SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSC014N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC014N06LS5ATMA1 -
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC014 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - 60 V - - - - - - -
D8320N06TVFXPSA1 Infineon Technologies D8320N06TVFXPSA1 862.5600
RFQ
ECAD 7370 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Do-200ad D8320N06 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 795 MV @ 4000 A 100 mA @ 600 V -25 ° C ~ 150 ° C 8320A -
BCP 54-16 H6778 Infineon Technologies BCP 54-16 H6778 -
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP 54 2 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies IPD50R650CEATMA1 -
RFQ
ECAD 1869 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 6.1a (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13V 3.5V @ 150 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 342 pf @ 100 V - 69W (TC)
IPI50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R199CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
PTMA210152MV1 Infineon Technologies PTMA210152MV1 -
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 65 V Almohadilla Expunesta de 20-Soica (0.433 ", 11.00 mm) 1.8GHz ~ 2.2GHz Ldmos PG-dso-20-63 descascar EAR99 8542.33.0001 5 10 µA 160 Ma 15W 28.5db - 28 V
D3501N36TXPSA1 Infineon Technologies D3501N36TXPSA1 -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic Monte del Chasis Do-200ae D3501N36 Estándar BG-D12035K-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 mA @ 4200 V -40 ° C ~ 160 ° C 4870a -
IRFC4227EB Infineon Technologies IRFC4227EB -
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001572536 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRF7907TRPBF Infineon Technologies IRF7907TRPBF 1.2000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7907 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 9.1a, 11a 16.4mohm @ 9.1a, 10v 2.35V @ 25 µA 10NC @ 4.5V 850pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRF3707ZPBF Infineon Technologies IRF3707ZPBF -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 25 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 57W (TC)
D690S24TXPSA1 Infineon Technologies D690S24TXPSA1 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK D690S24 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2400 V 2.7 V @ 3000 A 9 µs 25 Ma @ 2400 V -40 ° C ~ 150 ° C 690a -
SPW12N50C3XK Infineon Technologies SPW12N50C3XK 0.3100
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-21 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 140 N-canal 500 V 11.6a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPW60R250CP Infineon Technologies IPW60R250CP -
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 440 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R360P7SAUMA1 1.1800
RFQ
ECAD 123 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 12.5a (TC) 10V 360mohm @ 3a, 10v 3.5V @ 150 µA 16.4 NC @ 10 V ± 16V 517 pf @ 400 V - 59.4W (TC)
BCX70GE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX70GE6327HTSA1 0.0492
RFQ
ECAD 9694 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies Auirfsa8409-7trl 6.9100
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Auirfsa8409 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 523A (TC) 10V 0.69mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 13975 pf @ 25 V - 375W (TC)
STT800N16P55XPSA1 Infineon Technologies STT800N16P55XPSA1 317.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Stt800 Controlador de 1 fase: TODOS SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.6 kV 2 V 6300A @ 50Hz 200 MA 2 SCRS
BCR198SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR198SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR198 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 190MHz 47 kohms 47 kohms
DD260N12KAHPSA1 Infineon Technologies DD260N12KAHPSA1 -
RFQ
ECAD 8606 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 260a 1.32 V @ 800 A 30 Ma @ 1200 V 150 ° C
T860N32TOFS01XPSA1 Infineon Technologies T860N32TOFS01XPSA1 -
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto T860N - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
ACCESSORY25697NOSA1 Infineon Technologies Acesorio25697nosa1 -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio2 - Alcanzar sin afectado 448-accesory25697nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
BSZ088N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ088N03LSGATMA1 0.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ088 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 12a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 35W (TC)
AUIRFS3004-7TRL Infineon Technologies Auirfs3004-7trl 4.0122
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Auirfs3004 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 240a (TC) 10V 1.25mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9130 pf @ 25 V - 380W (TC)
IPI030N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI030N10N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI030N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 275 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14800 pf @ 50 V - 300W (TC)
ISK024NE2LM5AUSA1 Infineon Technologies ISK024NE2LM5AUSA1 0.4121
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-6-1 descascar ROHS3 Cumplante 448-ANK024NE2LM5AUSA1TR 3.000 N-canal 40 V 20A (TA), 103A (TC) 4.5V, 10V - - - - 2.1W (TA), 39W (TC)
IPS65R950C6 Infineon Technologies IPS65R950C6 -
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos C6 ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 200 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 37W (TC)
IPP60R230P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R230P6XKSA1 -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 16.8a (TC) 10V 230mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 530 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 100 V - 126W (TC)
BSS123L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS123L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 1.8V @ 50 µA 2.67 NC @ 10 V ± 20V 69 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IRG4BC20UPBF Infineon Technologies IRG4BC20UPBF -
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 60 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 6.5a, 50ohm, 15V - 600 V 13 A 52 A 2.1V @ 15V, 6.5a 100 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) 27 NC 21ns/86ns
IRFR3711TRR Infineon Technologies IRFR3711TRR -
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock