SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon Technologies IPD35N12S3L24ATMA1 1.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD35N12 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 120 V 35A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 35a, 10V 2.4V @ 39 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 71W (TC)
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S5L1R9ATMA1 1.7200
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 50A, 10V 2V @ 50 µA 81 NC @ 10 V ± 16V 4310 pf @ 25 V - 100W (TC)
BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NSTATMA1 3.7000
RFQ
ECAD 5491 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC014 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 6V, 10V 1.45mohm @ 50A, 10V 3.3V @ 120 µA 104 NC @ 10 V ± 20V 8125 pf @ 30 V - 3W (TA), 188W (TC)
IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies IKFW40N60DH3EXKSA1 7.4400
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKFW40 Estándar 111 W PG-TO247-3-AI descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 72 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 34 A 90 A 2.7V @ 15V, 30a 870 µJ (Encendido), 360 µJ (apagado) 107 NC 18ns/144ns
IPS65R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies IPS65R1K0Ceakma2 0.4175
RFQ
ECAD 4673 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-342 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 7.2a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 200 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 68W (TC)
IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA2 14.4200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDW32G65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 240 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 16 A 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 16A 470pf @ 1V, 1 MHz
IRGP4063D-EPBF Infineon Technologies IRGP4063D-EPBF -
RFQ
ECAD 8166 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP4063D Estándar 330 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001541796 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48a, 10ohm, 15V 115 ns Zanja 600 V 96 A 200 A 2.14V @ 15V, 48a 625 µJ (Encendido), 1.28MJ (apagado) 140 NC 60ns/145ns
IRGP4266PBF Infineon Technologies IRGP4266PBF -
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 450 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 75a, 10ohm, 15V - 650 V 140 A 300 A 2.1V @ 15V, 75a 3.2MJ (Encendido), 1.7mj (apagado) 210 NC 80ns/200ns
AUIRFS8403 Infineon Technologies Auirfs8403 -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 123A (TC) 10V 3.3mohm @ 70a, 10v 3.9V @ 100 µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
AUIRFR8403 Infineon Technologies Auirfr8403 1.7700
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr8403 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10v 3.9V @ 100 µA 99 NC @ 10 V ± 20V 3171 pf @ 25 V - 99W (TC)
IRFH4213TRPBF Infineon Technologies IRFH4213TRPBF -
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 V 41a (TA) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 50A, 10V 2.1V @ 100 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 3420 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 89W (TC)
IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R3K0CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 1.7a (TC) 13V 3ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30 µA 4.3 NC @ 10 V ± 20V 84 pf @ 100 V - 18W (TC)
BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC500N20NS3GATMA1 2.2400
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC500 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 24a (TC) 10V 50mohm @ 22a, 10v 4V @ 60 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 100 V - 96W (TC)
IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW75N60H3FKSA1 10.3800
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW75N60 Estándar 428 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 5.2ohm, 15V 190 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 225 A 2.3V @ 15V, 75a 3MJ (Encendido), 1.7MJ (apagado) 470 NC 31ns/265ns
IPD65R1K4CFDBTMA1 Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1 -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 2.8a (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 262 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
IPU50R2K0CEBKMA1 Infineon Technologies IPU50R2K0CEBKMA1 -
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 V 2.4a (TC) 13V 2ohm @ 600mA, 13V 3.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 124 pf @ 100 V - 22W (TC)
IPU50R3K0CEBKMA1 Infineon Technologies IPU50R3K0CEBKMA1 -
RFQ
ECAD 8026 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 V 1.7a (TC) 13V 3ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30 µA 4.3 NC @ 10 V ± 20V 84 pf @ 100 V - 18W (TC)
IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies IGW40N65H5FKSA1 4.7200
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW40N65 Estándar 255 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 15ohm, 15V - 650 V 74 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 390 µJ (Encendido), 120 µJ (apagado) 95 NC 22ns/165ns
IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies IGW50N65F5FKSA1 5.6300
RFQ
ECAD 9941 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW50N65 Estándar 305 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V - 650 V 80 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 490 µJ (Encendido), 160 µJ (apagado) 120 NC 21ns/175ns
IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies IKP08N65F5XKSA1 2.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IKP08N65 Estándar 70 W PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000973408 EAR99 8541.29.0095 500 400V, 4A, 48OHM, 15V 41 ns - 650 V 18 A 24 A 2.1V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 20 µJ (apaguado) 22 NC 10ns/116ns
IRGP4262D-EPBF Infineon Technologies IRGP4262D-EPBF -
RFQ
ECAD 2908 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 250 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549768 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 24a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 60 A 96 A 2.1V @ 15V, 24a 520 µJ (Encendido), 240 µJ (apaguado) 70 NC 24ns/73ns
IRGP4263D-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D-EPBF -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 325 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 90 A 192 A 2.1V @ 15V, 48a 2.9mj (Encendido), 1.4mj (apagado) 145 NC 70ns/140ns
IRGP4263DPBF Infineon Technologies IRGP4263DPBF -
RFQ
ECAD 8006 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 325 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 90 A 192 A 2.1V @ 15V, 48a 2.9mj (Encendido), 1.4mj (apagado) 145 NC 70ns/140ns
IRFP3006PBF Infineon Technologies IRFP3006PBF 6.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP3006 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 60 V 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8970 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies IRFS7530TRLPBF 3.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS7530 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 195a (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 411 NC @ 10 V ± 20V 13703 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF 3.0400
RFQ
ECAD 797 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS7734 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 183A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 10150 pf @ 25 V - 290W (TC)
IRFSL7430PBF Infineon Technologies IRFSL7430PBF -
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFSL7430 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557608 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRG7PH28UEF Infineon Technologies Irg7ph28uef -
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - - - Irg7ph - - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
IRGB4607DPBF Infineon Technologies IRGB4607DPBF -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 58 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001541648 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) 9 NC 27ns/120ns
IRGP4630D-EPBF Infineon Technologies IRGP4630D-EPBF -
RFQ
ECAD 2714 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 206 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 18a, 22ohm, 15V 100 ns - 600 V 47 A 54 A 1.95V @ 15V, 18a 95 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 35 NC 40ns/105ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock