ 25 V
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies AIGW50N65F5XKSA1 8.9500
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Aigw50 Estándar 270 W PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V Zanja 650 V 150 A 2.1V @ 15V, 50A 490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado) 1018 NC 21ns/156ns
SPI11N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPI11N65C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi11n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
T1960N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1960N22TOFVTXPSA1 595.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200ad T1960N22 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2.2 kV 4100 A 2.5 V 40000A @ 50Hz 300 mA 1960 A 1 SCR
62-0063PBF Infineon Technologies 62-0063pbf -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7476 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 12 V 15a (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 12V 2550 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
BC858BWE6327HTSA1 Infineon Technologies BC858BWE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC858 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IPB120N06N G Infineon Technologies IPB120N06N G -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 11.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 94 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 30 V - 158W (TC)
IRL3302 Infineon Technologies IRL3302 -
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3302 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 31 NC @ 4.5 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 57W (TC)
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS17EP06LMXTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ISS17EP06 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 1.7ohm @ 300mA, 10V 2V @ 34 µA 1.79 NC @ 10 V ± 20V 55 pf @ 30 V - 360MW (TA)
SIDC24D30SIC3 Infineon Technologies SIDC24D30SIC3 -
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC24D Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013873 EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 300 V 1.7 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 600pf @ 1V, 1 MHz
IRLIZ44NPBF Infineon Technologies IRLIZ44NPBF -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 4V, 10V 22mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 45W (TC)
BCR 185T E6327 Infineon Technologies BCR 185T E6327 -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 185 250 MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
T640N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T640N12TOFXPSA1 153.5625
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK T640N12 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 300 mA 1.8 kV 1250 A 2.2 V 9400A @ 50Hz 250 Ma 644 A 1 SCR
BAV70UE6359HTMA1 Infineon Technologies Bav70ue6359htma1 -
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-74, SOT-457 BAV70 Estándar PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 100 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
ICA32V01X1SA1 Infineon Technologies ICA32V01X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000897496 Obsoleto 0000.00.0000 1
IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65R057M1HXKSA1 15.2400
RFQ
 ECAD 9499 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 35A (TC) 18V 74mohm @ 16.7a, 18V 5.7V @ 5MA 28 NC @ 18 V +20V, -2V 930 pf @ 400 V - 133W (TC)
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 kohms -
TDB6HK180N16RRB48BPSA1 Infineon Technologies TDB6HK180N16RRB48BPSA1 -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo TDB6HK180 515 W Estándar Ag-ECONO2B descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 Inversor trifásico con freno - 1200 V 140 A 2.2V @ 15V, 100A 1 MA No 6.3 NF @ 25 V
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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