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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI90N06S404AKSA2 | - |  | 8299 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI90N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 4mohm @ 90a, 10v | 4V @ 90 µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 10400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPI80N06S4L05AKSA2 | - | | 5408 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001028726 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 4.5V | 2.2V @ 60 µA | 110 NC @ 10 V | ± 16V | 8180 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRF8915 | - | | 3254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF89 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF8915 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8.9A | 18.3mohm @ 8.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 540pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||
 | IPD060N03LGATMA1 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFP140NPBF | 2.5300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP140 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 33A (TC) | 10V | 52mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPA80R750P7XKSA1 | 1.9000 | | 1776 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA80R750 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2.7a, 10v | 3.5V @ 140 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 500 V | - | 27W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRL3715TRR | - | | 4726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF7324PBF | - | | 1111 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF732 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 9A | 18mohm @ 9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 63nc @ 5V | 2940pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
| IRL3103D1PBF | - | | 8288 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3103D1PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 34a, 10v | 1V @ 250 µA | 43 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPP14N03LA | - | | 6797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP14N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 25 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 20V | 1043 pf @ 15 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF7353D1TRPBF | - | | 8832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| IRF8313PBF | - | | 6927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF8313 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9.7a | 15.5mohm @ 9.7a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 90NC @ 4.5V | 760pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
| Auirf7303q | - | | 5128 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Auirf7103 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001517242 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.3a | 50mohm @ 2.7a, 10v | 3V @ 100 µA | 21NC @ 10V | 515pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
 | IRL783333Strpbf | - | | 9027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 38a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 47 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4170 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSS84PWH6327XTSA1 | 0.3400 | | 6582 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BSS84 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 150MA (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 150 mm, 10v | 2V @ 20 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | 19.1 pf @ 25 V | - | 300MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| IPB60R055CFD7ATMA1 | 8.4200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R055 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 55mohm @ 18a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 3194 pf @ 400 V | - | 178W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF8915TRPBF | - | | 4164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF89 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8.9A | 18.3mohm @ 8.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 540pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
| IRF3709ZCSTRR | - | | 8210 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 87a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2130 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | 1.5800 | | 7369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3.9a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10v | 3.9V @ 240 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Irfp150n | - | | 7536 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 10V | 36mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPD90N04S4L04ATMA1 | 1.6000 | | 4510 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 90a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 60 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BSP171PE6327 | - | | 5355 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 460 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRR | - | | 4889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q971401 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IPB80N04S4L04ATMA1 | 2.1400 | | 958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 60 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Auxhmf7321d2 | - | | 2222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | IPI16CN10N G | - | | 5757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI16C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 53A (TC) | 10V | 16.2mohm @ 53a, 10v | 4V @ 61 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSP129L6906 | 0.3200 | | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 0V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1V @ 108 µA | 5.7 NC @ 5 V | ± 20V | 108 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IGB50N65H5ATMA1 | 3.9500 | | 990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IGB50 | Estándar | 270 W | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 50A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1.59mj (Encendido), 750 µJ (apaguado) | 120 NC | 23ns/173ns | ||||||||||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | - | | 6881 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 4.5a (TA) | 10V | 60mohm @ 2.7a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 930 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | BF 1005SR E6327 | - | | 4508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | Sot-143r | BF 1005 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT-143R-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 25 Ma | - | 22dB | 1.6db | 5 V |
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