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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRFB3507PBF	-	RFQ	3738	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		75 V	97a (TC)	10V	8.8mohm @ 58a, 10v	4V @ 100 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3540 pf @ 50 V	-	190W (TC)
Ipaw70r600cexksa1	-	RFQ	6887	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Ipaw70	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	450			N-canal		700 V	10.5a (TC)	10V	600mohm @ 1a, 10v	3.5V @ 210 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	474 pf @ 100 V	-	86W (TC)
Bsc0503nsiatma1	1.2600	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC0503	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal		30 V	22a (TA), 88a (TC)	4.5V, 10V	3mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 36W (TC)
IRF1407Strrpbf	-	RFQ	2252	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001559476	EAR99	8541.29.0095	800			N-canal		75 V	100A (TC)	10V	7.8mohm @ 78a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
Irf3711zl	-	RFQ	9758	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf3711zl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		20 V	92a (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	24 NC @ 4.5 V	± 20V	2150 pf @ 10 V	-	79W (TC)
Irf540nl	-	RFQ	4495	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf540nl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		100 V	33A (TC)	10V	44mohm @ 16A, 10V	4V @ 250 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	1960 pf @ 25 V	-	130W (TC)
PX3743DDQSM1382XUMA1	-	RFQ	3956	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				PX3743DD					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1
T4003N52TS01PRXPSA1	-	RFQ	9035	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	120 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Un 200af				Soltero		-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				100 mA											5.2 kV	5340 A	105000A @ 50Hz	4990 A										1 SCR
BCP5416E6433HTMA1	-	RFQ	6180	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BCP54		2 W		PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	4.000																													45 V	1 A	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
BAS140WE6327HTSA1	0.5400	RFQ	60	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAS140	Schottky			PG-SOD323-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																		40 V		1 V @ 40 Ma	100 ps	1 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	120 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
Bsc011n03lsatma1	1.8800	RFQ	58	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC011	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal		30 V	37a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	1.1mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	4700 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 96W (TC)
Bcr10pnh6730xtma1	-	RFQ	7777	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR10		250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000																													50V	100mA	-	1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130MHz	10 kohms	10 kohms
BCR503E6327HTSA1	0.4100	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR503		330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																													50 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	40 @ 50 mm, 5v	100 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
IRL3302	-	RFQ	6305	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3302	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		20 V	39A (TC)	4.5V, 7V	20mohm @ 23a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	31 NC @ 4.5 V	± 10V	1300 pf @ 15 V	-	57W (TC)
IRF8910TRPBF	0.9400	RFQ	11	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF89	Mosfet (Óxido de metal)	2W		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)				20V	10A		13.4mohm @ 10a, 10v	2.55V @ 250 µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
IPB019N06L3GATMA1	3.5800	RFQ	803	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB019	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		60 V	120a (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 100a, 10v	2.2V @ 196 µA	166 NC @ 4.5 V	± 20V	28000 pf @ 30 V	-	250W (TC)
BSR92PH6327XTSA1	0.5400	RFQ	6876	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSR92PH6327	Mosfet (Óxido de metal)			PG-SC59-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P		250 V	140MA (TA)	2.8V, 10V	11ohm @ 140mA, 10V	2V @ 130 µA	4.8 NC @ 10 V	± 20V	109 pf @ 25 V	-	500MW (TC)
IRD3CH24DB6	-	RFQ	9086	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Montaje en superficie	Morir	IRD3CH24	Estándar			Objeto	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537072	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																		1200 V		2.7 V @ 40 A	250 ns	10 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
IGT60R070D1ATMA4	23.5200	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN		Ganfet (Nitruro de Galio)			PG-HSOF-8-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal		600 V	31a (TC)	-	-	1.6V @ 2.6mA		-10V	380 pf @ 400 V	-	125W (TC)
BSS123 E6433	-	RFQ	8249	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000			N-canal		100 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	1.8V @ 50 µA	2.67 NC @ 10 V	± 20V	69 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
IRF7807VTR	-	RFQ	7026	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal		30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	14 NC @ 5 V	± 20V		-	2.5W (TA)
Auirfz48n	-	RFQ	9524	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Auirfz48	Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		55 V	69a (TC)	10V	14mohm @ 40a, 10v	4V @ 100 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRF1010EZSPBF	-	RFQ	1106	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		60 V	75A (TC)	10V	8.5mohm @ 51a, 10v	4V @ 100 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	2810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
BSZ0907NDXTMA2	-	RFQ	4456	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	BSZ0907	Mosfet (Óxido de metal)	700MW (TA), 860MW (TA)		PG-WISON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-BSZ0907NDXTMA2TR	EAR99	8541.21.0095	5,000	2 Canal N (Dual)				30V	6.7a (TA), 8.5a (TA)		9.5mohm @ 9a, 10v, 7.2mohm @ 9a, 10v	2V @ 250 µA	6.4nc @ 4.5V, 7.9nc @ 4.5V		730pf @ 15V, 900pf @ 15V	Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
BC 857B B5003	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 857		330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																													45 V	100 mA	15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
BAS4006WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	91	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAS4006	Schottky			PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																	1 par Ánodo Común	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma	100 ps	1 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)
IPB65R190CFDATMA2	3.8600	RFQ	3874	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R190	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 700 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
SPD04N60C3BTMA1	-	RFQ	5222	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD04N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal		650 V	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 2.8a, 10V	3.9V @ 200 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IRFR2405TRPBF	-	RFQ	5483	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR2405	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal		55 V	56a (TC)	10V	16mohm @ 34a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2430 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Si4410dy	-	RFQ	2930	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Si4410dy	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal		30 V	10a (TA)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 10a, 10v	1V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)