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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8721TRPBF-1 | - |  | 8402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001576954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 65a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts112ae3045antma1 | - | | 1977 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 10V | 150ohm @ 7.5a, 10V | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB565E7902 | - | | 5640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-80 | SCD-80 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 11 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bts131e3045antma1 | 7.4600 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 50 V | 25A (TC) | 4.5V | 60mohm @ 12a, 4.5V | 2.5V @ 1MA | ± 10V | 1400 pf @ 25 V | - | 75W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP065N03LG | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buz73alin | - | | 1870 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 503 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC80725E6327 | 0.0300 | | 843 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-11 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Iku04n60r | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Estándar | 75 W | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 4A, 43OHM, 15V | 43 ns | Zanja | 600 V | 8 A | 12 A | 2.1V @ 15V, 4A | 240 µj | 27 NC | 14ns/146ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BDP948E6433 | - | | 4719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 5 W | PG-SOT223-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 3 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 200MA, 2a | 50 @ 1a, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ihw40t60 | 2.3000 | | 134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 303 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 134 | 400V, 40A, 5.6ohm, 15V | 143 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 120 A | 2.05V @ 15V, 40A | 920 µJ | 215 NC | -/186ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IHY30N160R2XK | 2.6300 | | 248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP956 | 1.0000 | | 7126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF100R07W1H5FPB53BPSA1 | 37.8900 | | 253 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Estándar | Ag-Easy1b | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Medio Puente | - | 650 V | 40 A | 1.55V @ 15V, 25A | 40 µA | Si | 2.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUZ31H3046 | 0.5600 | | 700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 14.5A (TC) | 5V | 200mohm @ 9a, 5V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1120 pf @ 25 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB03N60C3 | 0.4800 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP69-25E6327 | 0.1600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 3 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 100 mm, 1a | 160 @ 500mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP613PL6327 | - | | 4193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR198WH6327 | - | | 6658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BCR198 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,123 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 190 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD90N04S40-4ATMA1 | 1.0000 | | 6641 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Afectados de Alcanzar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 90a, 10V | 4V @ 35.2MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3440 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3906SE6327 | 0.0300 | | 51 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT3906 | 330W | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 PNP Darlington (Dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp07n65c3in | 1.0000 | | 6317 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3904UPNE3627 | 0.0900 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SMBT3904 | 330MW | PG-SC74-6 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,328 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD07N60S5BTMA1 | 0.6400 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N06SL2-7 | 0.8500 | | 600 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 2V @ 150 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3160 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spp06n60c3 | - | | 1609 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.9a, 10v | 3.9V @ 260 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spp16n50c3 | - | | 4647 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 280mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 675 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI052NE7N3G | 0.7600 | | 396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 396 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 91 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD02N60C3 | - | | 9349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 3.9V @ 80 µA | 12.5 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPW12N50C3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB65R600C6 | - | | 4163 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Afectados de Alcanzar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) |
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