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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFS59N10DTRLP Infineon Technologies IRFS59N10DTRLP -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557452 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 59A (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5.5V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 1.3200
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 43W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 100V 20A 35mohm @ 17a, 10v 2.1V @ 16 µA 17.4nc @ 10V 1105pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BCX6810E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6810E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX68 3 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
SPU07N60S5IN Infineon Technologies SPU07N60S5IN -
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R220M1HXTMA1 9.5900
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA IMBG120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 13a (TC) 294mohm @ 4a, 18V 5.7V @ 1.6MA 9.4 NC @ 18 V +18V, -15V 312 pf @ 800 V Estándar 83W (TC)
BCX6916H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6916H6327XTSA1 0.3105
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX6916 3 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 1V 100MHz
IPP80N07S405AKSA1 Infineon Technologies IPP80N07S405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo IPP80N07 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000987480 EAR99 8541.29.0095 500 80a (TC)
IRFI4212H-117P Infineon Technologies IRFI4212H-117P -
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-5 paquete completo Irfi4212 Mosfet (Óxido de metal) 18W Un entero de 220-5 pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2 Canal N (Dual) 100V 11A 72.5mohm @ 6.6a, 10v 5V @ 250 µA 18NC @ 10V 490pf @ 50V -
IPD10N03LA Infineon Technologies IPD10N03LA -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD10N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
IRF4905SPBF Infineon Technologies IRF4905SPBF -
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 55 V 42a (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 25 V - 170W (TC)
IPB60R380P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R380P6ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 4.5V @ 320 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 877 pf @ 100 V - 83W (TC)
IRFU5305PBF Infineon Technologies IRFU5305PBF 1.3300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU5305 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRF7842PBF Infineon Technologies IRF7842PBF -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 40 V 18a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 2.25V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4500 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPD053N08N3GATMA1 2.6800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD053 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 90A (TC) 6V, 10V 5.3mohm @ 90a, 10v 3.5V @ 90 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 4750 pf @ 40 V - 150W (TC)
IPI80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPI80N04S303AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 120 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 188W (TC)
BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies Bcx6810h6327xtsa1 0.2970
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX6810 3 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
BFR 949L3 E6327 Infineon Technologies BFR 949L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 250MW PG-TSLP-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 21.5db 10V 50mera NPN 100 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1dB ~ 2.5db @ 1ghz
IRFP450PBF Infineon Technologies Irfp450pbf -
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP450 Mosfet (Óxido de metal) To47ac - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 190W (TC)
DD241S12KKHPSA1 Infineon Technologies DD241S12KKHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 261a 1.55 V @ 800 A 200 mA @ 1200 V 150 ° C
BSO303PNTMA1 Infineon Technologies Bso303pntma1 -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO303 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 8.2a 21mohm @ 8.2a, 10v 2V @ 100 µA 72.5nc @ 10V 1761pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
AUIRLZ44ZSTRL Infineon Technologies Auirlz44zstrl -
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie - - - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520372 EAR99 8541.29.0095 800 - 51a (TC) 4.5V, 10V - - ± 16V - -
IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW95R310PFD7XKSA1 3.4500
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 17.5a (TC) 10V 310mohm @ 10.4a, 10v 3.5V @ 520 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1765 pf @ 400 V - 125W (TC)
TT162N16KOFAHPSA1 Infineon Technologies Tt162n16kofahpsa1 -
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT162N16 Cátodo Común: Todos SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 8 200 MA 1.6 kV 2 V 5200A @ 50Hz 150 Ma 162 A 2 SCRS
IRLU3802PBF Infineon Technologies IRLU3802PBF -
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 12 V 84a (TC) 2.8V, 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 41 NC @ 5 V ± 12V 2490 pf @ 6 V - 88W (TC)
BUZ111SL-E3045A Infineon Technologies BUZ111SL-E3045A 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 50 V 80A - - - - 300W
IPI320N203G Infineon Technologies IPI320N203G 1.7300
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 34a (TC) 10V 32mohm @ 34a, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
BSC079N03SG Infineon Technologies BSC079N03SG 0.9700
RFQ
 ECAD 648 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 14.6a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 40a, 10v 2V @ 30 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
IRFSL7787PBF Infineon Technologies IRFSL7787PBF -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL7787 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 76a (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10v 3.7V @ 100 µA 109 NC @ 10 V ± 20V 4020 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPP65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R420CFDXKSA2 2.4600
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R420 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
IRF7105TRPBF Infineon Technologies IRF7105TRPBF 0.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 25V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 330pf @ 15V -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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