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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)
IPL65R340CFDAUMA1	1.5121	RFQ	9374	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL65R340		Mosfet (Óxido de metal)				PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal			650 V	10.9a (TC)	10V	340mohm @ 4.4a, 10V	4.5V @ 400 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	104.2W (TC)
IRGBC30FD2	-	RFQ	4087	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		100 W			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																																-	600 V	31 A		2.1V @ 15V, 17A
BC 846B E6327	-	RFQ	5419	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 846			330 MW			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																	65 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BAT6404WH6327XTSA1	0.5200	RFQ	1	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, BAT64	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAT6404		Schottky				PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																				Conexión de la Serie de 1 par	40 V	250 Ma	750 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)
IRF6798MTR1PBF	-	RFQ	6599	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			25 V	37a (TA), 197a (TC)	4.5V, 10V	1.3mohm @ 37a, 10v	2.35V @ 150 µA	75 NC @ 4.5 V	± 20V	6560 pf @ 13 V	Diodo Schottky (Cuerpo)	2.8W (TA), 78W (TC)
IRG4BC30UDPBF	-	RFQ	2770	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		100 W			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000					480V, 12a, 23ohm, 15V																					42 ns						-	600 V	23 a	92 A	2.1V @ 15V, 12A	380 µJ (Encendido), 160 µJ (apagado)	50 NC	40ns/91ns
T1190N16TOFVTXPSA1	309.6600	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Un 200ac	T1190n16				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	4				500 mA												1.8 kV	2800 A	2 V	22500A @ 50Hz	250 Ma	1190 A										1 SCR
IPB60R060C7ATMA1	9.5100	RFQ	999	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R060		Mosfet (Óxido de metal)				D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			600 V	35A (TC)	10V	60mohm @ 15.9a, 10v	4V @ 800 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2850 pf @ 400 V	-	162W (TC)
IRGP4063D1PBF	-	RFQ	7367	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRGP4063D	Estándar		330 W			To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537966	EAR99	8541.29.0095	25					400V, 48a, 10ohm, 15V																					80 ns						-	600 V	100 A	192 A	2.14V @ 15V, 48a	1.4mj (Encendido), 1.1mj (apagado)	150 NC	60ns/160ns
IRGIB7B60KDPBF	-	RFQ	1483	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Irgib7	Estándar		39 W			Un entero de 220ab-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					400V, 8a, 50ohm, 15V																					95 ns						Escrutinio	600 V	12 A	24 A	2.2V @ 15V, 8a	160 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	29 NC	23ns/140ns
IRFL014NTRPBF	0.9400	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Irfl014		Mosfet (Óxido de metal)				SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			55 V	1.9a (TA)	10V	160mohm @ 1.9a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	190 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IPP129N10NF2SAKMA1	1.7100	RFQ	31	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP129N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			100 V	12A (TA), 52A (TC)	6V, 10V	12.9mohm @ 30a, 10V	3.8V @ 30 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IPA50R280CE	-	RFQ	7331	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA50R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-31	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			500 V	13a (TC)	13V	280mohm @ 4.2a, 13V	3.5V @ 350 µA	32.6 NC @ 10 V	± 20V	773 pf @ 100 V	-	30.4W (TC)
IRGS6B60KTRLPBF	-	RFQ	5624	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRGS6B60	Estándar		90 W			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800					400V, 5A, 100OHM, 15V																											Escrutinio	600 V	13 A	26 A	2.2V @ 15V, 5A	110 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado)	18.2 NC	25ns/215ns
IRG4RC10UTRR	-	RFQ	9275	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRG4RC10U	Estándar		38 W			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000					480V, 5A, 100OHM, 15V																											-	600 V	8.5 A	34 A	2.6V @ 15V, 5A	80 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	15 NC	19ns/116ns
IRG8P08N120KD-EPBF	-	RFQ	8658	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRG8P	Estándar		89 W			Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001532714	EAR99	8541.29.0095	25					600V, 5A, 47OHM, 15V																					50 ns						-	1200 V	15 A	15 A	2V @ 15V, 5A	300 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado)	45 NC	20ns/160ns
PTFB262406EV1XWSA1	-	RFQ	4178	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto											descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000749286	Obsoleto	0000.00.0000	1
BCR 519 E6327	-	RFQ	6541	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 519			330 MW			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																	50 V	500 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	120 @ 50mA, 5V	100 MHz	4.7 kohms
IPB230N06L3GATMA1	-	RFQ	9323	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB130N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			60 V	30A (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 11 µA	10 NC @ 4.5 V	± 20V	1600 pf @ 30 V	-	36W (TC)
D3501N32TS20XPSA1	-	RFQ	3928	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	Do-200ae			Estándar				BG-D12035K-1	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																					3200 V		1.27 V @ 4000 A		100 mA @ 3200 V	160 ° C	4870a	-
IDP06E60	-	RFQ	2145	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	IDP06		Estándar				PG-TO20-2-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					600 V		2 V @ 6 A	70 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	14.7a	-
IPW65R125C7XKSA1	6.5500	RFQ	135	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R125		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			650 V	18a (TC)	10V	125mohm @ 8.9a, 10v	4V @ 440 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1670 pf @ 400 V	-	101W (TC)
Spp16n50c3xksa1	-	RFQ	4345	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spp16n		Mosfet (Óxido de metal)				PG-to20-3-111	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000681056	EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			560 V	16a (TC)	10V	280mohm @ 10a, 10v	3.9V @ 675 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IPP100N08N3GXKSA1	1.9800	RFQ	643	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP100		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			80 V	70A (TC)	6V, 10V	10mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2410 pf @ 40 V	-	100W (TC)
IPP06N03LA	-	RFQ	8836	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP06N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 30a, 10v	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2653 pf @ 15 V	-	83W (TC)
SPD04N50C3ATMA1	1.7100	RFQ	10	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD04N50		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			500 V	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 2.8a, 10V	3.9V @ 200 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	470 pf @ 25 V	-	50W (TC)
D650N06TXPSA1	-	RFQ	4621	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	D650N06		Estándar				-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	18		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																					600 V		950 MV @ 450 A		20 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 180 ° C	650A	-
BSM15GD120DLCE3224BOSA1	88.1650	RFQ	1115	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	Bsm15g			145 W		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo																															-	1200 V	35 A		2.6V @ 15V, 15a				76 µA	No	1 NF @ 25 V
IRF3704StrlpBF	-	RFQ	1987	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			20 V	77a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 20V	1996 pf @ 10 V	-	87W (TC)
IPB120N06S403ATMA2	2.9800	RFQ	8316	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB120		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			60 V	120a (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 120 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	13150 pf @ 25 V	-	167W (TC)