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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6L030HATMA1 2.5900
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IAUC60 Mosfet (Óxido de metal) 75W (TC) PG-TDSON-8-56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canales N (Medio Puente) 40V 60A (TJ) 3mohm @ 30a, 10v 2V @ 25 µA 35nc @ 10V 2128pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFB23N20D Infineon Technologies IRFB23N20D -
RFQ
 ECAD 8177 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFB23N20D EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 24a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1960 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
GLHUELSE1626XPSA1 Infineon Technologies GLHUELSE1626XPSA1 2.1400
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - Glhuelse1626 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - -
IRF1405SPBF Infineon Technologies IRF1405SPBF -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 131a (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 5480 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF3711STRRPBF Infineon Technologies IRF3711StrrPBF -
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570162 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
1SP0335V2M165NPSA1 Infineon Technologies 1SP0335V2M165NPSA1 -
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1
SPU07N60S5IN Infineon Technologies SPU07N60S5IN -
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
BDP949E6327HTSA1 Infineon Technologies Bdp949e6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BDP949 5 W PG-SOT223-4-10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 500 mA, 1V 100MHz
AUIRFR4105TRL Infineon Technologies Auirfr4105trl -
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001515908 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 20A (TC) 45mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRF7353D1TR Infineon Technologies IRF7353D1TR -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 6.5a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
DD340N16SHPSA1 Infineon Technologies DD340N16SHPSA1 101.3700
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD340N16 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 330A 1.31 v @ 1600 a 1 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 130 ° C
IPU50R950CEAKMA1 Infineon Technologies IPU50R950Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 6521 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 V 4.3a (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13V 3.5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 20V 231 pf @ 100 V - 53W (TC)
IRF7424PBF Infineon Technologies IRF7424PBF -
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001563580 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 4030 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFP450PBF Infineon Technologies Irfp450pbf -
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP450 Mosfet (Óxido de metal) To47ac - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies IRFR5305TRLPBF 1.6300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR5305 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
DD260N16KHPSA1 Infineon Technologies DD260N16KHPSA1 206.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD260N16 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 260a 1.32 V @ 800 A 30 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IRF7509TRPBF Infineon Technologies IRF7509TRPBF 0.8800
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7509 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W Micro8 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V 2.7a, 2a 110mohm @ 1.7a, 10v 1V @ 250 µA 12NC @ 10V 210pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFM460 Infineon Technologies IRFM460 -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Mosfet (Óxido de metal) Un 254AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q1134250 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 19a (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 250W (TC)
BFR 949L3 E6327 Infineon Technologies BFR 949L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 250MW PG-TSLP-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 21.5db 10V 50mera NPN 100 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1dB ~ 2.5db @ 1ghz
BAS16E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS16E6327HTSA1 0.2900
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Estándar PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
1MS08017E32W31490NOSA1 Infineon Technologies 1ms08017e32w31490nosa1 -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 1ms08017 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
IRF7457 Infineon Technologies IRF7457 -
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7457 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 15a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 3100 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
AUIRF7737L2TR Infineon Technologies Auirf7737l2tr 5.7700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 Auirf7737 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 31a (TA), 156a (TC) 10V 1.9mohm @ 94a, 10v 4V @ 150 µA 134 NC @ 10 V ± 20V 5469 pf @ 25 V - 3.3W (TA), 83W (TC)
SPD30N03S2L-20 Infineon Technologies SPD30N03S2L-20 -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10v 2V @ 23 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 60W (TC)
TT251N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TT251N12KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT251N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1.2 kV 2 V 9100A @ 50Hz 200 MA 250 A 2 SCRS
BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies Bcx6810h6327xtsa1 0.2970
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX6810 3 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
IRFSL23N15DPBF Infineon Technologies IRFSL23N15DPBF -
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFSL23N15DPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 23a (TC) 10V 90mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 136W (TC)
IRL2505STRR Infineon Technologies IRL2505Strr -
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 104a (TC) 4V, 10V 8mohm @ 54a, 10v 2V @ 250 µA 130 NC @ 5 V ± 16V 5000 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
AUIRFN8459TR Infineon Technologies Auirfn8459tr 2.8000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Auirfn8459 Mosfet (Óxido de metal) 50W PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 40V 50A 5.9mohm @ 40a, 10V 3.9V @ 50 µA 60nc @ 10V 2250pf @ 25V -
TT215N20KOFHPSA1 Infineon Technologies TT215N20KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3562 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT215N20 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 2 kV 2 V 7000A @ 50Hz 200 MA 215 A 2 SCRS
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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