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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB156N22NFDATMA1 | 8.2400 |  | 726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ FD | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB156 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 220 V | 72a (TC) | 10V | 15.6mohm @ 50a, 10v | 4V @ 270 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 6930 pf @ 110 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | IRF6645TR1PBF | - | | 5655 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SJ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sj | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 5.7a (TA), 25a (TC) | 10V | 35mohm @ 5.7a, 10V | 4.9V @ 50 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 890 pf @ 25 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
| IRL540NSTRRPBF | - | | 9138 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001550372 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 18a, 10v | 2V @ 250 µA | 74 NC @ 5 V | ± 16V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||
 | IRFHM8334TRPBF | - | | 9763 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 10 V | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||
 | Bcx53e6327htsa1 | - | | 2972 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BCX53 | 2 W | PG-SOT89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 125MHz | ||||||||||||||||
 | Spp47n10 | - | | 7807 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp47n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000012415 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 10V | 33mohm @ 33a, 10V | 4V @ 2mA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||||||
 | IRLR8729TRLPBF | - | | 4139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR8729 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001552874 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | - | | 1369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | - | | 4201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™, hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH7185 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 19a (TA) | 10V | 5.2mohm @ 50A, 10V | 3.6V @ 150 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 50 V | - | 3.6W (TA), 160W (TC) | ||||||||||||
| IPD600N25N3GBTMA1 | - | | 5974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD600N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 25A (TC) | 10V | 60mohm @ 25A, 10V | 4V @ 90 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||
 | IRF8113GPBF | - | | 1083 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560088 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 17.2a (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 17.2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 36 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2910 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | SIPC03N50C3X1SA1 | - | | 6848 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | SIPC03 | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | SP000014882 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA80R360P7XKSA1 | 2.8400 | | 332 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA80R360 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 360mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 500 V | - | 30W (TC) | |||||||||||
| IRF7319PBF | - | | 4284 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF731 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | - | |||||||||||||
| IRF7241TRPBF | 0.9700 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7241 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 40 V | 6.2a (TA) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
| BSC026N08NS5ATMA1 | 3.2600 | | 5856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC026 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 23a (TA), 100a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 50A, 10V | 3.8V @ 115 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
| IPA70R900P7SXKSA1 | 1.1000 | | 989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA70R900 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 700 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 1.1a, 10V | 3.5V @ 60 µA | 6.8 NC @ 400 V | ± 16V | 211 pf @ 400 V | - | 20.5W (TC) | |||||||||||
 | Auirf3710z | - | | 7681 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 59A (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||
 | BSS138N E7854 | - | | 5243 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230 mm, 10V | 1.4V @ 250 µA | 1.4 NC @ 10 V | ± 20V | 41 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
| IRF7468PBF | - | | 9898 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001559918 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 40 V | 9.4a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 9.4a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2460 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
| IPD65R420CFDATMA1 | 1.0650 | | 5507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R420 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 8.7a (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4.5V @ 300 µA | 31.5 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 100 V | - | 83.3W (TC) | |||||||||||
 | SPI11N60C3XKSA1 | - | | 4849 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi11n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | IPU039N03LGXK | - | | 8915 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu039n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||
| IRF7401TRPBF | - | | 8522 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 V | 8.7a (TA) | 2.7V, 4.5V | 22mohm @ 4.1a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 48 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
| IRLR8113TR | - | | 4221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558970 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 94a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2920 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
| BSC090N03MSGATMA1 | - | | 7816 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC090 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 48A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||
| IPC60R190P6X7SA1 | - | | 9959 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPC60R | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001418030 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
| BSO4420 | - | | 1976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 13a, 10v | 2V @ 80 µA | 33.7 NC @ 5 V | ± 20V | 2213 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
| SPB80N06S2-H5 | - | | 6596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 230 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
| IRLR3410PBF | - | | 3715 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 4V, 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W (TC) |
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