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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IKZA75N65RH5XKSA1	13.8200	RFQ	84	Infineon Technologies	Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Ikza75	Estándar			395 W			PG-TO247-4-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 37.5a, 9ohm, 15V																						Parada de Campo de Trinchera	650 V	80 A	300 A	2.1V @ 15V, 75a	310 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado)	168 NC	25ns/180ns
Bsc005n03ls5iatma1	2.8300	RFQ	313	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn				Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal							30 V	42a (TA), 433A (TC)	4.5V, 10V	0.55mohm @ 50A, 10V	2V @ 10mA	128 NC @ 10 V	± 20V	8000 pf @ 15 V	-	3W (TA), 188W (TC)
IPP65R090CFD7XKSA1	6.3700	RFQ	487	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							650 V	25A (TC)	10V	90mohm @ 12.5a, 10V	4.5V @ 630 µA	53 NC @ 10 V	± 20V	2513 pf @ 400 V	-	127W (TC)
IPP65R190CFD7XKSA1	3.4800	RFQ	2629	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 700 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
BSM10GD120DN2E3224BOSA1	70.6760	RFQ	8877	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM10G				80 W		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo																										-	1200 V	15 A		3.2V @ 15V, 10a					400 µA	No	530 pf @ 25 V
TT61N14KOFHPSA1	-	RFQ	1825	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT61N14					Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	15				200 MA															1.4 kV	120 A	1.4 V	1550A @ 50Hz	120 Ma	76 A		2 SCRS
BUZ31L	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							200 V	13.5A (TC)	5V	200mohm @ 7a, 5V	2v @ 1 mapa		± 20V	1600 pf @ 25 V	-	95W (TC)
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	RFQ	9	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 2	Banda	Descontinuado en sic		-	-	-	FP75R12						-	-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	-																										-				-
AIMDQ75R016M1HXUMA1	17.6739	RFQ	4682	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo													-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-AMDQ75R016M1HXUMA1TR			750
IPP80N06S4L07AKSA1	-	RFQ	6646	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							60 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 40 µA	75 NC @ 10 V	± 16V	5680 pf @ 25 V	-	79W (TC)
IPI052NE7N3 G	-	RFQ	6482	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI052N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							75 V	80a (TC)	10V	5.2mohm @ 80a, 10v	3.8V @ 91 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	4750 pf @ 37.5 V	-	150W (TC)
BSO052N03S	-	RFQ	8568	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				PG-dso-8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal							30 V	14a (TA)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 17a, 10v	2V @ 70 µA	43 NC @ 5 V	± 20V	5530 pf @ 15 V	-	1.56W (TA)
IRF7380TRPBF	1.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7380			Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								80V	3.6a		73mohm @ 2.2a, 10v	4V @ 250 µA	23nc @ 10V		660pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IPU50R3K0Ceakma1	-	RFQ	6940	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU50R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal							500 V	1.7a (TC)	13V	3ohm @ 400mA, 13V	3.5V @ 30 µA	4.3 NC @ 10 V	± 20V	84 pf @ 100 V	-	26W (TC)
IRF7521D1	-	RFQ	7103	Infineon Technologies	Fetky ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal							20 V	2.4a (TA)	2.7V, 4.5V	135mohm @ 1.7a, 4.5V	700mV @ 250 µA (min)	8 NC @ 4.5 V	± 12V	260 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.3W (TA)
IPU60R1K4C6BKMA1	-	RFQ	1895	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 155 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU60R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal							600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 90 µA	9.4 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W (TC)
PTFA212001EV4XWSA1	-	RFQ	5038	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	65 V		Monte del Chasis	H-36260-2	PTFA212001		2.14 GHz	Ldmos				H-36260-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	35			10 µA			1.6 A	50W	15.8db																	-										30 V
IRF6644TRPBF	3.0200	RFQ	16	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MN	IRF6644			Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mn	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal							100 V	10.3a (TA), 60a (TC)	10V	13mohm @ 10.3a, 10v	4.8V @ 150 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	2210 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IPA60R380E6XKSA1	2.6200	RFQ	6607	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R380			Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							600 V	10.6a (TC)	10V	380mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 320 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 100 V	-	31W (TC)
IPP04N03LB G	-	RFQ	6662	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP04N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 55a, 10V	2V @ 70 µA	40 NC @ 5 V	± 20V	5203 pf @ 15 V	-	107W (TC)
IPI90N06S404AKSA1	-	RFQ	4086	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI90N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							60 V	90A (TC)	10V	4mohm @ 90a, 10v	4V @ 90 µA	128 NC @ 10 V	± 20V	10400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IPL65R210CFDAUMA1	1.9840	RFQ	3066	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL65R210			Mosfet (Óxido de metal)				PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal							650 V	16.6a (TC)	10V	210mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 700 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IRFS4229TRLPBF	4.8200	RFQ	102	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS4229			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							250 V	45a (TC)	10V	48mohm @ 26a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	4560 pf @ 25 V	-	330W (TC)
IPC302N15N3X1SA1	3.6657	RFQ	5035	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo		-	Montaje en superficie	Morir	IPC302N			Mosfet (Óxido de metal)				Aserrado en papel	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal							150 V	1A (TJ)	10V	100mohm @ 2a, 10v	4V @ 270 µA		-		-	-
IRFB4321PBF	3.3200	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB4321			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100		N-canal							150 V	85A (TC)	10V	15mohm @ 33a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	4460 pf @ 50 V	-	350W (TC)
Auirfs3006	-	RFQ	3576	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521196	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							60 V	195a (TC)	10V	2.5mohm @ 170a, 10V	4V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 20V	8970 pf @ 50 V	-	375W (TC)
IPD50R1K4CEAUMA1	0.6200	RFQ	9835	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50R1			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal							500 V	3.1a (TC)	13V	1.4ohm @ 900mA, 13V	3.5V @ 70 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	178 pf @ 100 V	-	42W (TC)
IRF3704ZSTRRPBF	-	RFQ	9021	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							20 V	67a (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 21a, 10v	2.55V @ 250 µA	13 NC @ 4.5 V	± 20V	1220 pf @ 10 V	-	57W (TC)
ISP06P008NXTSA1	-	RFQ	9289	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					ISP06P								-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001727910	Obsoleto	0000.00.0000	1,000
IPD65R380E6BTMA1	-	RFQ	8259	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD65R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal							650 V	10.6a (TC)	10V	380mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	83W (TC)