SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TT104N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TT104N12KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 140 ° C Monte del Chasis Módulo TT104N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 1.2 kV 160 A 1.4 V 2050a @ 50Hz 120 Ma 104 A 2 SCRS
IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R075M1HXKSA1 38.5500
RFQ
ECAD 174 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Imyh200 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) PG-TO247-4-U04 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 2000 V 34a (TC) 15V, 18V 98mohm @ 13a, 18V 5.5V @ 7.7MA 64 NC @ 18 V +20V, -7V - 267W (TC)
FZ250R65KE3NPSA1 Infineon Technologies FZ250R65KE3NPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -50 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FZ250R65 4800 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Soltero - 6500 V 500 A 3.4V @ 15V, 250a 5 Ma No 69 NF @ 25 V
IDH04G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA1 -
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Idh04g65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 4 a 0 ns 140 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 130pf @ 1V, 1 MHz
BAT 64-06 B5003 Infineon Technologies BAT 64-06 B5003 -
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bat 64 Schottky PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 40 V 120 Ma 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
BAT54B5003 Infineon Technologies BAT54B5003 0.0200
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM15F60GAXKMA1 14.2700
RFQ
ECAD 320 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm) IGBT Ikcm15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 14 3 fase 15 A 600 V 2000 VRMS
BSM200GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies BSM200GA120DLCSHOSA1 167.3260
RFQ
ECAD 1874 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM200 1450 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1200 V 370 A 2.6V @ 15V, 200a 5 Ma No 13 NF @ 25 V
IPP06CN10N G Infineon Technologies IPP06CN10N G -
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP06C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 180 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
SIDC23D120E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC23D120E6X1SA1 -
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC23D Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 V @ 25 A 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
IDH02G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH02G65C5XKSA1 -
RFQ
ECAD 7677 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 IDH02G65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 2 a 0 ns 35 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 70pf @ 1V, 1 MHz
IPP11N03LA Infineon Technologies IPP11N03LA -
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IP11N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N20NS3GATMA1 2.1700
RFQ
ECAD 818 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ900 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 15.2a (TC) 10V 90mohm @ 7.6a, 10V 4V @ 30 µA 11.6 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SPN02N60S5 Infineon Technologies SPN02N60S5 -
RFQ
ECAD 7093 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SPN02N Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 400 mA (TA) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 5.5V @ 80 µA 7.4 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L4R8ATMA1 1.0300
RFQ
ECAD 3517 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPZ40N04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 40A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 2V @ 17 µA 29 NC @ 10 V ± 16V 1560 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPS60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPS60R1K0Ceakma1 0.3733
RFQ
ECAD 6239 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPS60R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 6.8a (TJ) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 61W (TC)
BCR169SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR169SH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 4267 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR169 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
SIDC01D120H6 Infineon Technologies SIDC01D120H6 -
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC01 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013831 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 V @ 600 Ma 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA -
AUIRF2804L Infineon Technologies Auirf2804l 10.6800
RFQ
ECAD 9003 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Auirf2804 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 195a (TC) 10V 2mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 6450 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPP60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 1690 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R250 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 440 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 100 V - 104W (TC)
BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03LSGATMA1 0.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 16a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 50W (TC)
BCR 135T E6327 Infineon Technologies BCR 135T E6327 -
RFQ
ECAD 9142 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 135 250 MW PG-SC-75 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms 47 kohms
SPS02N60C3 Infineon Technologies SPS02N60C3 -
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak SPS02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
T700N20TOFXPSA1 Infineon Technologies T700N20TOFXPSA1 -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T700N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 2.2 kV 1500 A 2.2 V 13500A @ 50Hz 250 Ma 700 A 1 SCR
D1030N26TXPSA1 Infineon Technologies D1030N26TXPSA1 192.2900
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Apretar Do-200ab, B-PUK D1030N26 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2600 V 1.11 V @ 10000 A 40 Ma @ 2600 V -40 ° C ~ 160 ° C 1030A -
IPL65R190E6AUMA1 Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1 -
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL65R Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado SP001074938 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 700 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 151W (TC)
IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies Ipan50r500cexksa1 1.2500
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ipan50 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11.1a (TC) 13V 500mohm @ 2.3a, 13V 3.5V @ 200 µA 18.7 NC @ 10 V ± 20V 433 pf @ 100 V - 28W (TC)
IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRF8304MTRPBF -
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF8304 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico MX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 28a (TA), 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 28a, 10v 2.35V @ 100 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 4700 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 100W (TC)
IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R420CFDXKSA1 1.4606
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R420 Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 31.2W (TC)
IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R190E6FKSA1 -
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 151W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock