SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSGATMA1 1.0400
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC059 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 16a (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 50A, 10V 2V @ 23 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R280P6XKSA1 2.8900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 5.2a, 10V 4.5V @ 430 µA 25.5 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 32W (TC)
IPS090N03LGBKMA1 Infineon Technologies IPS090N03LGBKMA1 -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000252578 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 42W (TC)
IRLR3714ZPBF Infineon Technologies IRLR3714ZPBF -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 37a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 20V 560 pf @ 10 V - 35W (TC)
IRF3707STRL Infineon Technologies IRF3707Strl -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2 0.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD14N06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10v 4V @ 14 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 293 pf @ 25 V - 47W (TC)
IPI120N08S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N08S403AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 80 V 120a (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 223 µA 167 NC @ 10 V ± 20V 11550 pf @ 25 V - 278W (TC)
IRFB3307 Infineon Technologies IRFB3307 -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFB3307 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 250W (TC)
IPU80R600P7AKMA1 Infineon Technologies IPU80R600P7AKMA1 1.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R600 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 170 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 500 V - 60W (TC)
IRFR3710ZPBF Infineon Technologies IRFR3710ZPBF -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 42a (TC) 10V 18mohm @ 33a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 2930 pf @ 25 V - 140W (TC)
FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies FD400R12KE3HOSA1 223.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FD400R12 2000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Piquero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 580 A 2.15V @ 15V, 400A 5 Ma No 28 NF @ 25 V
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125P7AUMA1 4.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 27a (TC) 10V 125mohm @ 8.2a, 10V 4V @ 410 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1544 pf @ 400 V - 111W (TC)
IGCM04B60GAXKMA1 Infineon Technologies IGCM04B60GAXKMA1 -
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm) IGBT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 280 3 fase 4 A 600 V 2000 VRMS
IM393X6FPXKLA1 Infineon Technologies IM393X6FPXKLA1 -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 26 PowerSip, 22 cables, formados de cables IGBT IM393X6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 15 Inversor de 3 fase 20 A 600 V 2000 VRMS
IRFR12N25DTRRP Infineon Technologies IRFR12N25DTRRP -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10v 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 144W (TC)
BSM75GB120DN2_E3223C-SE Infineon Technologies BSM75GB120DN2_E3223C-SE 101.9500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
BSM100GB120DN2B2HOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2B2HOSA1 87.1300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo BSM100 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
BCR185E6327 Infineon Technologies BCR185E6327 -
RFQ
 ECAD 5104 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR185 200 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
BFR 182 B6663 Infineon Technologies BFR 182 B6663 -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR 182 250MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 12db ~ 18db 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies IPB22N03S4L-15 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL308CL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL308 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 2.3a, 2a 80mohm @ 2a, 10v 2V @ 11 µA 500NC @ 10V 275pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRAMS10UP60B-W Infineon Technologies Irams10up60b-w -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001533480 EAR99 8541.29.0095 80 - -
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies Buz73lhxksa1 -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 7a (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 840 pf @ 25 V - 40W (TC)
BAS7004SE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7004SE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAS7004 Schottky PG-SOT363-6-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
IRGP4760DPBF Infineon Technologies IRGP4760DPBF -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 325 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 90 A 144 A 2V @ 15V, 48a 1.7MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado) 145 NC 70ns/140ns
IKB20N60TAATMA1 Infineon Technologies Ikb20n60taatma1 -
RFQ
 ECAD 1564 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ikb20n Estándar 156 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 600V, 20a, 12ohm, 15V 41 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 310 µJ (Encendido), 460 µJ (apagado) 120 NC 18ns/199ns
SPA06N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA06N60C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa06n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 6.2a (TC) 10V 750mohm @ 3.9a, 10v 3.9V @ 260 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 32W (TC)
IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 40 µA 75 NC @ 10 V ± 16V 5680 pf @ 25 V - 79W (TC)
IRL80HS120 Infineon Technologies IRL80HS120 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla IRL80HS120 Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 12.5a (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 7.5a, 10v 2V @ 10 µA 7 NC @ 4.5 V ± 20V 540 pf @ 25 V - 11.5W (TC)
BC859-C Infineon Technologies BC859-C 0.0200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar