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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFR13N20DTRL	-	RFQ	2469	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
SPP80N03S2L-06	-	RFQ	2319	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp80n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal				30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 80a, 10v	2V @ 80 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 25 V	-	150W (TC)
T660N24TOFXPSA1	-	RFQ	4825	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Do-200ab, B-PUK	T660N				Soltero		descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA													2.6 kV	1500 A	2.2 V	13000A @ 50Hz	250 Ma	660 A										1 SCR
IPP80N06S4L05AKSA2	-	RFQ	5016	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028716	EAR99	8541.29.0095	500			N-canal				60 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 40a, 4.5V	2.2V @ 60 µA	110 NC @ 10 V	± 16V	8180 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IPG20N04S412AATMA1	1.3500	RFQ	28	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8Powervdfn	IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	41W		PG-TDSON-8-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)						40V	20A		12.2mohm @ 17a, 10v	4V @ 15 µA	18NC @ 10V		1470pf @ 25V	-
IRL1104S	-	RFQ	1816	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL1104S	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				40 V	104a (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10v	1V @ 250 µA	68 NC @ 4.5 V	± 16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 167W (TC)
IRG4BC20MD-SPBF	-	RFQ	7377	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		60 W		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					480V, 11a, 50ohm, 15V																						37 ns						-	600 V	18 A	36 A	2.1V @ 15V, 11a	410 µJ (Encendido), 2.03MJ (apagado)	39 NC	21ns/463ns
IRL3715Z	-	RFQ	1998	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715Z	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IRF9383MTRPBF	3.0200	RFQ	11	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF9383		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			Canal P				30 V	22a (TA), 160A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 22a, 10v	2.4V @ 150 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	7305 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 113W (TC)
IPL60R180P6AUMA1	3.9900	RFQ	8855	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				600 V	22.4a (TC)	10V	180mohm @ 9a, 10v	4.5V @ 750 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2080 pf @ 100 V	-	176W (TC)
BAS4005E6433HTMA1	0.4200	RFQ	17	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS4005		Schottky			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																					1 par Cátodo Común	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma	100 ps	1 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)
IRF540ZSPBF	-	RFQ	8346	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				100 V	36A (TC)	10V	26.5mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	92W (TC)
Irfl4315	-	RFQ	3052	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfl4315	EAR99	8541.29.0095	80			N-canal				150 V	2.6a (TA)	10V	185mohm @ 1.6a, 10V	5V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	420 pf @ 25 V	-	2.8W (TA)
IRF7470TRPBF	1.7600	RFQ	49	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7470		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal				40 V	10a (TA)	2.8V, 10V	13mohm @ 10a, 10v	2V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 12V	3430 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
Irfc3206eb	-	RFQ	4994	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001563978	Obsoleto	0000.00.0000	1								-
IPP80N06S2L09AKSA1	-	RFQ	3897	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal				55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 52a, 10v	2V @ 125 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	2620 pf @ 25 V	-	190W (TC)
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2546	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
BFR 181 E6780	-	RFQ	8557	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR 181			175MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						18.5dB																												12V	20 Ma							NPN		70 @ 5mA, 8V	8GHz	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7705TR	-	RFQ	4188	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-TSOP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P				30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	88 NC @ 10 V	± 20V	2774 pf @ 25 V	-	1.5W (TC)
IRFU4104PBF	-	RFQ	5182	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal				40 V	42a (TC)	10V	5.5mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Bcp49h6327xtsa1	0.2627	RFQ	1920	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BCP49			1.5 W		PG-SOT223-4-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																																		60 V	500 mA						100NA (ICBO)	NPN - Darlington	1V @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100mA, 5V	200MHz
D1481N65TVFXPSA1	969.622225	RFQ	9103	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	DO-200AC, K-PUK	D1481N65		Estándar			BG-D7626K-1	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						6800 V		1.8 V @ 2500 A		50 Ma @ 6800 V	160 ° C (Máximo)	2200A	-
IRF7468	-	RFQ	4428	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7468	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal				40 V	9.4a (TA)	4.5V, 10V	15.5mohm @ 9.4a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 4.5 V	± 12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
ETT580N16P60HPSA1	249.4500	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	Monte del Chasis	Módulo	ETT580				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	2				300 mA													1.6 kV	700 A	2 V	16500A @ 50Hz	250 Ma	586 A										2 SCRS
IRLR3714	-	RFQ	6414	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal				20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 20V	670 pf @ 10 V	-	47W (TC)
IRG4PSH71UDPBF	-	RFQ	4618	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 274AA		Estándar		350 W		Super-247 ™ (TO74AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25					960V, 70a, 5ohm, 15V																						110 ns						-	1200 V	99 A	200 A	2.7V @ 15V, 70a	8.8mj (Encendido), 9.4mj (apaguado)	380 NC	46ns/250ns
IRFR120Z	-	RFQ	9413	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFR120Z	EAR99	8541.29.0095	75			N-canal				100 V	8.7a (TC)	10V	190mohm @ 5.2a, 10v	4V @ 250 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	310 pf @ 25 V	-	35W (TC)
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX5416			2 W		PG-SOT89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																																		45 V	1 A						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
IRF9530NPBF	1.1600	RFQ	51	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9530		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal P				100 V	14a (TC)	10V	200mohm @ 8.4a, 10v	4V @ 250 µA	58 NC @ 10 V	± 20V	760 pf @ 25 V	-	79W (TC)
Auirfba1405	-	RFQ	1758	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 273AA			Mosfet (Óxido de metal)			Super-220 ™ (To-273AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519538	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				55 V	95A (TC)	10V	5mohm @ 101a, 10v	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	5480 pf @ 25 V	-	330W (TC)