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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP60R380E6 | - |  | 9639 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos e6 ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||
 | BSS83PL6327HTSA1 | - | | 8332 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS83 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 330 mA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 330 mm, 10v | 2V @ 80 µA | 3.57 NC @ 10 V | ± 20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||
 | BSL205NH6327XTSA1 | - | | 6552 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL205 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001100646 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.5a | 50mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.2NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||
 | Irll014npbf | - | | 2042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001550472 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 55 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 140mohm @ 2a, 10v | 2V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 230 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | BSS192PH6327ftSA1 | 0.6500 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BSS192 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 190MA (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 190ma, 10v | 2V @ 130 µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | IRFR13N15DTRR | - | | 9913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 14a (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||
 | IPB100N06S3L-04 | - | | 8028 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 5V, 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 150 µA | 362 NC @ 10 V | ± 16V | 17270 pf @ 25 V | - | 214W (TC) | |||||
| BSS169L6906HTSA1 | - | | 6501 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 170MA (TA) | 0V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10v | 1.8V @ 50 µA | 2.8 NC @ 7 V | ± 20V | 68 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 360MW (TA) | ||||||
 | IPG20N10S4L35ATMA1 | 1.3100 | | 46 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 43W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 20A | 35mohm @ 17a, 10v | 2.1V @ 16 µA | 17.4nc @ 10V | 1105pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IPP80N04S204AKSA1 | - | | 7124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
 | IRF6662TR1PBF | - | | 9110 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MZ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mz | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 8.3a (TA), 47a (TC) | 10V | 22mohm @ 8.2a, 10v | 4.9V @ 100 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||
 | IRF9520NLPBF | - | | 3423 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 480mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||||
 | IRF9321PBF | - | | 8428 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001551656 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 50 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 2590 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||
 | Auirf7769l2tr | 11.1600 | | 8680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico L8 | Auirf7769 | Mosfet (Óxido de metal) | DirectFet ™ Isométrico L8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 375A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 74a, 10v | 4V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11560 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRL8113Strl | - | | 4570 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2840 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||
| IPB04N03LA | - | | 1604 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB04N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 55a, 10v | 2V @ 60 µA | 32 NC @ 5 V | ± 20V | 3877 pf @ 15 V | - | 107W (TC) | ||||
| Bso201spntma1 | - | | 8940 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 14.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 8mohm @ 14.9a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 128 NC @ 4.5 V | ± 12V | 5962 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||
| IPD60R450E6ATMA1 | - | | 3599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 100 V | - | 74W (TC) | |||||
 | IPI65R380C6XKSA1 | 2.8900 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI65R380 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||
| Spp15p10plhxksa1 | 1.8400 | | 5273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp15p10 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 11.3a, 10v | 2V @ 1.54mA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||
 | Auirfs3107-7trl | 4.5158 | | 6491 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 240a (TC) | 2.6mohm @ 160a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | 9200 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||
| IPD50R280CEATMA1 | - | | 4453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 13V | 280mohm @ 4.2a, 13V | 3.5V @ 350 µA | 32.6 NC @ 10 V | ± 20V | 773 pf @ 100 V | - | 119W (TC) | ||||
 | IRFU13N20DPBF | - | | 7605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 13a (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
 | IPG20N06S2L65ATMA1 | 0.9700 | | 27 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 43W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 55V | 20A | 65mohm @ 15a, 10v | 2V @ 14 µA | 12NC @ 10V | 410pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRF7821TRPBFXTMA1 | 1.1400 | | 4314 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-Dso-8-902 | - | ROHS3 Cumplante | 4.000 | N-canal | 30 V | 13.6a (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10v | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1010 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||
 | BSC059N04LSGATMA1 | 1.0400 | | 136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC059 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 16a (TA), 73A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 50A, 10V | 2V @ 23 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IPA60R280P6XKSA1 | 2.8900 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R280 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.2a, 10V | 4.5V @ 430 µA | 25.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||
| IPS090N03LGBKMA1 | - | | 3273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000252578 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 42W (TC) | |||||
| IRLR3714ZPBF | - | | 7036 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 37a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 7.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 560 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||
| IRF3707Strl | - | | 8335 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 62a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1990 pf @ 15 V | - | 87W (TC) |
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