SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies Sgb20n60atma1 -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgb20n Estándar 179 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 16ohm, 15V Escrutinio 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20a 440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado) 100 NC 36NS/225NS
BSP135L6433 Infineon Technologies BSP135L6433 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 1V @ 94 µA 4.9 NC @ 5 V ± 20V 146 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
IDD05SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD05SG60CXTMA1 -
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD05SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 110pf @ 1V, 1 MHz
IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 3.9a (TC) 10V 1.4ohm @ 2.3a, 10v 3.9V @ 240 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 100 V - 63W (TC)
BCR166B6327HTLA1 Infineon Technologies BCR166B6327HTLA1 -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 47 kohms
IDK02G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK02G65C5XTMA1 -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IDK02G65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.8 V @ 2 A 0 ns 330 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 70pf @ 1V, 1 MHz
BC848BE6327 Infineon Technologies BC848BE6327 -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 9,427 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRL3803VPBF Infineon Technologies IRL3803VPBF -
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 140A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 71a, 10v 1V @ 250 µA 76 NC @ 4.5 V ± 16V 3720 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 16A (TA), 42A (TC) 7.1mohm @ 16a, 10v 2.35V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V 1510 pf @ 15 V -
IDH12SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH12SG60CXKSA1 -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 IDH12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.1 v @ 12 a 0 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 310pf @ 1V, 1 MHz
IRFZ46NL Infineon Technologies Irfz46nl -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz46nl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW40G65C5BXKSA2 19.9300
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDW40G65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 20 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 590pf @ 1V, 1 MHz
SPD08N05L Infineon Technologies SPD08N05L -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 500
BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Bcr35pnh6327xtsa1 0.4600
RFQ
 ECAD 5627 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 10 kohms 47 kohms
IRF7459PBF Infineon Technologies IRF7459PBF -
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001572154 EAR99 8541.29.0095 4,085 N-canal 20 V 12a (TA) 2.8V, 10V 9mohm @ 12a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2480 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IRG4RC10SPBF Infineon Technologies IRG4RC10SPBF -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRG4RC10SPBF Estándar 38 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001537126 EAR99 8541.29.0095 75 480V, 8a, 100ohm, 15V - 600 V 14 A 18 A 1.8v @ 15V, 8a 140 µJ (Encendido), 2.58MJ (apaguado) 15 NC 25ns/630ns
IRFU3706-701PBF Infineon Technologies IRFU3706-701PBF -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRG4RC10SDPBF Infineon Technologies IRG4RC10SDPBF -
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRG4RC10SDPBF Estándar 38 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 480V, 8a, 100ohm, 15V 28 ns - 600 V 14 A 18 A 1.8v @ 15V, 8a 310 µJ (Encendido), 3.28mj (apagado) 15 NC 76ns/815ns
IRG4BC20KDSTRRP Infineon Technologies IRG4BC20KDSTRRP -
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC20 Estándar 60 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 9a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 16 A 32 A 2.8V @ 15V, 9a 340 µJ (Encendido), 300 µJ (apagado) 34 NC 54ns/180ns
IRG4BC30KDSTRRP Infineon Technologies IRG4BC30KDSTRRP -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC30 Estándar 100 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480v, 16a, 23ohm, 15V 42 ns - 600 V 28 A 56 A 2.7V @ 15V, 16A 600 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado) 67 NC 60ns/160ns
IRFR3706CTRRPBF Infineon Technologies IRFR3706CTRRPBF -
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRFR18N15DTRRP Infineon Technologies IRFR18N15DTRRP -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566908 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 18a (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10v 5.5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGSL30B60KPBF Infineon Technologies IRGSL30B60KPBF -
RFQ
 ECAD 7289 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Estándar 370 W Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001541980 EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30a, 10ohm, 15V Escrutinio 600 V 78 A 120 A 2.35V @ 15V, 30a 350 µJ (Encendido), 825 µJ (apagado) 102 NC 46ns/185ns
IRGB4059DPBF Infineon Technologies IRGB4059DPBF -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 56 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100OHM, 15V 55 ns Zanja 600 V 8 A 16 A 2.05V @ 15V, 4A 35 µJ (Encendido), 75 µJ (apaguado) 9 NC 25ns/65ns
IRFB4019PBF Infineon Technologies IRFB4019PBF 2.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4019 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 17a (TC) 10V 95mohm @ 10a, 10v 4.9V @ 50 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 50 V - 80W (TC)
IRF2804LPBF Infineon Technologies IRF2804LPBF 1.6624
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF2804 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 75A (TC) 2.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V 6450 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRGB4060DPBF Infineon Technologies IRGB4060DPBF -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 99 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001533960 EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 8a, 47ohm, 15V 60 ns Zanja 600 V 16 A 32 A 1.85V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) 19 NC 30ns/95ns
IRG4BC30W-STRLP Infineon Technologies IRG4BC30W-STRLP -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC30 Estándar 100 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.7V @ 15V, 12A 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 51 NC 25ns/99ns
IRFSL33N15DTRRP Infineon Technologies IRFSL33N15DTRP -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 56mohm @ 20a, 10v 5.5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 2020 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF3205ZSTRLPBF 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF3205 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3450 pf @ 25 V - 170W (TC)
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