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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
Bfp640fesdh6327xtsa1	0.7200	RFQ	9874	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP640				200MW		4-TSFP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000									8b ~ 30.5db																											4.7V	50mera								NPN		110 @ 30mA, 3V	46 GHz			0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
D121K20BXPSA1	-	RFQ	2638	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	D121K			Estándar			-	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									2000 V			20 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 180 ° C	210A	-
IPP65R660CFDXKSA1	-	RFQ	4478	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							650 V	6a (TC)	10V	660mohm @ 2.1a, 10v	4.5V @ 200 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	615 pf @ 100 V	-	62.5W (TC)
T1590N54P158XPSA1	-	RFQ	5210	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto					T1590N							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
IRL3303SPBF	-	RFQ	2406	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRF3575DTRPBF	-	RFQ	4847	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	32-POWERWFQFN	IRF3575			Mosfet (Óxido de metal)	-		32-PQFN (6x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)									25V	303A (TC)		-	-	-		-	-
IRG8P15N120KD-EPBF	-	RFQ	6389	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRG8P	Estándar			125 W		Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537560	EAR99	8541.29.0095	25						600V, 10a, 10ohm, 15V																							60 ns						-	1200 V	30 A	30 A	2V @ 15V, 10a	600 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado)	98 NC	15ns/170ns
BSP135H6327XTSA1	1.5200	RFQ	1588	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP135			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							600 V	120MA (TA)	0V, 10V	45ohm @ 120 mA, 10V	1V @ 94 µA	4.9 NC @ 5 V	± 20V	146 pf @ 25 V	MODO DE AGOTAMENTO	1.8w (TA)
IRF1018EPBF	1.3300	RFQ	7727	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF1018			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100			N-canal							60 V	79A (TC)	10V	8.4mohm @ 47a, 10v	4V @ 100 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 50 V	-	110W (TC)
BC817K-16E6327	0.0400	RFQ	15	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC817				500 MW		PG-SOT23	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	8,219																																				45 V	500 mA							100NA (ICBO)		700mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 100 maja, 1v	170MHz
SDB06S60	-	RFQ	3891	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sdb06s			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO20-3-45	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																									600 V	1.7 v @ 6 a	0 ns	200 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	300pf @ 0V, 1MHz
IPP70N10SL16AKSA1	-	RFQ	5142	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP70N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							100 V	70A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 50a, 10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	± 20V	4540 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRFSL17N20D	-	RFQ	6010	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFSL17N20D	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							200 V	16a (TC)	10V	170mohm @ 9.8a, 10v	5.5V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
IPB097N08N3 G	-	RFQ	8627	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB097N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							80 V	70A (TC)	6V, 10V	9.7mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2410 pf @ 40 V	-	100W (TC)
IRFS3306TRLPBF	2.8500	RFQ	15	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS3306			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal							60 V	120a (TC)	10V	4.2mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	4520 pf @ 50 V	-	230W (TC)
BCR196WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	5212	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR196				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	70 Ma							100NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	50 @ 5MA, 5V	150 MHz	47 kohms	22 kohms
IRF5806TRPBF	-	RFQ	3840	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P							20 V	4A (TA)	2.5V, 4.5V	86mohm @ 4a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	11.4 NC @ 4.5 V	± 20V	594 pf @ 15 V	-	2W (TA)
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 503				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000																																				50 V	500 mA							100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	40 @ 50 mm, 5v	100 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
IRLIB9343	-	RFQ	2501	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLIB9343	EAR99	8541.29.0095	50			Canal P							55 V	14a (TC)	4.5V, 10V	105mohm @ 3.4a, 10v	1V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 50 V	-	33W (TC)
T830N14TOFXPSA1	152.3900	RFQ	9782	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	T830N14					Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	9					300 mA															1.8 kV	1500 A	1.5 V	14500A @ 50Hz	250 Ma	844 A									1 SCR
IRF6218SPBF	-	RFQ	6075	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF6218			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001553628	EAR99	8541.29.0095	50			Canal P							150 V	27a (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2210 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRF7475TRPBF	-	RFQ	7654	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal							12 V	11a (TA)	2.8V, 4.5V	15mohm @ 8.8a, 4.5V	2V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 12V	1590 pf @ 6 V	-	2.5W (TA)
Irll2703trpbf	-	RFQ	3246	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							30 V	3.9a (TA)	4V, 10V	45mohm @ 3.9a, 10V	2.4V @ 250 µA	14 NC @ 5 V	± 16V	530 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRFR15N20DTRRP	-	RFQ	7769	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal							200 V	17a (TC)	10V	165mohm @ 10a, 10v	5.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	910 pf @ 25 V	-	3W (TA), 140W (TC)
PTFA181001EV4R250XTMA1	-	RFQ	5497	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera	PTFA181001		1.88GHz	Ldmos			H-36248-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250				1 µA			750 Ma	100W	16.5dB																	-																	28 V
IRF9328TRPBF	-	RFQ	9424	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF9328			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P							30 V	12a (TC)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 12a, 10v	2.4V @ 25 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BCR192E6327	-	RFQ	4871	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR192				200 MW		PG-SOT23-3-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	100 mA							100NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	200 MHz	22 kohms	47 kohms
BFR35AP	0.1000	RFQ	3	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo												descascar					EAR99	8541.21.0075	3,001
N718602XPSA1	-	RFQ	9009	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto												-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
IRL3715Strlpbf	-	RFQ	2246	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal							20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)