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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7338TRPBF | - |  | 5915 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF733 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 12V | 6.3a, 3a | 34mohm @ 6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8.6nc @ 4.5V | 640pf @ 9V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Auirls8409-7p | - | | 7052 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Auirls8409 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521838 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 4.5V, 10V | 0.75mohm @ 100a, 10V | 2.4V @ 250 µA | 266 NC @ 4.5 V | ± 16V | 16488 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||
 | ISZ065N03L5SATMA1 | 0.7100 | | 36 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISZ065 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 12a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 15 V | - | - | ||||
 | FS45MR12W1M1B11BOMA1 | 143.2300 | | 114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS45MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001686600 | EAR99 | 8541.21.0095 | 24 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25A, 15V (typ) | 5.55V @ 10mA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | |||||
 | IRLR3714TRPBF | - | | 1882 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||
 | IRLIZ34NPBF | 1.4200 | | 863 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Irliz34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 22a (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 12a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| IRLR8503TRPBF | - | | 6929 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||
 | IRF3706SPBF | - | | 9558 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 77a (TC) | 2.8V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 10 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | IRFP4332PBF | 5.6400 | | 341 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4332 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 57a (TC) | 10V | 33mohm @ 35a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 5860 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | ||||
| IRF1503StrlPBF | - | | 6772 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF1503 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001550938 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 5730 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||
| IRF540ZSTRLPBF | - | | 9779 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | |||||
 | IRFH5053TRPBF | 2.2200 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH5053 | Mosfet (Óxido de metal) | Pqfn (5x6) muere individual | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 9.3a (TA), 46a (TC) | 10V | 18mohm @ 9.3a, 10V | 4.9V @ 100 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 8.3W (TC) | ||||
| Irfp3710pbf | 3.5200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP3710 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 57a (TC) | 10V | 25mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||
 | IRF6617TR1PBF | - | | 9598 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 14A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 15a, 10v | 2.35V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1300 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||||||
| Bso301spntma1 | - | | 6625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.6a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 14.9a, 10v | 2V @ 250 µA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 5890 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||
| Auirfr3504trl | - | | 7724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520330 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 56a (TC) | 10V | 9.2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||
| Si4435dy | - | | 2560 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Si4435dy | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8a, 10v | 1V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||
| IRL3715ZSTRRPBF | - | | 5710 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||
| IPB108N15N3GATMA1 | 5.1900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB108 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 83A (TC) | 8V, 10V | 10.8mohm @ 83a, 10v | 4V @ 160 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 75 V | - | 214W (TC) | ||||
 | IRL8113S | - | | 9055 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL8113S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2840 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | ||||
| IRF7807VD2TR | - | | 5994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | ||||||
| IRF7350TRPBF | - | | 4854 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7350 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 100V | 2.1a, 1.5a | 210mohm @ 2.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 28NC @ 10V | 380pf @ 25V | - | |||||||
| IRFR2407TRPBF | - | | 4954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR2407 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 26mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
 | IRFU3707 | - | | 4273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU3707 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 61a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1990 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | ||||
| IRF3007StrlPBF | 2.9700 | | 530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3007 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 62a (TC) | 10V | 12.6mohm @ 48a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||
| IPB60R160C6ATMA1 | 4.7100 | | 1856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R160 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 23.8a (TC) | 10V | 160mohm @ 11.3a, 10V | 3.5V @ 750 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 1660 pf @ 100 V | - | 176W (TC) | ||||
 | IPP60R125C6XKSA1 | 6.3800 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 125mohm @ 14.5a, 10v | 3.5V @ 960 µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 2127 pf @ 100 V | - | 219W (TC) | ||||
| IRF3710ZSPBF | - | | 4856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 59A (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||
| Irfz34nstrr | - | | 8649 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 29a (TC) | 10V | 40mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||
 | IRF3709LPBF | - | | 2345 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) |
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