SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies FD1000R17IE4BOSA2 710.6400
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FD1000 6250 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Soltero - 1700 V 2.45V @ 15V, 1000A 5 Ma Si 81 NF @ 25 V
BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies Bsc054n04nsgatma1 0.9900
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC054 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 17A (TA), 81A (TC) 10V 5.4mohm @ 50A, 10V 4V @ 27 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 57W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA2 4.3600
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 200 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRF7901D1TR Infineon Technologies IRF7901D1TR -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7901 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 38mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 10.5nc @ 5V 780pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
IRFSL3206PBF Infineon Technologies IRFSL3206PBF 3.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL3206 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6540 pf @ 50 V - 300W (TC)
BC847BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies Bc847bl3e6327xtma1 0.1136
RFQ
 ECAD 3301 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BC847 250 MW PG-TSLP-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BSC090BNS Infineon Technologies Bsc090bns -
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD07N60C3ATMA1 2.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD07N60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies IPI020N06NAKSA1 -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 29a (TA), 120A (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10v 2.8V @ 143 µA 106 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 30 V - 3W (TA), 214W (TC)
IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1 1.2900
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP055 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
T1081N65TOHXPSA1 Infineon Technologies T1081N65TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af T1081N65 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 350 Ma 7 kV 2040 A 2.5 V 35000A @ 50Hz 350 Ma 1800 A 1 SCR
IPP80P04P4L08AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P4L08AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 120 µA 92 NC @ 10 V +5V, -16V 5430 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRL3502SPBF Infineon Technologies IRL3502SPBF -
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 110 NC @ 4.5 V ± 10V 4700 pf @ 15 V - 140W (TC)
IRFR3706TR Infineon Technologies IRFR3706TR -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm50gd60dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM50G 250 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 600 V 70 A 2.45V @ 15V, 50A 500 µA No 2.2 NF @ 25 V
DD750S65K3NOSA1 Infineon Technologies DD750S65K3NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD750S65 Estándar A-IHV130-6 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 6500 V - 3.5 V @ 750 A 1100 A @ 3600 V -50 ° C ~ 125 ° C
IRFR4105ZTR Infineon Technologies Irfr4105ztr -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6327HTSA1 0.3800
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 kohms 47 kohms
SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies Spa20n60c3xksa1 6.3000
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa20n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20.7a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10v 3.9V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 34.5W (TC)
IRFR3706TRLPBF Infineon Technologies IRFR3706TRLPBF -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575942 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF -
RFQ
 ECAD 4893 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 IRF7748 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 28a (TA), 148a (TC) 10V 2.2mohm @ 89a, 10V 4V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8075 pf @ 50 V - 3.3W (TA), 94W (TC)
BCM846SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCM846SH6327XTSA1 0.1398
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BCR 114T E6327 Infineon Technologies BCR 114T E6327 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 114 250 MW PG-SC75-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 10 kohms
AUIRFSA8409-7P Infineon Technologies Auirfsa8409-7p -
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Auirfsa8409 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520354 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 523A (TC) 10V 0.69mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 13975 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRF1010ZL Infineon Technologies Irf1010zl -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf1010zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R299CPFKSA1 -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10v 3.5V @ 440 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 96W (TC)
IRD3CH82DF6 Infineon Technologies IRD3CH82DF6 -
RFQ
 ECAD 1532 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IRD3CH82 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001538740 EAR99 8541.10.0080 1
IRFR4615TRLPBF Infineon Technologies IRFR4615TRLPBF 1.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR4615 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10v 5V @ 100 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IPB05N03LB Infineon Technologies IPB05N03LB -
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB05N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 60a, 10v 2V @ 40 µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3209 pf @ 15 V - 94W (TC)
BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies Bsp297h6327xtsa1 0.8900
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP297 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 660MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1.8V @ 400 µA 16.1 NC @ 10 V ± 20V 357 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
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AD9208BBPZ-3000

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