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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFH8334TR2PBF	-	RFQ	2349	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)				PQFN (5x6)	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal				30 V	14a (TA), 44A (TC)		9mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 25 µA	15 NC @ 10 V		1180 pf @ 10 V	-
IRG7PH35U-EPBF	-	RFQ	5892	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto				Irg7ph							descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
BSS84PH643333TMA1	0.4000	RFQ	6715	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSS84		Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000			Canal P				60 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	8ohm @ 170ma, 10v	2V @ 20 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	19 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
BCR 183T E6327	-	RFQ	6804	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BCR 183			250 MW			PG-SC-75	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																		50 V	100 mA						100NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
IPP65R660CFD	1.0000	RFQ	4306	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal				650 V	6a (TC)	10V	660mohm @ 2.1a, 10v	4.5V @ 200 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	615 pf @ 100 V	-	62.5W (TC)
IPD50R500CEATMA1	-	RFQ	8908	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				500 V	7.6a (TC)	13V	500mohm @ 2.3a, 13V	3.5V @ 200 µA	18.7 NC @ 10 V	± 20V	433 pf @ 100 V	-	57W (TC)
Auirfs3306	-	RFQ	1499	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517554	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				60 V	120a (TC)	10V	4.2mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	125 NC @ 10 V	± 20V	4520 pf @ 50 V	-	230W (TC)
Bfp840fesdh6327xtsa1	0.5800	RFQ	52	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP840			75MW			PG-TSFP-4-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						35dB																												2.6V	35mA									NPN		150 @ 10mA, 1.8V	85 GHz			0.75db @ 5.5Ghz
IPB057N06NATMA1	1.5900	RFQ	840	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB057		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				60 V	17A (TA), 45A (TC)	6V, 10V	5.7mohm @ 45a, 10V	2.8V @ 36 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 30 V	-	3W (TA), 83W (TC)
BCW66KGE6327HTSA1	0.0579	RFQ	3367	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66			500 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																		45 V	800 Ma						20NA (ICBO)			NPN	450mv @ 50 mA, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	170MHz
Irll1503	-	RFQ	6701	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)				SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	80			N-canal				30 V	75A (TA)		3.3mohm @ 140a, 10V	4V @ 250 µA	200 NC @ 10 V		5730 pf @ 25 V	-	-
IPD35N10S3L26ATMA1	1.6700	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD35N10		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				100 V	35A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 35a, 10V	2.4V @ 39 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	71W (TC)
SMBT3906UE6327HTSA1	0.1037	RFQ	4313	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	SMBT 3906			330MW			PG-SC74-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																		40V	200 MMA						50NA (ICBO)			2 PNP (dual)	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
BSV236SPH6327XTSA1	0.5500	RFQ	8168	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BSV236		Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P				20 V	1.5a (TA)	2.5V, 4.5V	175mohm @ 1.5a, 4.5V	1.2V @ 8 µA	5.7 NC @ 4.5 V	± 12V	228 pf @ 15 V	-	560MW (TA)
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1	229.0000	RFQ	30	Infineon Technologies	Coolsic ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF8MR12		CARBURO DE SILICIO (SIC)	20MW			Ag-Easy1b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				30	2 Canal						1200V	100A (TJ)		8.1mohm @ 100a, 18V	5.15V @ 40mA	297nc @ 18V		8800pf @ 800V	CARBURO DE SILICIO (SIC)
IPG20N04S4L11ATMA1	1.5300	RFQ	18	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	41W			PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)						40V	20A		11.6mohm @ 17a, 10v	2.2V @ 15 µA	26nc @ 10V		1990pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
FS50R12W1T7BOMA1	61.0400	RFQ	1746	Infineon Technologies	Easypack ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS50R12			20 MW		Estándar	Ag-Easy1b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	Inversor trifásico																																Parada de Campo de Trinchera	1200 V	50 A		-				7.9 µA	Si	11.1 NF @ 25 V
IPC100N04S51R2ATMA1	2.8700	RFQ	6869	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IPC100		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal				40 V	100A (TC)	7V, 10V	1.2mohm @ 50A, 10V	3.4V @ 90 µA	131 NC @ 10 V	± 20V	7650 pf @ 25 V	-	150W (TC)
TT150N22KOFHPSA1	-	RFQ	2272	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT150N				Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA													2.2 kV	350 A	2 V	4500A @ 50Hz	200 MA	223 A										2 SCRS
64-4092pbf	-	RFQ	8564	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRLU2705		Mosfet (Óxido de metal)				I-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal				55 V	28a (TC)	4V, 10V	40mohm @ 17a, 10v	2V @ 250 µA	25 NC @ 5 V	± 16V	880 pf @ 25 V	-	68W (TC)
D820N22TXPSA1	126.4900	RFQ	1307	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre		Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	D820N22		Estándar				-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						2200 V		1.25 V @ 750 A		40 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	820a	-
IPA60R125CFD7XKSA1	5.0500	RFQ	38	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				600 V	11a (TC)	10V	125mohm @ 7.8a, 10v	4.5V @ 390 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1503 pf @ 400 V	-	32W (TC)
FS100R06KE3BOSA1	178.8500	RFQ	2	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS100R06			335 W		Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																																Parada de Campo de Trinchera	600 V	100 A		1.9V @ 15V, 100A				1 MA	Si	6.2 NF @ 25 V
BC 848C B6327	-	RFQ	3126	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 848			330 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000																																		30 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	250MHz
IPN70R600P7SATMA1	0.8700	RFQ	393	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R600		Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				700 V	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 1.8a, 10V	3.5V @ 90 µA	10.5 NC @ 10 V	± 16V	364 pf @ 400 V	-	6.9W (TC)
IDW80C65D1XKSA1	3.9300	RFQ	6095	Infineon Technologies	Rápido 1	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	IDW80C65		Estándar				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					1 par Cátodo Común	650 V	40A	1.7 V @ 40 A	77 ns	40 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C
IRF7457TRPBF	-	RFQ	5349	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal				20 V	15a (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
T4051N85TXPSA1	-	RFQ	8163	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				T4051N							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001206790	EAR99	8541.30.0080	1
IGW40N65F5AXKSA1	-	RFQ	7711	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IGW40N	Estándar		250 W			PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001187504	EAR99	8541.29.0095	240					400V, 20a, 15ohm, 15V																												Zanja	650 V	74 A	120 A	2.1V @ 15V, 40A	350 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado)	95 NC	19ns/165ns
IRFH8324TR2PBF	0.6600	RFQ	82	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)				PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal				30 V	23a (TA), 90A (TC)	4.5V, 10V	4.1mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 50 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	2380 pf @ 10 V	-	3.6W (TA), 54W (TC)