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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P2000DL45X168APT8HPSA1 | 7.0000 |  | 7355 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | P2000D | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPF019N12NM6ATMA1 | 3.5501 | | 8992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | IPDQ65 | - | ROHS3 Cumplante | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPDQ65R099CFD7XTMA1 | 6.3700 | | 2327 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | IPDQ65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22-1 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 650 V | 29a (TC) | 10V | 99mohm @ 9.7a, 10v | 4.5V @ 480 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1942 pf @ 400 V | - | 186W (TC) | ||||||||||||||||||||
| BSM300GA120DN2FSE32HOSA1 | - | | 4080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | BSM300 | - | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM200GA120DN2SE325HOSA1 | - | | 5205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | BSM200 | - | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 | - | | 3751 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM200 | 1550 W | Estándar | Módulo | - | Obsoleto | 1 | Interruptor Único | - | 1200 V | 300 A | 3V @ 15V, 200a | 4 Ma | No | 13 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
| IPA95R130PFD7XKSA1 | 6.8900 | | 4826 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 950 V | 13.9a (TC) | 10V | 130mohm @ 25.1a, 10V | 3.5V @ 1.25mA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 4170 pf @ 400 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPP040N08NF2SAKMA1 | 2.4800 | | 848 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP040N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 22a (TA), 115A (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 85 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | 2.7900 | | 388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP024N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 28a (TA), 182a (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 139 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 214W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N012TATMA1 | 8.3100 | | 6358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IAUS300N08S5N012TATMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 300A (TJ) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AIKW50N65RF5XKSA1 | 12.0100 | | 6493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AIKW50 | Estándar | 250 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 310 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 109 NC | 20ns/156ns | |||||||||||||||||||
| 2SC0435T2F117HPSA2 | - | | 9054 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Acesorio31873nosa1 | - | | 6165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Acesorio3 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MA13025741NDSA1 | - | | 6528 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Acesorio27614nosa1 | - | | 7640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Acesorio2 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0320T2A0FF1000NPSA1 | - | | 8512 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC01ABPSA1 | - | | 8031 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD315AI33NPSA1 | - | | 2993 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 2SD315 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | - | | 9358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -T2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 65W (TC) | PG-TDSON-8-10 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 20A (TC) | 7.6mohm @ 17a, 10v | 4V @ 30 µA | 36nc @ 10V | 2940pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
 | IPTC011N08NM5ATMA1 | 8.0400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 42a (TA), 408a (TC) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 150a, 10v | 3.8V @ 280 µA | 223 NC @ 10 V | ± 20V | 17000 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FF1800R23IE7PBPSA1 | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3+ B | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Primepack ™ 3+ | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 8541.29.0095 | 3 | 2 Independientes | - | 2300 V | 1800 A | 2.26V @ 15V, 1.8ka | 30 Ma | No | 420 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
| IPTC054N15NM5ATMA1 | 6.7600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 150 V | 17.5a (TA), 143A (TC) | 8V, 10V | 5.4mohm @ 50A, 10V | 4.6V @ 191 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 5700 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 250W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IQE013N04LM6CGSCATMA1 | 3.1000 | | 2828 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-POWERWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-WHTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 40 V | 31a (TA), 205A (TC) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 20a, 10v | 2V @ 51 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IQE030N06NM5CGSCATMA1 | 2.9200 | | 9215 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-POWERWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-WHTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 60 V | 21a (TA), 132a (TC) | 6V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 3.3V @ 50 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IQE050N08NM5SCATMA1 | 3.0700 | | 8806 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-whson-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 80 V | 16a (TA), 99a (TC) | 6V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 3.8V @ 49 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||
 | F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | 75.1200 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP033N04NF2SAKMA1 | 1.1100 | | 990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R12N3T4RB81BPSA1 | 402.1000 | | 6977 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | FS200R12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | 17.1800 | | 6080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | AIMBG120 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-AmBG120R080M1XTMA1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 30A | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
| F433MR12W1M1HB76BPSA1 | 99.0600 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | F433MR12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 |
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