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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRL8113PBF	-	RFQ	7677	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							30 V	105A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V	2840 pf @ 15 V	-	110W (TC)
Bfp196wh6327xtsa1	0.3900	RFQ	54	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP196				700MW		PG-SOT343-4-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000									12.5db ~ 19db																										12V	150 Ma								NPN		70 @ 50mA, 8V	7.5 GHz	1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
TD570N16KOFHPSA2	310.6700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TD570N16					Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA															1.6 kV	900 A	2.2 V	17000A @ 50Hz	250 Ma	600 A								1 scr, 1 diodo
IPZA60R180P7XKSA1	5.1900	RFQ	3587	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IPZA60			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240			N-canal							600 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10v	4V @ 280 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1081 pf @ 400 V	-	72W (TC)
ND242S10KHPSA1	-	RFQ	1160	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto			Monte del Chasis	Módulo	ND242S			Estándar			BG-PB50ND-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									1000 V		200 mA @ 1000 V	-40 ° C ~ 135 ° C	261a	-
T345N18EOFXPSA1	-	RFQ	7690	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-	Montaje de Tornillo	Sin Estándar	T345N					-		descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1																							8000A @ 50Hz										1 SCR
PTFA192401FV4R250XTMA1	-	RFQ	4442	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA192401		1.96 GHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250				10 µA			1.6 A	50W	16dB																	-																30 V
IRFB5615PBF	2.1200	RFQ	633	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB5615			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100			N-canal							150 V	35A (TC)	10V	39mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
IRF6607	-	RFQ	8172	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico Mt				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mt	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal							30 V	27a (TA), 94A (TC)	4.5V, 7V	3.3mohm @ 25A, 10V	2V @ 250 µA	75 NC @ 4.5 V	± 12V	6930 pf @ 15 V	-	3.6W (TA), 42W (TC)
SPN02N60C3	-	RFQ	6356	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	SPN02N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							650 V	400 mA (TA)	10V	2.5ohm @ 1.1a, 10V	3.9V @ 80 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
BC 857B B5003	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 857				330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																			45 V	100 mA							15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
IRG4IBC30WPBF	-	RFQ	1206	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar			45 W		Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000						480V, 12a, 23ohm, 15V																												-	600 V	17 A	92 A	2.7V @ 15V, 12A	130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado)	51 NC	25ns/99ns
Irfz44estrl	-	RFQ	9649	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001552444	EAR99	8541.29.0095	800			N-canal							60 V	48a (TC)	10V	23mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRFZ34NSTRPBF	-	RFQ	9259	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001571834	EAR99	8541.29.0095	800			N-canal							55 V	29a (TC)	10V	40mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
D1050N14TXPSA1	-	RFQ	5518	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto			Apretar	Do-200ab, B-PUK	D1050N			Estándar			-	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									1400 V	1 V @ 1000 A	60 mA @ 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	1050A	-
IDV06S60C	2.2300	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo												descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
SIDC23D60E6X1SA1	-	RFQ	5990	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	Morir	SIDC23D			Estándar			Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									600 V	1.25 V @ 50 A	27 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
BSL316CL6327HTSA1	-	RFQ	3981	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL316			Mosfet (Óxido de metal)	500MW		PG-TSOP6-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal									30V	1.4a, 1.5a		160mohm @ 1.4a, 10v	2V @ 3.7 µA	0.6nc @ 5V		94pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
MMBTA06LT1HTSA1	0.0590	RFQ	6139	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mmbta06				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																			80 V	500 mA							100na	NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	100 @ 100 maja, 1v	100MHz
BCW61AE6327HTSA1	0.0529	RFQ	1566	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCW61				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																			32 V	100 mA							20NA (ICBO)	PNP	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	120 @ 2mA, 5V	250MHz
BC858BWH6327XTSA1	0.0558	RFQ	9287	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC858				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																			30 V	100 mA							15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
BFN 19 E6327	-	RFQ	5711	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BFN 19				1 W		PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																																			300 V	200 MA							100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 2 mm, 20 mm	30 @ 30mA, 10V	100MHz
IAUC64N08S5L075ATMA1	0.8108	RFQ	6642	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-33	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal							80 V	64a (TJ)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 32a, 10v	2V @ 30 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	2106 pf @ 40 V	-	75W (TC)
IRFB3207PBF	2.9100	RFQ	3275	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB3207			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100			N-canal							75 V	170A (TC)	10V	4.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	7600 pf @ 50 V	-	330W (TC)
ICA22V11X1SA1	-	RFQ	3049	Infineon Technologies	*	Una granela	Obsoleto												descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001083682	Obsoleto	0000.00.0000	1
IRF1104S	-	RFQ	8096	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							40 V	100A (TC)	10V	9mohm @ 60a, 10v	4V @ 250 µA	93 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 170W (TC)
IRF7478TRPBF	-	RFQ	6625	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal							60 V	7a (TA)	4.5V, 10V	26mohm @ 4.2a, 10V	3V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	1740 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRLR8259TRPBF	1.0000	RFQ	679	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR8259			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal							25 V	57a (TC)	4.5V, 10V	8.7mohm @ 21a, 10v	2.35V @ 25 µA	10 NC @ 4.5 V	± 20V	900 pf @ 13 V	-	48W (TC)
SIPC26N80C3X1SA3	-	RFQ	6156	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic												-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado				5,000
IPSA70R1K4P7SAKMA1	0.3108	RFQ	2030	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPSA70			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal							700 V	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 700 mA, 10V	3.5V @ 40 µA	4.7 NC @ 400 V	± 16V	158 pf @ 400 V	-	22.7W (TC)