SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ICA32V11X1SA1 Infineon Technologies ICA32V11X1SA1 -
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001141254 Obsoleto 0000.00.0000 1
BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1 0.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 18a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRL2203NL Infineon Technologies IRL2203NL -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL2203NL EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 180W (TC)
BC 856BW E6433 Infineon Technologies BC 856BW E6433 -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC 856 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
DD180N16SHPSA1 Infineon Technologies DD180N16SHPSA1 56.9600
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD180N16 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 192a 1.39 V @ 500 A 1 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 125 ° C
SPP73N03S2L-08 Infineon Technologies SPP73N03S2L-08 0.5500
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Infineon Technologies Optimos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 105 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 36a, 10v 2V @ 55 µA 46.2 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 107W (TC)
PZTA14H6327XTSA1 Infineon Technologies PZTA14H6327XTSA1 0.3091
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.5 W PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
IRLMS2002 Infineon Technologies IRLMS2002 -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie Sot-23-6 Irlms200 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (SOT23-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 6.5a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 2W (TA)
AUIRFS3107TRL Infineon Technologies Auirfs3107trl 6.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs3107 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 195a (TC) 10V 3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9370 pf @ 50 V - 370W (TC)
BC857B Infineon Technologies BC857B 0.0200
RFQ
 ECAD 829 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
BCR 183L3 E6327 Infineon Technologies BCR 183L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 183 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
IRLL2705TRPBF Infineon Technologies Irll2705trpbf 1.2000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irll2705 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 3.8a (TA) 4V, 10V 40mohm @ 3.8a, 10v 2V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 1W (TA)
SDT12S60 Infineon Technologies SDT12S60 -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sdt12s Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 1.7 V @ 12 A 0 ns 400 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 450pf @ 1V, 1 MHz
IRF7240PBF Infineon Technologies IRF7240PBF -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554144 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 40 V 10.5a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10.5a, 10v 3V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 9250 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
T460N24TOFXPSA1 Infineon Technologies T460N24TOFXPSA1 208.0933
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Apretar Do-200ab, B-PUK T460N24 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 200 MA 2.6 kV 1000 A 1.5 V 10000A @ 50Hz 250 Ma 460 A 1 SCR
IRFR3711TRRPBF Infineon Technologies IRFR3711TRPBF -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRFI9530N Infineon Technologies Irfi9530n -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) To20ab pak pak completo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 7.7a (TA) 300mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V 860 pf @ 25 V - -
BAS16SE6327BTSA1 Infineon Technologies BAS16SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 Estándar PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo)
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1 1.6200
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 54W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A 8.2mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 22 µA 39NC @ 10V 3050pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R190C6XKSA1 3.7100
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 3.5V @ 630 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPI80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies IPI80N03S4L03AKSA1 -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 90 µA 140 NC @ 10 V ± 16V 9750 pf @ 25 V - 136W (TC)
AUIRLU024Z Infineon Technologies Auirlu024z -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521312 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 16a (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10v 3V @ 250 µA 9.9 NC @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 35W (TC)
BAT6202VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6202VH6327XTSA1 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAT6202 Schottky PG-SC79-2-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 2 Ma 10 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 20 Ma 0.6pf @ 0V, 1MHz
IRFU3704ZPBF Infineon Technologies IRFU3704ZPBF -
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 60A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1190 pf @ 10 V - 48W (TC)
BCR 149F E6327 Infineon Technologies BCR 149F E6327 -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie Sot-723 BCR 149 250 MW PG-TSFP-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 47 kohms
IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies IMW120R045M1XKSA1 22.5200
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 52a (TC) 15V 59mohm @ 20a, 15V 5.7V @ 10mA 52 NC @ 15 V +20V, -10V 1900 pf @ 800 V - 228W (TC)
BCV49H6327XTSA1 Infineon Technologies BCV49H6327XTSA1 0.2875
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCV49 1 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 150MHz
IRFB4615PBF Infineon Technologies IRFB4615PBF 2.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4615 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 150 V 35A (TC) 10V 39mohm @ 21a, 10v 5V @ 100 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CPAUMA1 1.7251
RFQ
 ECAD 3077 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R299 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 11.1a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10v 3.5V @ 440 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 96W (TC)
SIDC53D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC53D120H8X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir Sidc53d Estándar Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000527634 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.97 V @ 100 A 27 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 100A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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