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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Calificación	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
BCR 151T E6327	-	RFQ	5651	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BCR 151				250 MW		PG-SC75-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50 V	50 Ma							100NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	300mV @ 250 µA, 5 mA	70 @ 5MA, 5V	120 MHz	100 kohms	100 kohms
IRF7458TRPBF	1.7000	RFQ	12	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7458			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	14a (TA)	10V, 16V	8mohm @ 14a, 16V	4V @ 250 µA	59 NC @ 10 V	± 30V	2410 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRGIB4640DPBF	-	RFQ	5094	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar			250 W		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001536328	EAR99	8541.29.0095	50					400V, 24a, 10ohm, 15V																			89 ns					Escrutinio	600 V	65 A	72 A	1.9V @ 15V, 24a	115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado)	75 NC	41ns/104ns
IPA90R500C3XKSA1	-	RFQ	8740	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA90R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal						900 V	11a (TC)	10V	500mohm @ 6.6a, 10V	3.5V @ 740 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 100 V	-	34W (TC)
IPB45P03P4L11ATMA1	0.9150	RFQ	4175	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB45P03			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P						30 V	45a (TC)	4.5V, 10V	10.8mohm @ 45a, 10v	2V @ 85 µA	55 NC @ 10 V	+5V, -16V	3770 pf @ 25 V	-	58W (TC)
BCR523ue6327	0.1400	RFQ	7078	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BCR523				330MW		PG-SC74-6-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1.550																														50V	500mA							100NA (ICBO)			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	70 @ 5MA, 5V	100MHz	1 kohms	10 kohms
BAT5402VH6327XTSA1	0.5300	RFQ	141	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BAT5402			Schottky			PG-SC79-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																			30 V		800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
IRL1004Strl	-	RFQ	1336	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL1004			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						40 V	130A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 78a, 10v	1V @ 250 µA	100 NC @ 4.5 V	± 16V	5330 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
FZ2400R17HE4B9HOSA2	1.0000	RFQ	5202	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FZ2400				15500 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único																												-	1700 V	2400 A		2.3V @ 15V, 2400A					5 Ma	No	195 NF @ 25 V
BCX 56-10 E6327	-	RFQ	3140	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX 56				2 W		PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																														80 V	1 A							100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
SIDC42D170E6X1SA2	-	RFQ	5217	Infineon Technologies	-	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	Morir	SIDC42D			Estándar			Aserrado en papel	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																			1700 V		2.15 V @ 50 A		27 µA @ 1700 V	-40 ° C ~ 150 ° C	50A	-
PTFA260851F V1 R250	-	RFQ	6987	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera	PTFA260851		2.68 GHz	Ldmos			H-31248-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250				10 µA		900 mA	85W	14dB											-																		28 V
IRF3707S	-	RFQ	5225	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3707S	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						30 V	62a (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 20V	1990 pf @ 15 V	-	87W (TC)
IPB80N06S209ATMA2	3.0100	RFQ	532	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						55 V	80a (TC)	10V	8.8mohm @ 50a, 10v	4V @ 125 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	2360 pf @ 25 V	-	190W (TC)
IRF7946TR1PBF	-	RFQ	9395	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						40 V	90A (TC)	6V, 10V	1.4mohm @ 90a, 10v	3.9V @ 150 µA	212 NC @ 10 V	± 20V	6852 pf @ 25 V	-	96W (TC)
Bso303pntma1	-	RFQ	2913	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO303			Mosfet (Óxido de metal)	2W		PG-dso-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)								30V	8.2a		21mohm @ 8.2a, 10v	2V @ 100 µA	72.5nc @ 10V		1761pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Auirlz44zstrl	-	RFQ	5415	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	-				-			-	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520372	EAR99	8541.29.0095	800			-							51a (TC)	4.5V, 10V	-	-		± 16V		-	-
IRL3103D2S	-	RFQ	8880	Infineon Technologies	Fetky ™	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						30 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 32a, 10v	-	44 NC @ 4.5 V	± 16V	2300 pf @ 25 V	-	-
BC849CWH6327XTSA1	0.0534	RFQ	5352	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC849				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														30 V	100 mA							15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	250MHz
Irfz34ns	-	RFQ	6280	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz34ns	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						55 V	29a (TC)	10V	40mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
DD260N18KKHPSA1	-	RFQ	2067	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Módulo				Estándar			Módulo	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																		Conexión de la Serie de 1 par	1800 V	260a	1.32 V @ 800 A		30 mA @ 1800 V	150 ° C
IRL5602Strl	-	RFQ	9611	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal P						20 V	24a (TC)	2.5V, 4.5V	42mohm @ 12a, 4.5V	1V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 8V	1460 pf @ 15 V	-	75W (TC)
64-6006pbf	-	RFQ	4093	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP4242			Mosfet (Óxido de metal)			To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25			N-canal						300 V	46a (TC)	10V	59mohm @ 33a, 10v	5V @ 250 µA	247 NC @ 10 V	± 30V	7370 pf @ 25 V	-	430W (TC)
SDD04S60	-	RFQ	5537	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sdd04s			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																			600 V		1.9 v @ 4 a	0 ns	200 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	150pf @ 0V, 1 MHz
IRF3707SPBF	-	RFQ	3958	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						30 V	62a (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 20V	1990 pf @ 15 V	-	87W (TC)
IDW50E60FKSA1	3.0800	RFQ	2845	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	IDW50E60			Estándar			PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	240		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																			600 V		2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	80A	-
BCR108SH6327XTSA1	0.0975	RFQ	3154	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108				250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50V	100mA							-			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2 kohms	47 kohms
IRFH5020TR2PBF	-	RFQ	1797	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8Powervdfn				Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal						200 V	5.1a (TA)		55mohm @ 7.5a, 10V	5V @ 150 µA	54 NC @ 10 V		2290 pf @ 100 V	-
IPS60R460Ceakma1	-	RFQ	9811	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPS60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal						600 V	13.1a (TJ)	10V	460mohm @ 3.4a, 10V	3.5V @ 280 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 100 V	-	102W (TC)
Irfz44e	-	RFQ	9337	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz44e	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						60 V	48a (TC)	10V	23mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	110W (TC)