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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7105PBF | - |  | 3708 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF71 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001561994 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 25V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 1a, 10v | 3V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 330pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7901D1TRPBF | - | | 4841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.2a | 38mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.5nc @ 5V | 780pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP3703 | - | | 3896 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP3703 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 30 V | 210A (TC) | 7V, 10V | 2.8mohm @ 76a, 10v | 4V @ 250 µA | 209 NC @ 10 V | ± 20V | 8250 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7101TRPBF | - | | 1798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF71 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.5a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 320pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7313TRPBF | 0.9300 | | 330 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF731 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.5a | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9953 | - | | 6608 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF995 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9953 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.3a | 250mohm @ 1a, 10v | 1V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 190pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7521D1TR | - | | 9132 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 V | 2.4a (TA) | 2.7V, 4.5V | 135mohm @ 1.7a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR2405TRPBF | - | | 5483 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR2405 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 56a (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2430 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF5852TR | - | | 2693 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | IRF58 | Mosfet (Óxido de metal) | 960MW | 6-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.7a | 90mohm @ 2.7a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | 400pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM300GB60DLCE3256HDLA1 | - | | 6187 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | BSM300 | - | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 10 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7389PBF | - | | 1712 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF738 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL4410 | - | | 9162 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFSL4410 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 96a (TC) | 10V | 10mohm @ 58a, 10v | 4V @ 150 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 5150 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7324D1PBF | - | | 1951 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bso207pntma1 | - | | 6280 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO207 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5.7a | 45mohm @ 5.7a, 4.5V | 1.2V @ 40 µA | 23.4nc @ 4.5V | 1013pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD09P06PL | - | | 4184 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD09P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 9.7a (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 6.8a, 10v | 2V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848CE6433HTMA1 | 0.0418 | | 6106 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3303TR | - | | 1854 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572808 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7301TRPBF | - | | 4274 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.2a | 50mohm @ 2.6a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | 660pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT 54-04 B5003 | - | | 1579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat 54 | Schottky | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7342D2PBF | - | | 6393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 55 V | 3.4a (TA) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 3.4a, 10v | 1V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfi4229pbf | 3.7800 | | 488 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfi4229 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 19a (TC) | 10V | 46mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4480 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLML2803TRPBF | 0.5400 | | 317 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML2803 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro3 ™/SOT-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.2a (TA) | 4.5V, 10V | 250MOHM @ 910MA, 10V | 1V @ 250 µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | 85 pf @ 25 V | - | 540MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7329TRPBF | 1.5600 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF732 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 9.2a | 17mohm @ 9.2a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 57NC @ 4.5V | 3450pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7101PBF | - | | 8716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF71 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001559728 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.5a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 320pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7341PBF | - | | 7535 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | 2 Canal N (Dual) | 55V | 4.7a | 50mohm @ 4.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 36nc @ 10V | 740pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847SH6327XTSA1 | 0.4000 | | 259 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf5851tr | - | | 5771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | IRF58 | Mosfet (Óxido de metal) | 960MW | 6-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.7a, 2.2a | 90mohm @ 2.7a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | 400pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLML6302TR | - | | 4985 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro3 ™/SOT-23 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 780MA (TA) | 600mohm @ 610 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 3.6 NC @ 4.45 V | 97 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp10n10 | - | | 9858 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp10n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 10.3a (TC) | 10V | 170mohm @ 7.8a, 10v | 4V @ 21 µA | 19.4 NC @ 10 V | ± 20V | 426 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT700N22KOFHPSA1 | 500.4100 | | 7783 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 135 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TT700N | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2.2 kV | 1050 A | 2.2 V | 20400A @ 50Hz | 250 Ma | 700 A | 2 SCRS |
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