SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
IPD031N03M G Infineon Technologies IPD031N03M G -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD031N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 15 V - -
BC817K-40WE6327 Infineon Technologies BC817K-40WE6327 -
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 500 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
SPP80N06S2L-06 Infineon Technologies SPP80N06S2L-06 -
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5050 pf @ 25 V - 250W (TC)
IKN01N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN01N60RC2ATMA1 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Ikn01n Estándar 5.1 W PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IKN01N60RC2ATMA1CT EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 1A, 49OHM, 15V 59.5 ns - 600 V 2.2 A 3 A 2.3V @ 15V, 1A 25.1 µJ (Encendido), 13.5 µJ (apaguado) 9 NC 5.6ns/80ns
IRLL3303TRPBF Infineon Technologies Irll3303trpbf -
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 4.6a, 10V 1V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 16V 840 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRL3303S Infineon Technologies IRL3303S -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3303S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
DZ1070N22KTIMHDSA1 Infineon Technologies DZ1070N22KTIMHDSA1 -
RFQ
 ECAD 2133 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto DZ1070 - Obsoleto 1
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 6-Powervdfn IRLHS6276 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 6-PQFN Dual (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 2 Canal N (Dual) 20V 4.5a 45mohm @ 3.4a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 3.1NC @ 4.5V 310pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
PTFA210701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA210701FV4FWSA1 -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA210701 2.14 GHz Ldmos H-37265-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 10 µA 550 Ma 18W 16.5dB - 30 V
IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF 1.1300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 480mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
IPI06CN10N G Infineon Technologies IPI06CN10N G -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI06C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 180 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R080P7XKSA1 5.9900
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R080 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 37a (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10v 4V @ 590 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2180 pf @ 400 V - 129W (TC)
IRF7207TR Infineon Technologies IRF7207TR -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 5.4a (TC) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 5.4a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 22 NC @ 4.5 V ± 12V 780 pf @ 15 V - 2.5W (TC)
TT104N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TT104N08KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 140 ° C Monte del Chasis Módulo TT104N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 800 V 160 A 1.4 V 2050a @ 50Hz 120 Ma 104 A 2 SCRS
IRF6724MTR1PBF Infineon Technologies IRF6724MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 27a (TA), 150a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 27a, 10v 2.35V @ 100 µA 54 NC @ 4.5 V ± 20V 4404 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
FF150R12YT3BOMA1 Infineon Technologies FF150R12YT3BOMA1 -
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF150R12Y 625 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 2 Independientes - 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 150a 1 MA Si 10.5 NF @ 25 V
AUIRL1404STRL Infineon Technologies Auirl1404strl -
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522830 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10v 3V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCX6825E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6825E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX68 3 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
DD400S45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies DD400S45KL3B5NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD400S45 Estándar A-IHV130-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 4500 V - 3.1 V @ 400 A 500 A @ 2800 V -50 ° C ~ 125 ° C
IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S436AATMA1 1.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 43W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 100V 20A 36mohm @ 17a, 10v 3.5V @ 16 µA 15NC @ 10V 990pf @ 25V -
94-2312PBF Infineon Technologies 94-2312pbf -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - 94-2312 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IPS050N03LG Infineon Technologies IPS050N03LG 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
ACCESSORY33482NOSA1 Infineon Technologies Acesorio33482nosa1 -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio3 - Alcanzar sin afectado 448-accesory33482nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
BB 664-02V E7902 Infineon Technologies BB 664-02V E7902 -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BB 664 PG-SC79-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 2.75pf @ 28V, 1MHz Soltero 30 V 17.8 C1/C28 -
IRLR4132TRPBF Infineon Technologies IRLR4132TRPBF 1.0700
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo IRLR4132 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
IRFS4610TRLPBF Infineon Technologies IRFS4610TRLPBF 3.1200
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS4610 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
BC847PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Bc847pnh6327xtsa1 0.0886
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies IRG4IBC30UDPBF -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 45 W Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 480V, 12a, 23ohm, 15V 42 ns - 600 V 17 A 68 A 2.1V @ 15V, 12A 380 µJ (Encendido), 160 µJ (apagado) 50 NC 40ns/91ns
FD16001200R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FD16001200R17KF6CB2NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar Ag-ECONO2B descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único - 1700 V 2600 A 3.1V @ 15V, 1.6ka 5 Ma No 105 nf @ 25 V
BSL802SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL802SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001101012 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 7.5a (TA) 1.8V, 2.5V 22mohm @ 7.5a, 2.5V 750MV @ 30 µA 4.7 NC @ 2.5 V ± 8V 1347 pf @ 10 V - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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