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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
IPP80P04P4L08AKSA1	-	RFQ	3833	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80P	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal P		40 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.2mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 120 µA	92 NC @ 10 V	+5V, -16V	5430 pf @ 25 V	-	75W (TC)
IRL3502SPBF	-	RFQ	8861	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		20 V	110A (TC)	4.5V, 7V	7mohm @ 64a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	110 NC @ 4.5 V	± 10V	4700 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRFR3706TR	-	RFQ	9847	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal		20 V	75A (TC)	2.8V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 12V	2410 pf @ 10 V	-	88W (TC)
Bsm50gd60dlcbosa1	-	RFQ	3601	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	BSM50G		250 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																				-	600 V	70 A	2.45V @ 15V, 50A	500 µA	No	2.2 NF @ 25 V
DD750S65K3NOSA1	1.0000	RFQ	6958	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD750S65	Estándar			A-IHV130-6	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													2 Independientes	6500 V	-	3.5 V @ 750 A	1100 A @ 3600 V	-50 ° C ~ 125 ° C
Irfr4105ztr	-	RFQ	8654	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal		55 V	30A (TC)	10V	24.5mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 25 V	-	48W (TC)
BCR148E6327HTSA1	0.3800	RFQ	350	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR148		200 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																						50 V	100 mA		100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	100 MHz	47 kohms	47 kohms
Spa20n60c3xksa1	6.3000	RFQ	1617	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa20n60	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		600 V	20.7a (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10v	3.9V @ 1MA	114 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	34.5W (TC)
IRFR3706TRLPBF	-	RFQ	6552	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001575942	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal		20 V	75A (TC)	2.8V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 12V	2410 pf @ 10 V	-	88W (TC)
IRF8721PBF	-	RFQ	8437	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95			N-canal		30 V	14a (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10v	2.35V @ 25 µA	12 NC @ 4.5 V	± 20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Bfp196wnh6327xtsa1	0.4600	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP196		700MW		PG-SOT343-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				9.7db																		12V	150 Ma					NPN		70 @ 50mA, 8V	7.5 GHz			1.3db @ 900MHz
BFP183WE6327BTSA1	-	RFQ	9914	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP183		450MW		PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				22dB																		12V	65mA					NPN		70 @ 15 Ma, 8V	8GHz			0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7748L1TRPBF	-	RFQ	4893	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L6	IRF7748	Mosfet (Óxido de metal)			Directfet l6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal		60 V	28a (TA), 148a (TC)	10V	2.2mohm @ 89a, 10V	4V @ 250 µA	220 NC @ 10 V	± 20V	8075 pf @ 50 V	-	3.3W (TA), 94W (TC)
Bfp450e6433btma1	-	RFQ	2361	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP450		450MW		PG-SOT343-4-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000				15.5dB																		5V	100mA					NPN		60 @ 50mA, 4V	24GHz			1.25db @ 1.8Ghz
BCM846SH6327XTSA1	0.1398	RFQ	4832	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCM846		250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																						65V	100mA		15NA (ICBO)			2 NPN (dual)	650mv @ 5 mm, 100 mapa	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BCR 114T E6327	-	RFQ	1421	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BCR 114		250 MW		PG-SC75-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																						50 V	100 mA		100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	160 MHz	4.7 kohms	10 kohms
Auirfsa8409-7p	-	RFQ	5560	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirfsa8409	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520354	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		40 V	523A (TC)	10V	0.69mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 250 µA	460 NC @ 10 V	± 20V	13975 pf @ 25 V	-	375W (TC)
Irf1010zl	-	RFQ	9312	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf1010zl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		55 V	75A (TC)	10V	7.5mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPW60R299CPFKSA1	-	RFQ	2413	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240			N-canal		600 V	11a (TC)	10V	299mohm @ 6.6a, 10v	3.5V @ 440 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	96W (TC)
IRD3CH82DF6	-	RFQ	1532	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				IRD3CH82					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001538740	EAR99	8541.10.0080	1
IRFR4615TRLPBF	1.9600	RFQ	8	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR4615	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal		150 V	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
IPB05N03LB	-	RFQ	6601	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB05N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 60a, 10v	2V @ 40 µA	25 NC @ 5 V	± 20V	3209 pf @ 15 V	-	94W (TC)
Bsp297h6327xtsa1	0.8900	RFQ	7363	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP297	Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		200 V	660MA (TA)	4.5V, 10V	1.8ohm @ 660ma, 10V	1.8V @ 400 µA	16.1 NC @ 10 V	± 20V	357 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRFU1010ZPBF	-	RFQ	2678	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal		55 V	42a (TC)	10V	7.5mohm @ 42a, 10V	4V @ 100 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPU80R1K4P7AKMA1	1.2500	RFQ	16	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU80R1	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-21	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal		800 V	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 1.4a, 10V	3.5V @ 700 µA	10.05 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 500 V	-	32W (TC)
SPB80N03S2L-05 G	-	RFQ	9028	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB80N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 55a, 10v	2V @ 110 µA	89.7 NC @ 10 V	± 20V	3320 pf @ 25 V	-	167W (TC)
IRF7555TRPBF	-	RFQ	2102	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7555	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)				20V	4.3a		55mohm @ 4.3a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	15NC @ 5V		1066pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
IRF3709PBF	-	RFQ	8735	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		30 V	90A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2672 pf @ 16 V	-	3.1W (TA), 120W (TC)
IRF1405LPBF	-	RFQ	8407	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		55 V	131a (TC)	10V	5.3mohm @ 101a, 10V	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	5480 pf @ 25 V	-	200W (TC)
SPA07N60CFDXKSA1	-	RFQ	6698	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa07n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal		650 V	6.6a (TC)	10V	700mohm @ 4.6a, 10V	5V @ 300 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	32W (TC)