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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IM111X6Q1BAUMA1 | 12.0300 |  | 4905 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, CIPOS ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 39-POWERVQFN | Mosfet | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Puente H | 12 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | 184.9600 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TDB6HK | Puente, 3 Formas - SCRS/Diodos - IGBT Con Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 220 Ma | 1.6 kV | 2 V | 1600A @ 50Hz | 100 mA | 3 scr, 3 diodos | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FB50R07W2E3B23BOMA1 | 80.0900 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IST026N10NM5AUMA1 | 4.8800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist026n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 27a (TA), 248a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 148 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| P2000D45X168HPSA1 | - | | 5906 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | P2000D | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | - | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUZ40N10S5L120ATMA1 | 0.6886 | | 6955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 46a (TJ) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 27 µA | 22.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1589 pf @ 50 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQE008N03LM5CGATMA1 | 2.6800 | | 282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | IQE008N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 253A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 16V | 5700 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPF023N08NF2SATMA1 | 3.6100 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IPF023N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-14 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 209A (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 139 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 40 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| FF45MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 7474 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF45MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25A, 15V | 5.55V @ 10mA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP75R07N2E4B16BOSA1 | - | | 2818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R07 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 1.95V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC40N08S5L140ATMA1 | 0.5310 | | 5402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2V @ 15 µA | 18.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1078 pf @ 40 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUA120N04S5N014AUMA1 | 2.7400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 7V, 10V | 1.4mohm @ 60a, 10v | 3.4V @ 60 µA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 4828 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FS35R12KE3GBPSA1 | 109.1653 | | 2376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS35R12 | 200 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 55 A | 2.15V @ 15V, 35A | 5 Ma | Si | 2.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT013N08NM5LFATMA1 | 6.9700 | | 2962 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT013N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 333A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 150a, 10v | 4.1V @ 250 µA | 158 NC @ 10 V | ± 20V | 820 pf @ 40 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N007AUMA1 | 3.4500 | | 7155 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | IAUA250 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 435a (TJ) | 7V, 10V | 0.7mohm @ 100a, 10v | 3V @ 130 µA | 151 NC @ 10 V | ± 20V | 9898 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | 27.1900 | | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 96a (TC) | 10V | 22mohm @ 58.2a, 10v | 4.5V @ 2.91mA | 234 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 pf @ 400 V | - | 446W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IKFW90N65ES5XKSA1 | 6.9450 | | 9741 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 154 W | PG-HSIP247-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 75a, 16ohm, 15V | 89 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 300 A | 1.75V @ 15V, 75a | 2.5MJ (Encendido), 990 µJ (apaguado) | 165 NC | 42NS/151NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R12N2T4B16BPSA1 | 183.9200 | | 2047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM35GD120DLCE3224BPSA1 | 194.8453 | | 2516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Bsm35g | 280 W | Estándar | Ag-Econo2a | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 70 A | 2.6V @ 15V, 35a | 80 µA | No | 2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB65R145CFD7AATMA1 | 2.8389 | | 7458 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 17a (TC) | 10V | 145mohm @ 8.5a, 10v | 4.5V @ 420 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1694 pf @ 400 V | - | 98W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FF450R17ME4B11BPSA1 | 367.5180 | | 7720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF450R17 | 2500 W | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 600 A | 2.3V @ 15V, 450a | 3 MA | Si | 36 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM15GD120DLCE3224BPSA1 | 116.6027 | | 4181 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | La Última Vez Que Compre | Bsm15g | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS75R06KE3BPSA1 | 118.3000 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS75R06 | 250 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 75 A | 1.9V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FS950R08A6P2LBBPSA1 | 928.2000 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS950R08 | 870 W | Estándar | Ag-Hybridd-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 3 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 750 V | 450 A | 1.35V @ 15V, 450a | 1 MA | Si | 80 nf @ 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Igd06n65t6arma1 | 0.7399 | | 6126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IGD06 | Estándar | 31 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 3a, 47ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 9 A | 18 A | 1.9V @ 15V, 3a | 60 µJ (Encendido), 30 µJ (apaguado) | 13.7 NC | 15ns/35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF300R07W2H3B77BPSA1 | 85.9600 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | DF300R07 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy2b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de Tres Niveles | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 90 A | 2V @ 15V, 150a | 26 µA | Si | 2.95 NF @ 650 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | 4.3279 | | 7785 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOG-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 410a (TJ) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FS75R12KT4B15BPSA1 | 153.0900 | | 1671 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS75R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.15V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FP150R07N3E4PB11BPSA1 | 245.3667 | | 6264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP150R07 | 430 W | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Econo3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 150 A | 1.95V @ 15V, 150a | 1 MA | Si | 9.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF225R12W2H3FB11BPSA1 | 80.8700 | | 1064 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 |
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