SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R900P7SXKSA1 1.1000
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA70R900 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60 µA 6.8 NC @ 400 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 20.5W (TC)
IPP80P03P405AKSA1 Infineon Technologies IPP80P03P405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 30 V 80a (TC) 10V 5mohm @ 80a, 10v 4V @ 253 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 137W (TC)
IRFB3006PBF Infineon Technologies IRFB3006PBF 4.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3006 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570606 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8970 pf @ 50 V - 375W (TC)
IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RFATMA1 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ikd06n Estándar 100 W PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 6a, 23ohm, 15V 48 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 12 A 18 A 2.5V @ 15V, 6a 90 µJ (Encendido), 90 µJ (apaguado) 48 NC 7ns/106ns
FF600R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7EHPSA1 310.8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF600R12 Estándar AG-62 MMHB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 1.75V @ 15V, 600A 100 µA No 92.3 NF @ 25 V
IPB180P04P403ATMA1 Infineon Technologies IPB180P04P403ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 180A (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 410 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 17640 pf @ 25 V - 150W (TC)
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 72.0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar Ag-Easy1b-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 24 1.85 V @ 20 A 58 µA @ 1200 V 20 A Fase única 1.2 kV
IRLU3705Z Infineon Technologies IRLU3705Z -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU3705Z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 42a, 10v 3V @ 250 µA 66 NC @ 5 V ± 16V 2900 pf @ 25 V - 130W (TC)
IRL3715ZL Infineon Technologies IRL3715Zl -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3715Zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRFH8324TRPBF Infineon Technologies IRFH8324TRPBF 0.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IRFH8324 Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 23a (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 10 V - 3.6W (TA), 54W (TC)
SPP100N03S203 Infineon Technologies SPP100N03S203 -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp100n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRFP4568 Infineon Technologies Auirfp4568 11.6800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Auirfp4568 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 150 V 171a (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10v 5V @ 250 µA 227 NC @ 10 V ± 30V 10470 pf @ 50 V - 517W (TC)
SPD30N06S2-23 Infineon Technologies SPD30N06S2-23 -
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 23mohm @ 21a, 10v 4V @ 50 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 25 V - -
IPI100N12S305AKSA1 Infineon Technologies IPI100N12S305AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 120 V 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 100a, 10V 4V @ 240 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 11570 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFR4105ZTRPBF Infineon Technologies IRFR4105ZTRPBF 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR4105 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
IRFS4615PBF Infineon Technologies IRFS4615PBF -
RFQ
 ECAD 5786 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001578264 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IPP100N12S305AKSA1 Infineon Technologies IPP100N12S305AKSA1 5.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 100a, 10V 4V @ 240 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 11570 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1 5.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB073 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 114a (TC) 8V, 10V 7.3mohm @ 57a, 10v 4.6V @ 160 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 75 V - 214W (TC)
IRGC50B60PB Infineon Technologies IRGC50B60PB -
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 1.65V @ 15V, 10a - -
ISC0803NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0803NLSATMA1 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC0803N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 8.8a (TA), 37a (TC) 4.5V, 10V 16.9mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 18 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 43W (TC)
BSO080P03NS3G Infineon Technologies BSO080P03NS3G -
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 12a (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 6750 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
IRFHM831TRPBF Infineon Technologies IRFHM831TRPBF -
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 12a, 10v 2.35V @ 25 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S52R8ATMA1 1.5100
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 7V, 10V 2.8mohm @ 50A, 10V 3.4V @ 30 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 75W (TC)
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1 0.4500
RFQ
 ECAD 5100 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS670 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 55 V 540MA (TA) 4.5V, 10V 650mohm @ 270 mm, 10V 2V @ 2.7 µA 2.26 NC @ 10 V ± 20V 75 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IRL8114PBF Infineon Technologies IRL8114PBF -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL8114 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 40a, 10V 2.25V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 2660 pf @ 15 V - 115W (TC)
IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R040C7XKSA1 14.2100
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R040 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 50A (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4V @ 1.24mA 107 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 400 V - 227W (TC)
IRLU3103 Infineon Technologies IRLU3103 -
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPB03N03LA Infineon Technologies IPB03N03LA -
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 55a, 10v 2V @ 100 µA 57 NC @ 5 V ± 20V 7027 pf @ 15 V - 150W (TC)
IRL3714ZSTRR Infineon Technologies IRL3714ZSTRR -
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 7.2 NC @ 4.5 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 35W (TC)
BCR 162 B6327 Infineon Technologies BCR 162 B6327 -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 162 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
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    Unidad de producto estándar

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