- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfp150n | - |  | 7536 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 10V | 36mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD90N04S4L04ATMA1 | 1.6000 | | 4510 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 90a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 60 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP171PE6327 | - | | 5355 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 460 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLZ34NSTRR | - | | 4889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q971401 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB80N04S4L04ATMA1 | 2.1400 | | 958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 60 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auxhmf7321d2 | - | | 2222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI16CN10N G | - | | 5757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI16C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 53A (TC) | 10V | 16.2mohm @ 53a, 10v | 4V @ 61 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP129L6906 | 0.3200 | | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 0V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1V @ 108 µA | 5.7 NC @ 5 V | ± 20V | 108 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGB50N65H5ATMA1 | 3.9500 | | 990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IGB50 | Estándar | 270 W | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 50A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1.59mj (Encendido), 750 µJ (apaguado) | 120 NC | 23ns/173ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | - | | 6881 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 4.5a (TA) | 10V | 60mohm @ 2.7a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 930 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF 1005SR E6327 | - | | 4508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | Sot-143r | BF 1005 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT-143R-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 25 Ma | - | 22dB | 1.6db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirlr3110ztrl | 1.6030 | | 6724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirlr3110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516790 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 14mohm @ 38a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 48 NC @ 4.5 V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf2805s | - | | 6629 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519486 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 135A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 104a, 10v | 4V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5110 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | 1.5600 | | 31 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2905 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB60R230P6ATMA1 | - | | 9288 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | IPB60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001364466 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 16.8a (TC) | 10V | 230mohm @ 6.4a, 10V | 4.5V @ 530 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 100 V | - | 126W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD105N04LGBTMA1 | - | | 9631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD105N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 40a, 10v | 2V @ 14 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 20 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T360N26TOFXPSA1 | 208.0925 | | 6545 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | DO-200AA, A-PUK | T360N26 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 300 mA | 2.6 kV | 550 A | 2 V | 5000A @ 50Hz | 200 MA | 360 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3715TRPBF | - | | 6583 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3717PBF | - | | 8789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 31 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2830 pf @ 10 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFI7536GPBF | - | | 6732 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 86a (TC) | 10V | 3.4mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 48 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFHM831TR2PBF | - | | 4658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 40a (TC) | 7.8mohm @ 12a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 16 NC @ 10 V | 1050 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5220TRPBF | - | | 4753 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 vqfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570846 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 3.8a (TA), 20a (TC) | 10V | 99.9mohm @ 5.8a, 10v | 5V @ 100 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 50 V | - | 3.6W (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfc8721ed | - | | 9560 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570724 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6621TRPBF | - | | 1547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 12a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 17.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1460 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R3K3C6ATMA1 | 0.8600 | | 3195 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.3ohm @ 500 mA, 10V | 3.5V @ 40 µA | 4.6 NC @ 10 V | ± 20V | 93 pf @ 100 V | - | 18.1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD70R600P7SAUMA1 | 0.9800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 V | 8.5A (TC) | 10V | 600mohm @ 1.8a, 10V | 3.5V @ 90 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 16V | 364 pf @ 400 V | - | 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R250C6XTMA1 | - | | 2344 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 16.1a (TC) | 10V | 250mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 400 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 208.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPI80N03S2L-04 | - | | 4224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 80a, 10v | 2V @ 130 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1324wl | 11.1800 | | 2650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Cables de Ancho | Auirf1324 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 de ancho | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 24 V | 240a (TC) | 10V | 1.3mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 7630 pf @ 19 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FZ1000R33HE3BPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ1000 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 1000 A | 3.1V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 190 NF @ 25 V |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)