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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFB4215PBF | - |  | 4684 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 115A (TC) | 10V | 9mohm @ 54a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 4080 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||
 | IPB04N03LB | - | | 1487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB04N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 55a, 10V | 2V @ 70 µA | 40 NC @ 5 V | ± 20V | 5203 pf @ 15 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||
 | FS300R17OE4B81BPSA1 | 950.8100 | | 5736 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS300R17 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONOPP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 300 A | 2.3V @ 15V, 300A | 3 MA | Si | 24.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||
 | IRF7304PBF | - | | 3122 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001561936 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 90mohm @ 2.2a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 610pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
| IPB03N03LA G | - | | 2242 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB03N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 55a, 10v | 2V @ 100 µA | 57 NC @ 5 V | ± 20V | 7027 pf @ 15 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
| IRF3709 | - | | 2582 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3709 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||
| Spb18p06pgatma1 | 1.4800 | | 2861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB18P06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 18.7a (TA) | 10V | 130mohm @ 13.2a, 10v | 4V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 81.1W (TA) | ||||||||||||
 | IRFP4332-203PBF | - | | 8416 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001556764 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 57a (TC) | 10V | 33mohm @ 35a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 5860 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | |||||||||||||
 | Irfr220ntrl | - | | 2665 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 5A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||||||||
| IPD036N04LGBTMA1 | - | | 9983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD036N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 90a, 10v | 2V @ 45 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 20 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||
 | Auirfu8403 | - | | 3264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Auirfu8403 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 3171 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||||||||
 | Irfi520n | - | | 7202 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi520n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 7.6a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||
| IRF9Z34NSTRRPBF | - | | 6101 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 55 V | 19a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||
 | IPA65R600C6XKSA1 | - | | 8252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||
| IRF7351TRPBF | 1.7400 | | 49 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7351 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 8A | 17.8mohm @ 8a, 10v | 4V @ 50 µA | 36nc @ 10V | 1330pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||
| Auirf1018e | 1.2115 | | 6901 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Auirf1018 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 79A (TC) | 8.4mohm @ 47a, 10v | 4V @ 100 µA | 69 NC @ 10 V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||
 | IRFHS8342TRPBF | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervdfn | IRFHS8342 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 8.8a (TA), 19a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 8.5a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
| IPD90N06S404ATMA1 | - | | 5955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 90a, 10v | 4V @ 90 µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 10400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||
| IRFB7787PBF | - | | 3641 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB7787 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 76a (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 46a, 10v | 3.7V @ 100 µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 4020 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
| IPD60R280P7SAUMA1 | 1.5200 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 761 pf @ 400 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||
| IRLU3705Z | - | | 8514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU3705Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 16V | 2900 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||
 | BSS670S2LH6327XTSA1 | 0.4500 | | 5100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS670 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 540MA (TA) | 4.5V, 10V | 650mohm @ 270 mm, 10V | 2V @ 2.7 µA | 2.26 NC @ 10 V | ± 20V | 75 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||
 | Irfl4310tr | - | | 1456 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.6a (TA) | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | 330 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||
 | IPP60R380E6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos e6 ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||
| BSS83PL6327HTSA1 | - | | 8332 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS83 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 330 mA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 330 mm, 10v | 2V @ 80 µA | 3.57 NC @ 10 V | ± 20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
 | BSL205NH6327XTSA1 | - | | 6552 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL205 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001100646 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.5a | 50mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.2NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||||
| Irll014npbf | - | | 2042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001550472 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 55 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 140mohm @ 2a, 10v | 2V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 230 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | BSS192PH6327ftSA1 | 0.6500 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BSS192 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 190MA (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 190ma, 10v | 2V @ 130 µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
| IRFR13N15DTRR | - | | 9913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 14a (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||
| IPB100N06S3L-04 | - | | 8028 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 5V, 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 150 µA | 362 NC @ 10 V | ± 16V | 17270 pf @ 25 V | - | 214W (TC) |
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