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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7820TRPBF | 1.5400 |  | 6272 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7820 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 3.7a (TA) | 10V | 78mohm @ 2.2a, 10v | 5V @ 100 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 100 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA261702E V1 | - | | 4260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | 2.66GHz | Ldmos | H-30275-4 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 10 µA | 1.8 A | 170W | 15dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU2703PBF | - | | 8324 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 14a, 10v | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP315PE6327T | - | | 7341 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.17a (TA) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 1.17a, 10V | 2V @ 160 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Auirfr4105z | - | | 1493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF2804Strl7pp | 3.6300 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IRF2804 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 160A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 160a, 10v | 4V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 6930 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3714ZLPBF | - | | 4113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3714ZLPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ023N04LSATMA1 | - | | 9200 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 22a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2630 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR2703TRPBF | 1.1600 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2703 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 23a (TC) | 4V, 10V | 45mohm @ 14a, 10v | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irfz24nstrlpbf | - | | 9910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3303Strr | - | | 9885 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRLHS6376TRPBF | 0.6700 | | 159 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | IRLHS6376 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 6-PQFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.6a | 63mohm @ 3.4a, 4.5V | 1.1V @ 10 µA | 2.8nc @ 4.5V | 270pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF2807Strrpbf | - | | 7577 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF2807 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001564670 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 82a (TC) | 10V | 13mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 3820 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SPN03N60S5 | - | | 8402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Spn03n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 700 mA (TA) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 5.5V @ 135 µA | 12.8 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ0910NDXTMA1 | - | | 2009 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | BSZ0910 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 31W (TC) | PG-WISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9.5A (TA), 25A (TC) | 9.5mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250 µA | 5.6nc @ 4.5V | 800pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | - | | 7571 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM200 | 1550 W | Estándar | Módulo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | - | 1200 V | 420 A | 2.6V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 13 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR2405TRR | - | | 3423 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR2405 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 56a (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2430 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Auxfn8403tr | - | | 1251 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-tqfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519874 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 95A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 3174 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPI60R099CPXKSA1 | 9.4000 | | 6118 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 99mohm @ 18a, 10v | 3.5V @ 1.2MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 100 V | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPSA70R600P7SAKMA1 | 0.9500 | | 4665 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPSA70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 V | 8.5A (TC) | 10V | 600mohm @ 1.8a, 10V | 3.5V @ 90 µA | 10.5 NC @ 400 V | ± 16V | 364 pf @ 400 V | - | 43.1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPB180N04S4LH0ATMA1 | 2.4917 | | 3963 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB180 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 2.2V @ 180 µA | 310 NC @ 10 V | +20V, -16V | 24440 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R450E6XKSA1 | - | | 3145 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 100 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPI70N12S3L12AKSA1 | - | | 5773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI70N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 120 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 12.1mohm @ 70a, 10v | 2.4V @ 83 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5550 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Auirfs3806trl | - | | 1579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516146 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 43a (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 50 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRLR4343TRL | - | | 4877 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 50 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R190CFDFKSA1 | - | | 3122 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 17.5a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 4.5V @ 730 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRLR8103VTRRPBF | - | | 6121 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 91a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 27 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPP65R150CFDAAKSA1 | 6.2800 | | 6246 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 22.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PC30KPBF | - | | 1209 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PC30 | Estándar | 100 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480v, 16a, 23ohm, 15V | - | 600 V | 28 A | 58 A | 2.7V @ 15V, 16A | 360 µJ (Encendido), 510 µJ (apaguado) | 67 NC | 26ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPP90R500C3 | - | | 4780 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP90R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 900 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 740 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 100 V | - | 156W (TC) |
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