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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BB565H7908 | - |  | 2816 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-80 | SCD-80 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 11 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF400R12KT4HOSA1 | 133.3300 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS-17-SE | - | | 8797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP420H6740 | 0.2200 | | 455 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 210MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4.5V | 60mera | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP420E6327 | 0.1600 | | 139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 160MW | PG-SOT343-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.888 | 21db | 5V | 35mA | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF400R16KF4NOSA1 | 1.0000 | | 42 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 3100 W | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Independientes | - | 1600 V | 400 A | 3.7V @ 15V, 400A | 3 MA | No | 65 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bar 64-06wh6327 | 0.0900 | | 3283 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 250 MW | 0.35pf @ 20V, 1MHz | Pin - 1 Par Ánodo Común | 150V | 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar63-04wh6327 | - | | 8284 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 250 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 50V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA892-02V | - | | 6892 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 1.1pf @ 3V, 1MHz | Estándar - Single | 35V | 500mohm @ 10 Ma, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BA895E6327 | 0.0400 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 7ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC850CWE6327 | 0.0200 | | 3884 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.900 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB03N60C3 | 0.4800 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP69-25E6327 | 0.1600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 3 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 100 mm, 1a | 160 @ 500mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP613PL6327 | - | | 4193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR198WH6327 | - | | 6658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BCR198 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,123 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 190 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3906SE6327 | 0.0300 | | 51 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT3906 | 330W | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 PNP Darlington (Dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp07n65c3in | 1.0000 | | 6317 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3904UPNE3627 | 0.0900 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SMBT3904 | 330MW | PG-SC74-6 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,328 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spa06n60c3in | - | | 1927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 389 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAW56W-E6327 | - | | 3501 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Baw56 | Estándar | PG-SOT323-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 12,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI50R299CP | 0.9500 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD90N04S40-4ATMA1 | 1.0000 | | 6641 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 90a, 10V | 4V @ 35.2MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3440 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPW12N50C3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI052NE7N3G | 0.7600 | | 396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 396 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 91 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI65R110CFD | 2.7500 | | 430 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos CFD2 ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 110 | N-canal | 650 V | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10v | 4.5V @ 1.3MA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BBY66-05WH6327 | - | | 7995 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R450E6 | 0.7300 | | 6442 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 318 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 100 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts112ae3045antma1 | - | | 1977 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 10V | 150ohm @ 7.5a, 10V | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP070N06NGIN | - | | 4678 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB814E6327GR2 | 0.0900 | | 23 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 22.7pf @ 8V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 18 V | 2.25 | C2/C8 | 200 @ 2v, 100mhz |
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