SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
AUIRLR3110ZTRL Infineon Technologies Auirlr3110ztrl 1.6030
RFQ
 ECAD 6724 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirlr3110 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516790 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 42a (TC) 14mohm @ 38a, 10v 2.5V @ 100 µA 48 NC @ 4.5 V 3980 pf @ 25 V - 140W (TC)
AUIRF2805S Infineon Technologies Auirf2805s -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519486 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 135A (TC) 10V 4.7mohm @ 104a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5110 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRLR2905TRPBF Infineon Technologies IRLR2905TRPBF 1.5600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR2905 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPB60R230P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R230P6ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9288 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA IPB60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001364466 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 16.8a (TC) 10V 230mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 530 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 100 V - 126W (TC)
IPD105N04LGBTMA1 Infineon Technologies IPD105N04LGBTMA1 -
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD105N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 40A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 40a, 10v 2V @ 14 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 20 V - 42W (TC)
T360N26TOFXPSA1 Infineon Technologies T360N26TOFXPSA1 208.0925
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Apretar DO-200AA, A-PUK T360N26 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 300 mA 2.6 kV 550 A 2 V 5000A @ 50Hz 200 MA 360 A 1 SCR
IRLR3715TRPBF Infineon Technologies IRLR3715TRPBF -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IRLR3717PBF Infineon Technologies IRLR3717PBF -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 120a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 31 NC @ 4.5 V ± 20V 2830 pf @ 10 V - 89W (TC)
IRFI7536GPBF Infineon Technologies IRFI7536GPBF -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 86a (TC) 10V 3.4mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 48 V - 75W (TC)
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10v 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRFHM831TR2PBF Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF -
RFQ
 ECAD 4658 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 14a (TA), 40a (TC) 7.8mohm @ 12a, 10v 2.35V @ 25 µA 16 NC @ 10 V 1050 pf @ 25 V -
IRFH5220TRPBF Infineon Technologies IRFH5220TRPBF -
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570846 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 3.8a (TA), 20a (TC) 10V 99.9mohm @ 5.8a, 10v 5V @ 100 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 8.3W (TC)
IRFC8721ED Infineon Technologies Irfc8721ed -
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570724 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRF6621TRPBF Infineon Technologies IRF6621TRPBF -
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 12A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 12a, 10v 2.25V @ 250 µA 17.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1460 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRL1104STRL Infineon Technologies IRL1104strl -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R3K3C6ATMA1 0.8600
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1.7a (TC) 10V 3.3ohm @ 500 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 4.6 NC @ 10 V ± 20V 93 pf @ 100 V - 18.1W (TC)
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1 0.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 1.8a, 10V 3.5V @ 90 µA 10.5 NC @ 10 V ± 16V 364 pf @ 400 V - 43W (TC)
IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1 -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 16.1a (TC) 10V 250mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 400 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 208.3W (TC)
SPI80N03S2L-04 Infineon Technologies SPI80N03S2L-04 -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 80a, 10v 2V @ 130 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 188W (TC)
AUIRF1324WL Infineon Technologies Auirf1324wl 11.1800
RFQ
 ECAD 2650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Cables de Ancho Auirf1324 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 de ancho descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 24 V 240a (TC) 10V 1.3mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 7630 pf @ 19 V - 300W (TC)
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies FZ1000R33HE3BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1000 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1000 A 3.1V @ 15V, 100A 5 Ma No 190 NF @ 25 V
IRLU7821 Infineon Technologies IRLU7821 -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 75W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551568 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 12V 6240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
SPU01N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU01N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu01n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 800 mA (TC) 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 3.9V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 11W (TC)
IRFI9Z24N Infineon Technologies Irfi9z24n -
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 9.5A (TC) 10V 175mohm @ 5.4a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 29W (TC)
IPC60R165CPX1SA4 Infineon Technologies IPC60R165CPX1SA4 2.4628
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela No hay para Nuevos Diseños IPC60 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000482544 0000.00.0000 1 -
IRF7468TR Infineon Technologies IRF7468TR -
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 9.4a (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 4.5 V ± 12V 2460 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
BSP372L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP372L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.7a (TA) 5V 310mohm @ 1.7a, 5V 2v @ 1 mapa ± 14V 520 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF6721STRPBF Infineon Technologies IRF6721Strpbf -
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10v 2.4V @ 25 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF840PBF Infineon Technologies IRF840PBF -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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