SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFZ44NLPBF Infineon Technologies Irfz44nlpbf -
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 17.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRLML6402TR Infineon Technologies IRLML6402TR -
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.7a (TA) 65mohm @ 3.7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V 633 pf @ 10 V -
IGLD60R190D1SAUMA1 Infineon Technologies IGLD60R190D1SAUMA1 8.3633
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LDFN PADS exposición Ganfet (Nitruro de Galio) PG-LSON-8-1 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 10a (TC) - - 1.6V @ 960 µA -10V 157 pf @ 400 V - 62.5W (TC)
IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IGT40R070 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 31a (TC) - - 1.6V @ 2.6mA ± 10V 382 pf @ 320 V - 125W (TC)
IRFR3707ZPBF Infineon Technologies IRFR3707ZPBF -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567546 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1150 pf @ 15 V - 50W (TC)
IRF7821GTRPBF Infineon Technologies IRF7821GTRPBF -
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R460CEAUMA1 0.5205
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-344 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 13.1a (TJ) 10V 460mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 280 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 100 V - 74W
IRFR5410TRR Infineon Technologies IRFR5410TRR -
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
SIDC03D120H6X1SA3 Infineon Technologies SIDC03D120H6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC03 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 v @ 3 a 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BC857CB5003XT Infineon Technologies BC857CB5003XT -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF7304 Infineon Technologies IRF7304 1.1000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 20V 4.3a 90mohm @ 2.2a, 4.5V 700mv @ 250 µA 22NC @ 4.5V 610pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SIPC46N60C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC46N60C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo SIPC46 - ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado SP000437298 0000.00.0000 1 -
T860N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T860N36TOFVTXPSA1 472.0275
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Apretar Un 200ac T860N36 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 500 mA 3.6 kV 2000 A 2 V 18000A @ 50Hz 250 Ma 860 A 1 SCR
PTAC260302SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTAC260302SCV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-37248-4 2.62GHz ~ 2.69GHz Ldmos H-37248-4 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001028962 EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 85 Ma 30W 15dB - 28 V
IPU105N03L G Infineon Technologies IPU105N03L G -
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU105N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 38W (TC)
SPA20N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA20N65C3XKSA1 4.3354
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa20n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.7a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10v 3.9V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 34.5W (TC)
AIMBG120R040M1XTMA1 Infineon Technologies AIMBG120R040M1XTMA1 24.0200
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA AIMBG120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 48a -
IRFH5206TRPBF Infineon Technologies IRFH5206TRPBF -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 16a (TA), 89A (TC) 10V 6.7mohm @ 50A, 10V 4V @ 100 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2490 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 100W (TC)
IRL3103STRLPBF Infineon Technologies IRL3103STRLPBF -
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 94W (TC)
IPD040N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD040N03LGBTMA1 0.4285
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD040 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000254715 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 15 V - 79W (TC)
IRFZ44VZPBF Infineon Technologies Irfz44vzpbf 1.9600
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 57a (TC) 10V 12mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 92W (TC)
IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies IHW20N120R5XKSA1 4.3900
RFQ
 ECAD 461 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ihw20n120 Estándar 288 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 20a, 10ohm, 15V - 1200 V 40 A 60 A 1.75V @ 15V, 20a 750 µJ (apaguado) 170 NC -/260ns
TD320N16SOFTIMHPSA1 Infineon Technologies TD320N16SOFTIMHPSA1 117.9833
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo TD320N16 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 150 Ma 1.6 kV 520 A 2 V 9500A @ 50Hz 150 Ma 320 A 1 scr, 1 diodo
BSO130P03SNTMA1 Infineon Technologies Bso130p03sntma1 -
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 9.2a (TA) 10V 13mohm @ 11.3a, 10v 2.2V @ 140 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 3520 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
IRFIZ24NPBF Infineon Technologies Irfiz24npbf 1.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irfiz24 Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 14a (TC) 10V 70mohm @ 7.8a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 29W (TC)
MMBT3904LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBT3904LT1HTSA1 0.3100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
BAS5202VE6127XT Infineon Technologies BAS5202VE6127XT -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAS5202 Schottky PG-SC79-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 40,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 200 Ma 10 µA @ 45 V 150 ° C (Máximo) 750 MAPA 10pf @ 10V, 1 MHz
TD140N22KOFTIMHPSA2 Infineon Technologies TD140N22KofTimHPSA2 202.6675
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 8 200 MA 2.2 kV 250 A 2 V 4000A @ 50Hz 150 Ma 159 A 1 scr, 1 diodo
BFP 182 E7764 Infineon Technologies BFP 182 E7764 0.3800
RFQ
 ECAD 723 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFP 182 250MW PG-SOT-143-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DD89N08KHPSA1 Infineon Technologies DD89N08KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Pow-R-Blok ™ Estándar Módulo Pow-R-Blok ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 800 V 89A 1.5 V @ 300 A 20 Ma @ 800 V 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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