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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
D3900U45X172XPSA1	3.0000	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo										-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1
IRLML2402TRPBF	0.4800	RFQ	173	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	IRLML2402	Mosfet (Óxido de metal)				Micro3 ™/SOT-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal		20 V	1.2a (TA)	2.7V, 4.5V	250MOHM @ 930MA, 4.5V	700mV @ 250 µA (min)	3.9 NC @ 4.5 V	± 12V	110 pf @ 15 V	-	540MW (TA)
IPD65R250C6XTMA1	-	RFQ	2344	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD65R	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		650 V	16.1a (TC)	10V	250mohm @ 4.4a, 10V	3.5V @ 400 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	208.3W (TC)
IPD06P003NATMA1	-	RFQ	8840	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD06P	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001657000	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P		60 V	22a (TC)	10V	65mohm @ 22a, 10v	4V @ 1.04mA	39 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 30 V	-	83W (TC)
Auirf7313q	-	RFQ	3608	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	AuIRF7313	Mosfet (Óxido de metal)	2.4w			8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522556	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)			30V	6.9a		29mohm @ 6.9a, 10v	3V @ 250 µA	33NC @ 10V		755pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRL3715ZSTRLPBF	-	RFQ	5588	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IPW65R420CFDFKSA2	4.7800	RFQ	2229	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R420	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240		N-canal		650 V	8.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
IPB50N10S3L16ATMA1	2.4200	RFQ	4701	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB50N10	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		100 V	50A (TC)	4.5V, 10V	15.4mohm @ 50a, 10v	2.4V @ 60 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	4180 pf @ 25 V	-	100W (TC)
IRFI7536GPBF	-	RFQ	6732	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)				Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal		60 V	86a (TC)	10V	3.4mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	195 NC @ 10 V	± 20V	6600 pf @ 48 V	-	75W (TC)
IRLHM620TR2PBF	-	RFQ	9524	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 vqfn		Mosfet (Óxido de metal)				PQFN (3x3)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal		20 V	26a (TA), 40a (TC)		2.5mohm @ 20a, 4.5V	1.1V @ 50 µA	78 NC @ 4.5 V		3620 pf @ 10 V	-
Auirf3710zstrl	2.3273	RFQ	8178	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirf3710	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519476	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		100 V	59A (TC)	10V	18mohm @ 35a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IPB14N03LA	-	RFQ	2389	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB14N	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	13.6mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	8.3 NC @ 5 V	± 20V	1043 pf @ 15 V	-	46W (TC)
IPP096N03L G	-	RFQ	9768	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP096N	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		30 V	35A (TC)	4.5V, 10V	9.6mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 15 V	-	42W (TC)
IPG20N06S415ATMA1	-	RFQ	8826	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IPG20N	Mosfet (Óxido de metal)	50W			PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)			60V	20A		15.5mohm @ 17a, 10v	4V @ 20 µA	29NC @ 10V		2260pf @ 25V	-
IPC65R070C6X1SA1	-	RFQ	6750	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo				IPC65						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000907634		0000.00.0000	1					-
TD140N22KOFHPSA1	-	RFQ	9414	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TD140N22			Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8			200 MA											2.2 kV	250 A	2 V	4000A @ 50Hz	150 Ma	159 A	1 scr, 1 diodo
DF23MR12W1M1B67BPSA1	-	RFQ	5829	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				DF23MR12	-					-					Obsoleto		1												-
BSR92PL6327HTSA1	-	RFQ	3207	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSR92	Mosfet (Óxido de metal)				PG-SC59-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P		250 V	140MA (TA)	2.8V, 10V	11ohm @ 140mA, 10V	1V @ 130 µA	4.8 NC @ 10 V	± 20V	109 pf @ 25 V	-	500MW (TA)
IPD50N06S2-14	-	RFQ	6575	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar					EAR99	8542.39.0001	127		N-canal		55 V	50A (TC)	10V	14.4mohm @ 32a, 10v	4V @ 80 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	1485 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRF6674TR1PBF	-	RFQ	1678	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MZ		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mz	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		60 V	13.4a (TA), 67a (TC)	10V	11mohm @ 13.4a, 10v	4.9V @ 100 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	3.6W (TA), 89W (TC)
IRF3205Strr	-	RFQ	9591	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		55 V	110A (TC)	10V	8mohm @ 62a, 10v	4V @ 250 µA	146 NC @ 10 V	± 20V	3247 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IPP80P03P4L04AKSA1	3.1200	RFQ	2959	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80P03	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P		30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 80a, 10v	2V @ 253 µA	160 NC @ 10 V	+5V, -16V	11300 pf @ 25 V	-	137W (TC)
SPP03N60C3XKSA1	-	RFQ	3151	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp03n	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	3.9V @ 135 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IPW60R060C7XKSA1	10.8500	RFQ	240	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R060	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001385020	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		600 V	35A (TC)	10V	60mohm @ 15.9a, 10v	4V @ 800 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2850 pf @ 400 V	-	162W (TC)
SPI80N03S2L-04	-	RFQ	4224	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 80a, 10v	2V @ 130 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	188W (TC)
FZ1000R33HE3BPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FZ1000				Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	Interruptor Único																				Parada de Campo de Trinchera	3300 V	1000 A	3.1V @ 15V, 100A	5 Ma	No	190 NF @ 25 V
IRFR13N20DCTRRP	-	RFQ	3574	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPC90N04S53R6ATMA1	1.3100	RFQ	7065	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IPC90N04	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		40 V	90A (TC)	7V, 10V	3.6mohm @ 45a, 10V	3.4V @ 23 µA	32.6 NC @ 10 V	± 20V	1950 pf @ 25 V	-	63W (TC)
IRFR2607ZPBF	-	RFQ	2792	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567472	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		75 V	42a (TC)	10V	22mohm @ 30a, 10v	4V @ 50 µA	51 NC @ 10 V	± 20V	1440 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPD12CN10NGATMA1	2.5000	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD12CN10	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		100 V	67a (TC)	10V	12.4mohm @ 67a, 10v	4V @ 83 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	4320 pf @ 50 V	-	125W (TC)