SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BC807-40E6327 Infineon Technologies BC807-40E6327 -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
IRFU3911PBF Infineon Technologies Irfu3911pbf -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3911pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 14a (TC) 10V 115mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 56W (TC)
IPP120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPP120N06S402AKSA2 -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 140 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 15750 pf @ 25 V - 188W (TC)
BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies Bdp950h6327xtsa1 0.5094
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BDP950 5 W PG-SOT223-4-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
AUIRLR2905 Infineon Technologies Auirlr2905 -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516026 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGR2B60KDPBF Infineon Technologies IRGR2B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Irgr2b60 Estándar 35 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 2a, 100ohm, 15V 68 ns Escrutinio 600 V 6.3 A 8 A 2.25V @ 15V, 2a 74 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado) 12 NC 11ns/150ns
T420N14TOFXPSA1 Infineon Technologies T420N14TOFXPSA1 134.5400
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK T420N14 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 300 mA 1.8 kV 750 A 2 V 7200A @ 50Hz 200 MA 424 A 1 SCR
D4810N22TVFXPSA1 Infineon Technologies D4810N22TVFXPSA1 868.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Do-200ae D4810N22 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2200 V 1.078 v @ 4000 A 200 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C 4810A -
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon Technologies Ifcm10p60gdxkma1 19.2800
RFQ
 ECAD 2816 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm) IGBT Ifcm10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 14 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 2000 VRMS
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies BFQ 19S E6327 -
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BFQ 19 1W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 7dB ~ 11.5dB 15V 210 Ma NPN 70 @ 70 mm, 8V 5.5 GHz 1.8db ~ 3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1 6.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 16-POWERSOP Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-16-U01 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 V 52a (TA), 454A (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 150a, 10V 3.3V @ 280 µA 261 NC @ 10 V ± 20V 21000 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03LSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC883 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 34 V 17A (TA), 98A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 57W (TC)
IPP45N06S4L08AKSA2 Infineon Technologies IPP45N06S4L08AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP45N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 45a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 45a, 10v 2.2V @ 35 µA 64 NC @ 10 V ± 16V 4780 pf @ 25 V - 71W (TC)
IM393L6FPXKLA1 Infineon Technologies IM393L6FPXKLA1 -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 26 PowerSip, 22 cables, formados de cables IGBT IM393L6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 540 Inversor de 3 fase 15 A 600 V 2000 VRMS
PTFA212401E V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401E V4 R250 -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-36260-2 PTFA212401 2.14 GHz Ldmos H-36260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
IRF6724MTRPBF Infineon Technologies IRF6724MTRPBF -
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF6724 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001529188 EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 27a (TA), 150a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 27a, 10v 2.35V @ 100 µA 54 NC @ 4.5 V ± 20V 4404 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7103TRPBF Infineon Technologies IRF7103TRPBF 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 30NC @ 10V 290pf @ 25V -
IRL3102STRLPBF Infineon Technologies IRL3102STRLPBF -
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 61a (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 58 NC @ 4.5 V ± 10V 2500 pf @ 15 V - 89W (TC)
IRF6717MTR1PBF Infineon Technologies IRF6717MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 38a (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 38a, 10v 2.35V @ 150 µA 69 NC @ 4.5 V ± 20V 6750 pf @ 13 V - 2.8W (TA), 96W (TC)
BF2040RE6814HTSA1 Infineon Technologies BF2040RE6814HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6779 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie Sot-143r BF2040 800MHz Mosfet PG-SOT-143R-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40mera 15 Ma - 23dB 1.6db 5 V
IRLR7833 Infineon Technologies IRLR7833 2.2300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10v 2.3V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4010 pf @ 15 V - 140W (TC)
DD171N16KKHOSA1 Infineon Technologies Dd171n16kkhosa1 -
RFQ
 ECAD 8911 0.00000000 Infineon Technologies Dd171n Banda Obsoleto - - DD171N16 - - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000096916 Obsoleto 0000.00.0000 1 - - - -
ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies ISZ24DP10LMATMA1 1.0300
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-25 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-isz24dp10lmatma1dkr EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 100 V 9.7a - - - - - -
BAT 64 B5003 Infineon Technologies BAT 64 B5003 -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bat 64 Schottky PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 120 Ma 6pf @ 1v, 1 MHz
IRLR7807ZTR Infineon Technologies IRLR7807ZTR -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558476 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 43a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 780 pf @ 15 V - 40W (TC)
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1 5.4900
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R190 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 4.5V @ 700 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 151W (TC)
IRF7853PBF Infineon Technologies IRF7853PBF -
RFQ
 ECAD 2408 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566352 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 100 V 8.3a (TA) 10V 18mohm @ 8.3a, 10v 4.9V @ 100 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
PTFB260605ELV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB260605ELV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000800740 Obsoleto 0000.00.0000 1
IRF7416QTRPBF Infineon Technologies IRF7416QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 10a (TA) 20mohm @ 5.6a, 10V 1V @ 250 µA 92 NC @ 10 V 1700 pf @ 25 V -
IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH03SG60CXKSA2 1.4544
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-2 IDH03SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 3 a 0 ns 15 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 1v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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