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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP065N03LG | 0.3500 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPP084N06L3GXK | - | | 1516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 50A, 10V | 2.2V @ 34 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4900 pf @ 30 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT15-098LRHE6327 | 0.1900 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 4-xfdfn | BAT15 | PG-TSLP-4-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | Schottky - 2 Independiente | 4v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT1805E6327 | - | | 2117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT1805 | Estándar | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.571 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 35 V | 100 mA (DC) | 1.2 V @ 100 Ma | 120 ns | 20 na @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc130p03ls g | - | | 4938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT15-05WH6327XTSA1 | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Sot-323 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 110 Ma | 100 MW | 0.5pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 par Cátodo Común | 4v | 5.5ohm @ 50 mm, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC029N025SG | 0.8100 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 25 V | 24a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 50A, 10V | 2V @ 80 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 5090 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP49H6419 | 0.1200 | | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSF885N03LQ3GXUMA1 | 0.4500 | | 465 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT62-02WH6327 | 1.0000 | | 3623 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP55E6327 | 0.1100 | | 31 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSF050N03LQ3G | 0.3900 | | 34 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Mg-wdson-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| BCP51-10 | 0.0400 | | 3595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | PG-SOT223-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 6.464 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC205N10LSGATMA1 | - | | 7931 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT64B5000 | - | | 7800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C | 120 Ma | 4PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCM856SH6778 | 0.1200 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 250MW | PG-SOT363-6-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC070N10NS5SCATMA1 | 2.8100 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | BSC070 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-WSON-8-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 14a (TA), 82a (TC) | 6V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3.8V @ 50 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848B-E6327 | - | | 2172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856A-E6327 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bal99 | - | | 3268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | SOT23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,959 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar 67-04 E6327 | - | | 8899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SOT23 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 200 MA | 250 MW | 0.55pf @ 5V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 150V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR92PE6530HTSA1 | 0.0900 | | 144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP420H6801 | 0.2000 | | 49 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 210MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4.5V | 60mera | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BWE6327 | 0.0200 | | 84 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR 360L3E6765 | 0.1000 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | 210MW | PG-TSLP-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 16dB | 6V | 35mA | NPN | 90 @ 15 Ma, 3V | 14GHz | 1DB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bfp7220esdh6327 | 0.1900 | | 9427 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar61 | - | | 4496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Un 253-4, un 253AA | PG-SOT143-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 140 Ma | 250 MW | 0.5pf @ 50V, 1MHz | PIN - Elemento Pi | 100V | 12ohm @ 10 Ma, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP720H6327 | 0.2000 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 100MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10.5dB ~ 28.5dB | 4.7V | 25 Ma | NPN | 160 @ 13MA, 3V | 45 GHz | 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts282ze3180antma1 | - | | 1246 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 49 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10v | 2V @ 240 µA | 232 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BB565H7908 | - | | 2816 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-80 | SCD-80 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 11 | C1/C28 | - |
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