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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 46DN06ElEMXPSA1 | 208.2700 |  | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-46DN06ElemXPSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R12N2T4BDLA1 | 126.1900 | | 36 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FS100R12N2T4BDLA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1010zl | 1.2400 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-auirf1010zl-448 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 7.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD07N60S5AATMA1 | - | | 3532 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-SPD07N60S5AATMA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF23MR12W1M1B11BOMA1244 | 84.3000 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | DF23MR12 | - | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1244-448 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R12KT4RPB51BPSA1 | 187.2000 | | 71 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | FS200R12 | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FS200R12KT4RPB51BPSA1-448 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirl3705n | 1.3900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-Aurirl3705n-448 | 1 | N-canal | 55 V | 89A (TC) | 10mohm @ 46a, 10v | 2V @ 250 µA | 98 NC @ 5 V | 3600 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 8202011 | 0.9700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-8202011 | EAR99 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DDB6U104N16RRB37BPSA1 | 107.7300 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u104 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Piquero | - | 1200 V | 50 A | 2.8V @ 15V, 50A | 1 MA | Si | 3.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | F3L400R07W3S5B11BPSA1 | 148.7700 | | 1648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | No hay para Nuevos Diseños | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS25R12W1T7PB11BPSA1 | 49.6100 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™, Trenchstop ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS25R12 | 20 MW | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 25 A | - | 5.6 µA | Si | 4.77 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS450R17OP4BPSA1 | 846.6400 | | 6664 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS450R17 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONOPP-2-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 450 A | 2.2V @ 15V, 450a | 3 MA | Si | 37 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD215N22KOFTIMHPSA1 | 242.1100 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TD215N | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 2.2 kV | 410 A | 2 V | 7000A @ 50Hz | 200 MA | 215 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS45MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 8589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Descontinuado en sic | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DD340N22STIMHPSA1 | 116.9500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | BG-PB50SB-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 2200 V | 330A | 1.31 V @ 800 A | 1 ma @ 2200 V | 130 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R12W2T7PB11BPSA1 | - | | 9287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP50R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Easy2b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | - | 8 µA | Si | 11.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMBG65R022M1HXTMA1 | 23.5900 | | 8466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBG65 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 64a (TC) | 18V | 30mohm @ 41.1a, 18V | 5.7V @ 12.3MA | 67 NC @ 18 V | +23V, -5V | 2288 pf @ 400 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IM111X6Q1BAUMA1 | 12.0300 | | 4905 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, CIPOS ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 39-POWERVQFN | Mosfet | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Puente H | 12 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | 184.9600 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TDB6HK | Puente, 3 Formas - SCRS/Diodos - IGBT Con Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 220 Ma | 1.6 kV | 2 V | 1600A @ 50Hz | 100 mA | 3 scr, 3 diodos | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FB50R07W2E3B23BOMA1 | 80.0900 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IST026N10NM5AUMA1 | 4.8800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist026n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 27a (TA), 248a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 148 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| P2000D45X168HPSA1 | - | | 5906 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | P2000D | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | - | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUZ40N10S5L120ATMA1 | 0.6886 | | 6955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 46a (TJ) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 27 µA | 22.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1589 pf @ 50 V | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQE008N03LM5CGATMA1 | 2.6800 | | 282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | IQE008N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 253A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 16V | 5700 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPF023N08NF2SATMA1 | 3.6100 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IPF023N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-14 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 209A (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 139 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 40 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF45MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 7474 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF45MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25A, 15V | 5.55V @ 10mA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP75R07N2E4B16BOSA1 | - | | 2818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R07 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 1.95V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC40N08S5L140ATMA1 | 0.5310 | | 5402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2V @ 15 µA | 18.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1078 pf @ 40 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUA120N04S5N014AUMA1 | 2.7400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 7V, 10V | 1.4mohm @ 60a, 10v | 3.4V @ 60 µA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 4828 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS35R12KE3GBPSA1 | 109.1653 | | 2376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS35R12 | 200 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 55 A | 2.15V @ 15V, 35A | 5 Ma | Si | 2.5 NF @ 25 V |
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