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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
D450S16TXPSA1	-	RFQ	1563	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	D450S		Estándar			-	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									1600 V		2.25 V @ 1200 A	6.2 µs	10 Ma @ 1600 V	-25 ° C ~ 180 ° C	443a	-
BFP420H6801XTSA1	0.6900	RFQ	4395	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP420			160MW		PG-SOT343-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000								21db																												5V	35mA			NPN		60 @ 20MA, 4V	25 GHz			1.1DB @ 1.8GHz
IPB097N08N3 G	-	RFQ	8627	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB097N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						80 V	70A (TC)	6V, 10V	9.7mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2410 pf @ 40 V	-	100W (TC)
IRF7752GTRPBF	-	RFQ	2665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	IRF775		Mosfet (Óxido de metal)	1W		8-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								30V	4.6a		30mohm @ 4.6a, 10V	2V @ 250 µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRFS3306TRLPBF	2.8500	RFQ	15	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS3306		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						60 V	120a (TC)	10V	4.2mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	4520 pf @ 50 V	-	230W (TC)
BCR196WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	5212	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR196			250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	70 Ma		100NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	50 @ 5MA, 5V	150 MHz	47 kohms	22 kohms
IRF5806TRPBF	-	RFQ	3840	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6			Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P						20 V	4A (TA)	2.5V, 4.5V	86mohm @ 4a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	11.4 NC @ 4.5 V	± 20V	594 pf @ 15 V	-	2W (TA)
IRLR7811WCTRLP	-	RFQ	7993	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						30 V	64a (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 12V	2260 pf @ 15 V	-	71W (TC)
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 503			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000																																				50 V	500 mA		100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	40 @ 50 mm, 5v	100 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
IRLIB9343	-	RFQ	2501	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLIB9343	EAR99	8541.29.0095	50			Canal P						55 V	14a (TC)	4.5V, 10V	105mohm @ 3.4a, 10v	1V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 50 V	-	33W (TC)
T830N14TOFXPSA1	152.3900	RFQ	9782	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	T830N14				Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	9					300 mA														1.8 kV	1500 A	1.5 V	14500A @ 50Hz	250 Ma	844 A											1 SCR
IRF6218SPBF	-	RFQ	6075	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF6218		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001553628	EAR99	8541.29.0095	50			Canal P						150 V	27a (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2210 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRF7475TRPBF	-	RFQ	7654	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						12 V	11a (TA)	2.8V, 4.5V	15mohm @ 8.8a, 4.5V	2V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 12V	1590 pf @ 6 V	-	2.5W (TA)
Irll2703trpbf	-	RFQ	3246	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						30 V	3.9a (TA)	4V, 10V	45mohm @ 3.9a, 10V	2.4V @ 250 µA	14 NC @ 5 V	± 16V	530 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRL1404ZSTRLPBF	2.5800	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL1404		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						40 V	75A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10v	2.7V @ 250 µA	110 NC @ 5 V	± 16V	5080 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRFR15N20DTRRP	-	RFQ	7769	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						200 V	17a (TC)	10V	165mohm @ 10a, 10v	5.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	910 pf @ 25 V	-	3W (TA), 140W (TC)
PTFA181001EV4R250XTMA1	-	RFQ	5497	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera	PTFA181001	1.88GHz	Ldmos			H-36248-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250				1 µA		750 Ma	100W	16.5dB																	-													28 V
IRF9328TRPBF	-	RFQ	9424	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF9328		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P						30 V	12a (TC)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 12a, 10v	2.4V @ 25 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BCR192E6327	-	RFQ	4871	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR192			200 MW		PG-SOT23-3-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	100 mA		100NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	200 MHz	22 kohms	47 kohms
BFR35AP	0.1000	RFQ	3	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.21.0075	3,001
N718602XPSA1	-	RFQ	9009	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto											-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
IRL3715Strlpbf	-	RFQ	2246	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IPA023N04NM3SXKSA1	-	RFQ	6574	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		-			IPA023		-				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			-							-	-	-	-		-		-	-
EDD480N22P60HPSA1	-	RFQ	4514	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto			Monte del Chasis	Módulo	Edd480		Estándar			BG-PB60ECO-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001880822	EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																								Conexión de la Serie de 1 par	2200 V	480a				-
IPP120N06S4H1AKSA2	-	RFQ	7704	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP120N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal						60 V	120a (TC)	10V	2.4mohm @ 100a, 10V	4V @ 200 µA	270 NC @ 10 V	± 20V	21900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IPN60R2K1CEATMA1	0.6800	RFQ	7952	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN60R2		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						600 V	3.7a (TC)	10V	2.1ohm @ 800 mA, 10V	3.5V @ 60 µA	6.7 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 100 V	-	5W (TC)
IPB60R600C6ATMA1	-	RFQ	4501	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	3.5V @ 200 µA	20.5 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	63W (TC)
Bts244ze3062aatma2	5.5700	RFQ	3572	Infineon Technologies	Tempfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb	BTS244		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-5-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						55 V	35A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 19a, 10v	2V @ 130 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2660 pf @ 25 V	Diodo de Deteca de Temperatura	170W (TC)
IRFR13N20DTRL	-	RFQ	2469	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
SPP80N03S2L-06	-	RFQ	2319	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp80n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal						30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 80a, 10v	2V @ 80 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 25 V	-	150W (TC)