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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IPP080N03L G	-	RFQ	4363	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP080N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 15 V	-	47W (TC)
SPI12N50C3HKsa1	-	RFQ	8445	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		SPI12N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000014467	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						500 V	11.6a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	3.9V @ 500 µA	49 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IPB048N15N5LFATMA1	9.8900	RFQ	6646	Infineon Technologies	Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB048		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						150 V	120a (TC)	10V	4.8mohm @ 100a, 10V	4.9V @ 255 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	380 pf @ 75 V	-	313W (TC)
IRLR2905Z	-	RFQ	5368	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLR2905Z	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						55 V	42a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 36a, 10v	3V @ 250 µA	35 NC @ 5 V	± 16V	1570 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPI45N06S409AKSA1	-	RFQ	6033	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI45N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						60 V	45a (TC)	10V	9.4mohm @ 45a, 10v	4V @ 34 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	3785 pf @ 25 V	-	71W (TC)
IPN70R2K1CEATMA1	0.2707	RFQ	6640	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		IPN70R2		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						700 V	4A (TC)	10V	2.1ohm @ 1a, 10v	3.5V @ 70 µA	7.8 NC @ 10 V	± 20V	163 pf @ 100 V	-	5W (TC)
F475R07W2H3B11BPSA1	52.1100	RFQ	9072	Infineon Technologies	-	Banda	Activo											-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-F475R07W2H3B11BPSA1			15
IRFR2307ZPBF	-	RFQ	5422	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						75 V	42a (TC)	10V	16mohm @ 32a, 10v	4V @ 100 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2190 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRL3715ZCLPBF	-	RFQ	6029	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715zclpbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
BSB028N06NN3GXUMA1	2.9400	RFQ	1276	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson		BSB028		Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						60 V	22a (TA), 90A (TC)	10V	2.8mohm @ 30a, 10v	4V @ 102 µA	143 NC @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 30 V	-	2.2W (TA), 78W (TC)
Spp11n60c3xksa1	4.0000	RFQ	1	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Spp11n60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						650 V	11a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	3.9V @ 500 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Auirf6215	3.5800	RFQ	740	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Auirf6215		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521586	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P						150 V	13a (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IM818MCCXKMA1	45.7400	RFQ	555	Infineon Technologies	IM818-SCC	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Módulo de 24 Potencias (1.205 ", 30.60 mm)	IGBT	IM818						descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	14	Inversor de 3 fase				16 A	1.2 kV	2500 VRMS
IRFR2605	-	RFQ	9432	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						55 V	19a (TC)	10V	85mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Irfr9120ntrl	-	RFQ	8990	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRFR9120		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P						100 V	6.6a (TC)	10V	480mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
Ifcm10p60gdxkma1	19.2800	RFQ	2816	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm)	IGBT	Ifcm10						descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	14	Inversor de 3 fase				10 A	600 V	2000 VRMS
IRGR2B60KDPBF	-	RFQ	4094	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Irgr2b60	Estándar		35 W		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000				400V, 2A, 100OHM, 15V																				68 ns		Escrutinio	600 V	6.3 A	8 A	2.25V @ 15V, 2a	74 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado)	12 NC	11ns/150ns
IPTC007N06NM5ATMA1	6.7000	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 16-POWERSOP				Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-16-U01	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.800		N-canal						60 V	52a (TA), 454A (TC)	6V, 10V	0.75mohm @ 150a, 10V	3.3V @ 280 µA	261 NC @ 10 V	± 20V	21000 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 375W (TC)
TT215N18KOFHPSA1	-	RFQ	8944	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TT215N18				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3			300 mA															1.8 kV		2 V	7000A @ 50Hz	200 MA	215 A		2 SCRS
T360N26TOFXPSA1	208.0925	RFQ	6545	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	DO-200AA, A-PUK		T360N26				Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			300 mA															2.6 kV	550 A	2 V	5000A @ 50Hz	200 MA	360 A		1 SCR
IKD03N60RF	-	RFQ	6575	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Ikd03n	Estándar		53.6 W		PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500				400V, 2.5A, 68OHM, 15V																				31 ns		Zanja	600 V	5 A	7.5 A	2.5V @ 15V, 2.5a	90 µJ	17.1 NC	10ns/128ns
IPC60R165CPX1SA4	2.4628	RFQ	1040	Infineon Technologies	-	Una granela	No hay para Nuevos Diseños					IPC60						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000482544		0000.00.0000	1									-
T1601N35TOFXPSA1	-	RFQ	6633	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Un 200af		T1601N35				Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1			350 Ma															3.6 kV	29900 A	2.5 V	44000A @ 50Hz	350 Ma	1900 A		1 SCR
IPU50R2K0Ceakma1	-	RFQ	9185	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		IPU50R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						500 V	2.4a (TC)	13V	2ohm @ 600mA, 13V	3.5V @ 50 µA	6 NC @ 10 V	± 20V	124 pf @ 100 V	-	33W (TC)
IPW65R045C7300XKSA1	-	RFQ	6918	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		IPW65R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001657312	EAR99	8541.29.0095	240		N-canal						650 V	46a (TC)	10V	45mohm @ 24.9a, 10v	4V @ 1.25 Ma	93 NC @ 10 V	± 20V	4340 pf @ 400 V	-	227W (TC)
BSP372L6327HTSA1	-	RFQ	2039	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						100 V	1.7a (TA)	5V	310mohm @ 1.7a, 5V	2v @ 1 mapa		± 14V	520 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRF6721Strpbf	-	RFQ	3333	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SQ				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ sq	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						30 V	14A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	7.3mohm @ 14a, 10v	2.4V @ 25 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
IRLR3715TRPBF	-	RFQ	6583	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IRLR3717PBF	-	RFQ	8789	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						20 V	120a (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	2830 pf @ 10 V	-	89W (TC)
IRF7809	-	RFQ	7415	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	17.6a (TA)	4.5V	7.5mohm @ 15a, 4.5V	1V @ 250 µA	86 NC @ 5 V	± 12V	7300 pf @ 16 V	-	3.5W (TA)