SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IRF6621TRPBF Infineon Technologies IRF6621TRPBF -
RFQ
ECAD 1547 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 12A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 12a, 10v 2.25V @ 250 µA 17.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1460 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRL1104STRL Infineon Technologies IRL1104strl -
RFQ
ECAD 6507 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R3K3C6ATMA1 0.8600
RFQ
ECAD 3195 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1.7a (TC) 10V 3.3ohm @ 500 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 4.6 NC @ 10 V ± 20V 93 pf @ 100 V - 18.1W (TC)
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1 0.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 1.8a, 10V 3.5V @ 90 µA 10.5 NC @ 10 V ± 16V 364 pf @ 400 V - 43W (TC)
IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1 -
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 16.1a (TC) 10V 250mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 400 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 208.3W (TC)
SPI80N03S2L-04 Infineon Technologies SPI80N03S2L-04 -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 80a, 10v 2V @ 130 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 188W (TC)
AUIRF1324WL Infineon Technologies Auirf1324wl 11.1800
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Cables de Ancho Auirf1324 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 de ancho descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 24 V 240a (TC) 10V 1.3mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 7630 pf @ 19 V - 300W (TC)
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies FZ1000R33HE3BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1000 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1000 A 3.1V @ 15V, 100A 5 Ma No 190 NF @ 25 V
IRLU7821 Infineon Technologies IRLU7821 -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 75W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551568 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 12V 6240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
SPU01N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU01N60C3BKMA1 -
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu01n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 800 mA (TC) 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 3.9V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 11W (TC)
IRFI9Z24N Infineon Technologies Irfi9z24n -
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 9.5A (TC) 10V 175mohm @ 5.4a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 29W (TC)
IPC60R165CPX1SA4 Infineon Technologies IPC60R165CPX1SA4 2.4628
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela No hay para Nuevos Diseños IPC60 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000482544 0000.00.0000 1 -
IRF7468TR Infineon Technologies IRF7468TR -
RFQ
ECAD 5124 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 9.4a (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 4.5 V ± 12V 2460 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
BSP372L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP372L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 2039 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.7a (TA) 5V 310mohm @ 1.7a, 5V 2v @ 1 mapa ± 14V 520 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF6721STRPBF Infineon Technologies IRF6721Strpbf -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10v 2.4V @ 25 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF840PBF Infineon Technologies IRF840PBF -
RFQ
ECAD 8650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
AUIRFZ24NSTRR Infineon Technologies Auirfz24nstrr -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1 2.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa08n80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 40W (TC)
IRFS3307PBF Infineon Technologies IRFS3307PBF -
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557274 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 200W (TC)
IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB034N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB034 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 15 V - 94W (TC)
IRFU3706 Infineon Technologies IRFU3706 -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU3706 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L14AATMA1 1.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 50W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 20A 13.7mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 20 µA 39NC @ 10V 2890pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
AUIRFSL8403 Infineon Technologies Auirfsl8403 -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Auirfsl8403 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 123A (TC) 10V 3.3mohm @ 70a, 10v 3.9V @ 100 µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
IPD06P003NATMA1 Infineon Technologies IPD06P003NATMA1 -
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD06P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001657000 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 22a (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10v 4V @ 1.04mA 39 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 83W (TC)
AUIRF7313Q Infineon Technologies Auirf7313q -
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AuIRF7313 Mosfet (Óxido de metal) 2.4w 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522556 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 33NC @ 10V 755pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1 2.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 100A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 50a, 10v 3.8V @ 95 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
IPP050N06N G Infineon Technologies IPP050N06N G -
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP050N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 5mohm @ 100a, 10v 4V @ 270 µA 167 NC @ 10 V ± 20V 6100 pf @ 30 V - 300W (TC)
IRF1010ZSPBF Infineon Technologies IRF1010ZSPBF -
RFQ
ECAD 6275 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRL3715ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3715ZSTRLPBF -
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock