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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPI12N50C3HKsa1 | - |  | 8445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI12N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000014467 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Spp04n60c3hksa1 | - | | 6435 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRL3715ZCLPBF | - | | 6029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3715zclpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFR2605 | - | | 9432 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 19a (TC) | 10V | 85mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | PTFA092213ELV4T400XWSA1 | - | | 8106 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000820802 | EAR99 | 8541.29.0075 | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB80N08S2-07 | - | | 6635 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 7.1mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 6130 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | SPW20N60CFDFKSA1 | 4.7528 | | 8177 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SPW20N60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 220mohm @ 13.1a, 10V | 5V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | - | | 6483 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 550 V | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF7413Z | - | | 4520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7413Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
| IRF7842TR | - | | 8215 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 17a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4500 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||
| Irfz46zl | - | | 6886 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz46zl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 10V | 13.6mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1460 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | ||||||||||||||||||
 | SMBT3904SH6327XTSA1 | 0.0800 | | 5595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT 3904 | 330MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
| IRLR8103VTRLPBF | - | | 3821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558542 | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 30 V | 91a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 27 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRL3303L | - | | 5852 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3303L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRFR120NTRLPBF | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 9.4a (TC) | 10V | 210mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | - | | 4721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 75A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1996 pf @ 10 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRL3715Strl | - | | 2559 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFB23N15DPBF | - | | 8840 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 23a (TC) | 10V | 90mohm @ 14a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||
| IDK05G65C5XTMA2 | 1.5789 | | 3805 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDK05G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 830 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 160pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | BSP613PH6327XTSA1 | 1.4100 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP613 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 2.9a (TA) | 10V | 130mohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 1MA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 875 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||
| IRF7807A | - | | 1942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7807A | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||
| IRL3715ZS | - | | 2628 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3715ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRLU3714PBF | - | | 4038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPW80R360P7XKSA1 | 3.7500 | | 7927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW80R360 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 360mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 500 V | - | 84W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BSS214NH6327XTSA1 | 0.4100 | | 389 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS214 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 3.7 µA | 0.8 NC @ 5 V | ± 12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||
| Irfr9024ntrr | - | | 9291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 11a (TC) | 10V | 175mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||
| Spp20n65c3hksa1 | - | | 8774 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp20n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPD90N06S4L03ATMA2 | 2.2100 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 90a, 10v | 2.2V @ 90 µA | 170 NC @ 10 V | ± 16V | 13000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Bts244ze3043aksa2 | 5.5700 | | 217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | BTS244 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-5-12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 19a, 10v | 2V @ 130 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 170W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRF6215S | - | | 7335 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) |
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